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Diodes (184)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G3S12004B | 6.7200 |  | 3127 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 8.5A (DC) | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G3S06540B | 30.6100 | | 9682 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 60a (DC) | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
 | G5S06505AT | 4.6400 | | 7102 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24.5a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
| G3S17010B | 33.3200 | | 2827 | 0,00000000 | Technologie de Puisse Mondiale-gpt | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | télécharger | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1700 V | 29.5a (DC) | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C |
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