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Transistors (427)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD19502Q5B | 2.6500 |  | 14 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 80 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 4.1MOHM @ 19A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 4870 PF @ 40 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | |||||||||||
| CSD19533Q5A | 1.5600 | | 579 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19533 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 9.4MOHM @ 13A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2670 PF @ 50 V | - | 3.2W (TA), 96W (TC) | |||||||||||
 | CSD19505KCS | 3.2800 | | 1261 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19505 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 150A (TA) | 6v, 10v | 3,8MOHM @ 100A, 6V | 3,2 V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ± 20V | 7820 PF @ 40 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | CSD22206W | 0 7700 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD22206 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 5,7MOHM @ 2A, 4,5 V | 1 05 V @ 250µA | 14,6 NC @ 4,5 V | -6v | 2275 PF @ 4 V | - | 1.7W (TA) | |||||||||||
 | CSD25501F3 | 0,4300 | | 11 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xflga | CSD25501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-LGA (0,73x0,64) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 3.6A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 76MOHM @ 400mA, 4,5 V | 1 05 V @ 250µA | 1,33 NC @ 4,5 V | -20v | 385 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||
| CSD25501F3T | 0,8900 | | 22 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xflga | CSD25501F3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-LGA (0,73x0,64) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 20 V | 3.6A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 76MOHM @ 400mA, 4,5 V | 1 05 V @ 250µA | 1,33 NC @ 4,5 V | -20v | 385 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||
 | TPS1100PWR | 0,7130 | | 4284 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TPS1100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | Canal p | 15 V | 1.27A (TA) | 2,7 V, 10V | 180MOHM @ 1,5A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 5.45 NC @ 10 V | + 2v, -15v | - | 504mw (TA) | ||||||||||||
 | CSD16301Q2 | 0,5800 | | 21 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 mm, plombes plombes | CSD16301 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 fils | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 5A (TC) | 3v, 8v | 24MOHM @ 4A, 8V | 1 55 V @ 250µA | 2,8 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 340 PF @ 12,5 V | - | 2.3W (TA) | |||||||||||
 | CSD16323Q3 | 1.1700 | | 25 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16323 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 21A (TA), 60A (TC) | 3v, 8v | 4,5 mohm @ 24a, 8v | 1,4 V @ 250µA | 8,4 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 1300 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | |||||||||||
 | TPS1100DR | 0,7130 | | 1041 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TPS1100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 15 V | 1.6A (TA) | 2,7 V, 10V | 180MOHM @ 1,5A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 5.45 NC @ 10 V | + 2v, -15v | - | 791MW (TA) | ||||||||||||
 | CSD86311W1723 | 0 4542 | | 1940 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 12-ufbga, dsbga | CSD86311 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,5 w | 12-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 25V | 4.5a | 39MOHM @ 2A, 8V | 1,4 V @ 250µA | 4nc @ 4,5 V | 585pf @ 12,5v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
 | TPS2013APWR | 0,5500 | | 630 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | TPS2013 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 630 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | FDP032N08 | 1 0000 | | 9754 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | FDP032 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | Canal n | 75 V | 120A (TC) | 10V | 3,2MOHM @ 75A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 15160 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||
| Sn910214n-p | - | | 7203 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TPIC1533DW | 2.4900 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Obsolète | TPIC15 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Uln2004ane4 | - | | 4205 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | ULN2004 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FJT44KTF | - | | 9510 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 2 W | SOT-223-4 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 300 mA | 500NA | NPN | 750 MV à 5MA, 50mA | 50 @ 10mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
| CSD19531KCS | 2.2100 | | 298 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19531 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 7,7MOHM @ 60A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 3870 PF @ 50 V | - | 214W (TC) | |||||||||||
 | CSD17581Q3A | 0,8800 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17581 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 21A (TA) | 4,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 16A, 10V | 1,7 V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 3640 PF @ 15 V | - | 2.8W (TA), 63W (TC) | |||||||||||
| CSD22206WT | 1.3700 | | 15 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD22206 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal p | 8 V | 5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 5,7MOHM @ 2A, 4,5 V | 1 05 V @ 250µA | 14,6 NC @ 4,5 V | -6v | 2275 PF @ 4 V | - | 1.7W (TA) | |||||||||||
| CSD16327Q3 | 1.1400 | | 16 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16327 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 60a (TC) | 3v, 8v | 4MOHM @ 24A, 8V | 1,4 V @ 250µA | 8,4 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 1300 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | |||||||||||
| CSD19501KCS | 2.1100 | | 6762 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 6,6MOHM @ 60A, 10V | 3,2 V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 3980 PF @ 40 V | - | 217W (TC) | |||||||||||
 | CSD17308Q3 | 0,9500 | | 24 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17308 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 14A (TA), 44A (TC) | 3v, 8v | 10.3MOHM @ 10A, 8V | 1,8 V à 250µA | 5.1 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 700 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA) | |||||||||||
 | CSD87502Q2T | 1.2100 | | 40 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD87502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.3W | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5A | 32.4MOHM @ 4A, 10V | 2V à 250µA | 6nc @ 10v | 353pf @ 15v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | |||||||||||||
| CSD17579Q5A | 0,6900 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17579 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 25A (TA) | 4,5 V, 10V | 9.7MOHM @ 8A, 10V | 2V à 250µA | 15.1 NC @ 10 V | ± 20V | 1030 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||||||||||
| CSD17304Q3 | 0,8800 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17304 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 15A (TA), 56A (TC) | 3v, 8v | 7,5 mohm @ 17a, 8v | 1,8 V à 250µA | 6,6 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 955 PF @ 15 V | - | 2.7W (TA) | |||||||||||
| CSD18534Q5A | 1.0700 | | 51 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18534 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 13A (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 9.8MOHM @ 14A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | |||||||||||
 | Tms70c02fnlr | 2.2400 | | 28 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 135 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SNJ5522J | 7.8800 | | 680 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre Affeté | 2156-SNJ5522J-296 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD16321Q5T | 2.0500 | | 35 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16321 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | 296-CSD16321Q5TCT | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 25 V | 29A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 2,4 mohm @ 25a, 8v | 1,4 V @ 250µA | 19 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 3100 pf @ 12,5 V | - | 3.1W (TA), 113W (TC) |
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