SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Courant - Max Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max) Résistance @ si, f Rapport de capacité Condition de rapport de capacité Q @ VR, F
CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16 (TE12L, Q, M) 0,6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 CMS16 Schottky M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 550 mV @ 3 a 200 µA @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
CRG01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG01 (TE85L, Q, M) -
RFQ
ECAD 9551 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface Sod-123f CRG01 Standard S-Flat (1.6x3.5) - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 100 V 1.1 V @ 700 MA 10 µA à 100 V -40 ° C ~ 150 ° C 700mA -
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG02 (TE85L, Q, M) -
RFQ
ECAD 1132 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface Sod-123f CRG02 Standard S-Flat (1.6x3.5) - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1.1 V @ 700 MA 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 700mA -
1SS381,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS381, L3F 0,0540
RFQ
ECAD 6469 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 125 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 1SS381 Échap télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 8 000 100 mA 1,2pf @ 6v, 1MHz Broche - simple 30V 900MOHM @ 2MA, 100MHz
JDH2S01FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S01FSTPL3 -
RFQ
ECAD 7312 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) 2 mm, plomb plat JDH2S01 FSC télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 10 000 25 mA 0,6 PF à 0,2 V, 1 MHz Schottky - Célibataire 4V -
JDH3D01STE85LF Toshiba Semiconductor and Storage JDH3D01STE85LF -
RFQ
ECAD 3604 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) SC-75, SOT-416 JDH3D01 SSM télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 25 mA 0,6 PF à 0,2 V, 1 MHz Schottky 4V -
JDV2S07FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage Jdv2s07fstpl3 0,0718
RFQ
ECAD 6225 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) 2 mm, plomb plat JDV2S07 FSC télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 10 000 4.9pf @ 1v, 1MHz Norme - Célibataire 10V -
CUS521,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS521, H3F 0,2000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-76, SOD-323 CUS521 Schottky USC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 30 V 500 mV @ 200 mA 30 µA @ 30 V 125 ° C (max) 200m 26pf @ 0v, 1mhz
1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367, H3F 0,2000
RFQ
ECAD 63 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-76, SOD-323 1SS367 Schottky USC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 10 V 500 mV à 100 mA 20 µA @ 10 V 125 ° C (max) 100 mA 40pf @ 0v, 1mhz
CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30, L3F 0,3800
RFQ
ECAD 51 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 2-md, pas d'Avance CCS15S30 Schottky CST2C télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 10 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 20 V 400 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V 125 ° C (max) 1.5a 200pf @ 0v, 1mhz
CCS15S30,L3QUF Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30, L3QUF -
RFQ
ECAD 1834 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 2-md, pas d'Avance CCS15S30 Schottky CST2C télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 10 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 20 V 400 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V 125 ° C (max) 1.5a 200pf @ 0v, 1mhz
CUS05S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S40, H3F 0,3200
RFQ
ECAD 105 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-76, SOD-323 CUS05S40 Schottky USC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 350 mV @ 100 mA 30 µA @ 10 V 125 ° C (max) 500mA 42pf @ 0v, 1mhz
1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS427, L3M 0,2700
RFQ
ECAD 55 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-923 1SS427 Standard SOD-923 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 10 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 80 V 1,2 V @ 100 mA 1,6 ns 500 na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 100 mA 0,3pf @ 0v, 1MHz
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30, L3F 0,3900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 2-md, pas d'Avance CBS05F30 Schottky CST2B - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 10 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 50 µA @ 30 V 125 ° C (max) 500mA 118pf @ 0v, 1MHz
JDH2S02SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02SL, L3F 0,4200
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 2-md, pas d'Avance JDH2S02 Schottky SL2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 10 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 10 V 25 µA à 500 mV 125 ° C (max) 10m 0,25pf à 200 mV, 1 MHz
CUHS20F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F30, H3F 0,3600
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 2 mm, plomb plat CUHS20 Schottky US2H télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 470 MV @ 2 A 60 µA @ 30 V 150 ° C (max) 2A 380pf @ 0v, 1mhz
CUHS20S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S30, H3F 0,3700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 2 mm, plomb plat CUHS20 Schottky US2H télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 410 MV @ 2 A 500 µA @ 30 V 150 ° C (max) 2A 390pf @ 0v, 1MHz
CLH05(T6L,NKOD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05 (T6L, NKOD, Q) -
RFQ
ECAD 1913 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Support de surface L-Flat ™ CLH05 Standard L-Flat ™ (4x5,5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 980 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C 5A -
CLH05,LMBJQ(O Toshiba Semiconductor and Storage CLH05, LMBJQ (O -
RFQ
ECAD 5120 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Support de surface L-Flat ™ CLH05 Standard L-Flat ™ (4x5,5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 980 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C 5A -
CLS02(T6L,CLAR,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (T6L, Clar, Q) -
RFQ
ECAD 2894 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Support de surface L-Flat ™ CLS02 Schottky L-Flat ™ (4x5,5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 550 mV @ 10 A 1 ma @ 40 V -40 ° C ~ 125 ° C 10A 420pf @ 10v, 1MHz
CLS03(TE16L,PCD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, PCD, Q) -
RFQ
ECAD 5355 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Support de surface L-Flat ™ CLS03 Schottky L-Flat ™ (4x5,5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 60 V 580 MV @ 10 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 125 ° C 10A 345pf @ 10v, 1MHz
1SV282TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1sv282tph3f 0,0886
RFQ
ECAD 1657 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 125 ° C (TJ) Support de surface SC-79, SOD-523 1sv282 Échap - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 4 000 3pf @ 25v, 1mhz Célibataire 34 V 12.5 C2 / C25 -
1SV279,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV279, H3F 0,4800
RFQ
ECAD 1082 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-79, SOD-523 1sv279 Échap télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 4 000 6.5pf @ 10v, 1MHz Célibataire 15 V 2.5 C2 / C10 -
CMF02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF02 (TE12L, Q, M) -
RFQ
ECAD 3945 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOD-128 CMF02 Standard M-flat (2.4x3.8) - Rohs conforme 1 (illimité) CMF02 (TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 2 V @ 1 A 50 µA à 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
CMG03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG03 (TE12L, Q, M) -
RFQ
ECAD 2511 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOD-128 CMG03 Standard M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) CMG03 (TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
CMG07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG07 (TE12L, Q, M) -
RFQ
ECAD 8148 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOD-128 CMG07 Standard M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) CMG07 (TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 100 ns - 1A -
CMH02A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH02A (TE12L, Q, M) -
RFQ
ECAD 2840 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOD-128 CMH02A Standard M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) CMH02A (TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,8 V @ 3 A 100 ns 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
CMH08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH08 (TE12L, Q, M) -
RFQ
ECAD 9412 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOD-128 CMH08 Standard M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs conforme CMH08 (TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,3 V @ 2 A 100 ns 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 (TE12L, Q, M) 0,5300
RFQ
ECAD 4497 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 CMS09 Schottky M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 450 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A 70pf @ 10v, 1MHz
CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I30A (TE12L, QM 0,5900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 CMS30 Schottky M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 490 MV @ 3 A 100 µA @ 30 V 150 ° C (max) 3A 82pf @ 10v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock