SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Courant - Max Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max) Résistance @ si, f Rapport de capacité Condition de rapport de capacité Q @ VR, F
TRS10E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65C, S1Q -
RFQ
ECAD 8191 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète Par le trou À 220-2 TRS10E65 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2L - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 90 µA à 650 V 175 ° C (max) 10A -
CRS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04 (TE85L, Q, M) 0 4600
RFQ
ECAD 112 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface Sod-123f CRS04 Schottky S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 510 MV @ 1 A 100 µA @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A 47pf @ 10v, 1MHz
CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B (TE85L, QM 0.4900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface Sod-123f CRS20I30 Schottky S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 450 MV @ 2 A 100 µA @ 30 V 150 ° C (max) 2A 82pf @ 10v, 1MHz
1SS301,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301, LF 0,2100
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 1SS301 Standard SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 1 paire la commune de cathode 80 V 100 mA 1,2 V @ 100 mA 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (max)
CLS02(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (TE16L, SQC, Q) -
RFQ
ECAD 2120 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Support de surface L-Flat ™ CLS02 Schottky L-Flat ™ (4x5,5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 550 mV @ 10 A 1 ma @ 40 V -40 ° C ~ 125 ° C 10A 420pf @ 10v, 1MHz
1SS360(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360 (T5L, F, T) -
RFQ
ECAD 2413 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-75, SOT-416 1SS360 Standard SSM télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 1 paire Commune d'anode 80 V 100 mA 1,2 V @ 100 mA 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (max)
CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS10 (TE12L, Q, M) 0 4600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 CMS10 Schottky M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 550 mV @ 1 a 500 µA @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 10v, 1MHz
CLH02(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH02 (TE16L, Q) -
RFQ
ECAD 5715 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Support de surface L-Flat ™ CLH02 Standard L-Flat ™ (4x5,5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 300 V 1,3 V @ 3 A 35 ns 10 µA @ 300 V -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
1SV324TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1sv324tph3f 0,4200
RFQ
ECAD 972 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-76, SOD-323 1SV324 USC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 12pf @ 4v, 1mhz Célibataire 10 V 4.3 C1 / C4 -
1SS308(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS308 (TE85L, F 0,4300
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-74A, SOT-753 1SS308 Standard SMV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 4 Commune d'anode 80 V 100 mA 1,2 V @ 100 mA 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (max)
CMG06A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG06A, LQ (M -
RFQ
ECAD 9033 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Boîte Actif Support de surface SOD-128 Standard M-flat (2.4x3.8) télécharger EAR99 8541.10.0080 1 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V 150 ° C 1A -
CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04 (TE12L, Q, M) 0 4500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 CMH04 Standard M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
CMS30I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I40A (TE12L, QM 0,6100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 CMS30 Schottky M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 550 mV @ 3 a 100 µA @ 40 V 150 ° C (max) 3A 62pf @ 10v, 1MHz
TBAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAV70, LM 0,2100
RFQ
ECAD 280 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-23-3 PLATS PLATS TBAV70 Standard SOT-23-3 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 80 V 215mA -
1SS374(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS374 (TE85L, F) 0,3700
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS374 Schottky SC-59 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse Connexion de la Séririe 1 paire 10 V 100 mA 500 mV à 100 mA 20 µA @ 10 V 125 ° C (max)
JDP2S02AFS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02AFS (TPL3) 0 4700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) 2 mm, plomb plat JDP2S02 FSC télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 10 000 50 mA 0,4pf @ 1v, 1MHz Broche - simple 30V 1,5 ohm @ 10mA, 100mhz
CUS05F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05F40, H3F 0,3000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-76, SOD-323 CUS05F40 Schottky USC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 810 MV @ 500 mA 15 µA @ 40 V 150 ° C (max) 500mA 28pf @ 0v, 1mhz
CLS03(TE16L,DNSO,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, DNSO, Q -
RFQ
ECAD 9888 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Support de surface L-Flat ™ CLS03 Schottky L-Flat ™ (4x5,5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 60 V 580 MV @ 10 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 125 ° C 10A 345pf @ 10v, 1MHz
CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES520, L3F 0,1800
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-79, SOD-523 CES520 Schottky Échap télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 8 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 30 V 600 mV @ 200 mA 5 µA @ 30 V 125 ° C (max) 200m 17pf @ 0v, 1mhz
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG02 (TE85L, Q, M) -
RFQ
ECAD 1132 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface Sod-123f CRG02 Standard S-Flat (1.6x3.5) - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1.1 V @ 700 MA 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 700mA -
1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367, H3F 0,2000
RFQ
ECAD 63 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-76, SOD-323 1SS367 Schottky USC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 10 V 500 mV à 100 mA 20 µA @ 10 V 125 ° C (max) 100 mA 40pf @ 0v, 1mhz
CMS11(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS11 (TE12L, Q, M) 0,6000
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 CMS11 Schottky M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 550 MV @ 2 A 500 µA @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 2A 95pf @ 10v, 1MHz
CRS11(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS11 (TE85L, Q, M) 0,4800
RFQ
ECAD 32 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface Sod-123f CRS11 Schottky S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 360 mV @ 1 a 1,5 Ma @ 30 V -40 ° C ~ 125 ° C 1A -
1SV285TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1sv285tph3f 0,0834
RFQ
ECAD 9414 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 125 ° C (TJ) Support de surface SC-79, SOD-523 1sv285 Échap télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 4 000 2,35pf @ 4v, 1 MHz Célibataire 10 V 2.3 C1 / C4 -
1SV310TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1Sv310TPH3F 0,4200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-76, SOD-323 1sv310 USC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 5.45pf @ 4v, 1MHz Célibataire 10 V 2.1 C1 / C4 -
1SS184S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 1SS184S, LF (D -
RFQ
ECAD 3056 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS184 Standard S-mini télécharger 1 (illimité) 1SS184SLF (D EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 1 paire la commune de cathode 80 V 100 mA 1,2 V @ 100 mA 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (max)
TBAS16,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAS16, LM 0,2100
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-23-3 PLATS PLATS TBAS16 Standard SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 80 V - 215mA -
CRG03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG03 (TE85L, Q, M) -
RFQ
ECAD 5772 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface Sod-123f CRG03 Standard S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) CRG03 (TE85L, Q) EAR99 8541.10.0080 3 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
1SS315TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315TPH3F 0,0600
RFQ
ECAD 6355 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 1SS315 USC - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 30 mA 0,6 PF à 0,2 V, 1 MHz Schottky - Célibataire 5V -
1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325, H3F 0,3800
RFQ
ECAD 7628 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-79, SOD-523 1SV325 Échap télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.30.0080 4 000 12pf @ 4v, 1mhz Célibataire 10 V 4.3 C1 / C4 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock