- RFQ
- Nager
- Contactez-nous
Tél: + 86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- Chinois
- Anglais
- Français
- Allemand
- portugais
- Espagnol
- russe
- japonais
- coréen
- arabe
- irlandais
- grec
- turc
- italien
- danois
- roumain
- indonésien
- tchèque
- afrikaans
- suédois
- polonais
- Basque
- catalan
- espéranto
- hindi
- Lao
- albanais
- Amharique
- arménien
- azerbaïdjanais
- Biéloruste
- bengali
- Bosnie
- bulgare
- Cebuano
- Chichewa
- Corse
- croate
- Néerlandais
- estonien
- Philippin
- finlandais
- frison
- Galicien
- géorgien
- Gujarati
- haïtien
- Haoussa
- hawaïen
- hébreu
- Hmong
- hongrois
- islandais
- Igbo
- javanais
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- kurde
- Kirghiz
- latin
- letton
- lituanien
- Luxembou ..
- Macédonien
- malgache
- malais
- Malayalam
- maltais
- Maoris
- Marathi
- mongol
- birman
- Népalais
- norvégien
- Pachto
- persan
- Punjabi
- serbe
- Sésotho
- Cinghalais
- slovaque
- slovène
- somali
- Samoan
- Gaélique écossais
- Shona
- Sindhi
- Sundanais
- Swahili
- Tadjik
- Tamoul
- Telugu
- thaïlandais
- ukrainien
- Ourdou
- Ouzbek
- vietnamien
- gallois
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- zoulou
- Kinyarwanda
- tatar
- Oriya
- Turkmène
- Ouïghour
Transistors (427)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD17573Q5B | 1.6200 |  | 10 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17573Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 1MOHM @ 35A, 10V | 1,8 V à 250µA | 64 NC @ 4,5 V | ± 20V | 9000 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 195W (TC) | |||||||||
 | CSD17578Q3A | 0,6900 | | 32 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17578 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 20A (TA) | 4,5 V, 10V | 7,3MOHM @ 10A, 10V | 1,9 V à 250µA | 22.2 NC @ 10 V | ± 20V | 1590 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 37W (TC) | |||||||||
 | CSD17308Q3 | 0,9500 | | 24 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17308 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 14A (TA), 44A (TC) | 3v, 8v | 10.3MOHM @ 10A, 8V | 1,8 V à 250µA | 5.1 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 700 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA) | |||||||||
| CSD18534Q5A | 1.0700 | | 51 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18534 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 13A (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 9.8MOHM @ 14A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | |||||||||
| CSD17579Q5A | 0,6900 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17579 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 25A (TA) | 4,5 V, 10V | 9.7MOHM @ 8A, 10V | 2V à 250µA | 15.1 NC @ 10 V | ± 20V | 1030 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||||||||
 | CSD87502Q2T | 1.2100 | | 40 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD87502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.3W | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5A | 32.4MOHM @ 4A, 10V | 2V à 250µA | 6nc @ 10v | 353pf @ 15v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | |||||||||||
| CSD17304Q3 | 0,8800 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17304 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 15A (TA), 56A (TC) | 3v, 8v | 7,5 mohm @ 17a, 8v | 1,8 V à 250µA | 6,6 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 955 PF @ 15 V | - | 2.7W (TA) | |||||||||
 | CSD16327Q3 | 1.1400 | | 16 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16327 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 60a (TC) | 3v, 8v | 4MOHM @ 24A, 8V | 1,4 V @ 250µA | 8,4 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 1300 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | |||||||||
 | CSD22206WT | 1.3700 | | 15 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD22206 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal p | 8 V | 5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 5,7MOHM @ 2A, 4,5 V | 1 05 V @ 250µA | 14,6 NC @ 4,5 V | -6v | 2275 PF @ 4 V | - | 1.7W (TA) | |||||||||
 | CSD19531KCS | 2.2100 | | 298 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19531 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 7,7MOHM @ 60A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 3870 PF @ 50 V | - | 214W (TC) | |||||||||
| CSD17581Q3A | 0,8800 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17581 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 21A (TA) | 4,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 16A, 10V | 1,7 V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 3640 PF @ 15 V | - | 2.8W (TA), 63W (TC) | |||||||||
| CSD19501KCS | 2.1100 | | 6762 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 6,6MOHM @ 60A, 10V | 3,2 V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 3980 PF @ 40 V | - | 217W (TC) | |||||||||
| CSD19531Q5A | 1.7700 | | 2626 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19531 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 100A (TC) | 6v, 10v | 6,4MOHM @ 16A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 3870 PF @ 50 V | - | 3.3W (TA), 125W (TC) | |||||||||
 | Tms70c02fnlr | 2.2400 | | 28 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 135 | ||||||||||||||||||||||||||
| CSD18503KCS | 1.8700 | | 277 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18503 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 75a, 10v | 2,3 V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 3150 pf @ 20 V | - | 188W (TC) | |||||||||
 | Lp395z / lft1 | 1.6800 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | LP395 | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 36 V | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||
| CSD18513Q5A | 1.2300 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18513 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 124A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,3MOHM @ 19A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 4280 PF @ 20 V | - | 96W (TC) | |||||||||
 | LP395Z / LFT4 | - | | 8332 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | LP395 | To-92-3 | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 36 V | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||
 | CSD18532NQ5B | 2.6000 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18532 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 22A (TA), 100A (TC) | 6v, 10v | 3,4MOHM @ 25A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 5340 PF @ 30 V | - | 3.2W (TA) | |||||||||
| CSD18542KCS | 2.5100 | | 518 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18542 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 200A (TA) | 4,5 V, 10V | 44MOHM @ 100A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 5070 PF @ 30 V | - | 200W (TC) | |||||||||
| CSD19538Q3A | 0,6500 | | 9125 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD19538 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 15A (TA) | 6v, 10v | 59MOHM @ 5A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 4.3 NC @ 10 V | ± 20V | 454 pf @ 50 V | - | 2.8W (TA), 23W (TC) | |||||||||
| CSD16409Q3 | 0,9700 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16409 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 15A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,2MOHM @ 17A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 5.6 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 800 pf @ 12,5 V | - | 2.6W (TA) | |||||||||
 | CSD17552Q3A | 0,9700 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17552 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 films (3,3x3,3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 15A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 11A, 10V | 1,9 V à 250µA | 12 NC @ 4,5 V | ± 20V | 2050 pf @ 15 V | - | 2.6W (TA) | |||||||||
 | CSD88539NDT | 1 0000 | | 12 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CSD88539 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 28MOHM @ 5A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 9.4nc @ 10v | 741pf @ 30v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||
 | CSD22205L | 0,5400 | | 13 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-xflga | CSD22205 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 7.4a (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 9.9MOHM @ 1A, 4,5 V | 1 05 V @ 250µA | 8,5 NC @ 4,5 V | -6v | 1390 pf @ 4 V | - | 600mw (TA) | |||||||||
 | CSD19535KTTT | 4.1200 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD19535 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 200A (TA) | 6v, 10v | 3,4 mohm @ 100a, 10v | 3,4 V @ 250µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 7930 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||
| CSD18510Q5B | 2.3200 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 300A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,96MOHM @ 32A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 20 V | - | 156W (TC) | |||||||||
| CSD16342Q5A | 1.1300 | | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16342 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 100A (TC) | 2,5 V, 8V | 4,7MOHM @ 20A, 8V | 1,1 V @ 250µA | 7.1 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 1350 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | |||||||||
| CSD17577Q5AT | 1.4100 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17577 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 60a (TA) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 18A, 10V | 1,8 V à 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2310 PF @ 15 V | - | 3W (TA), 53W (TC) | |||||||||
| CSD16403Q5A | 1.6500 | | 16 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16403 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 28a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 20A, 10V | 1,9 V à 250µA | 18 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 2660 PF @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) |
2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m2
Entrepôt en stock
WishList (0 éléments)