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Diodes (184)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Type de Montage Package / ÉTUI Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f
G5S12008A Global Power Technology-GPT G5S12008A 8.0700
RFQ
 ECAD 5697 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 8 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 24.8a 550pf @ 0v, 1MHz
G5S12040BM Global Power Technology-GPT G5S12040BM 43.4000
RFQ
 ECAD 7005 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab télécharger Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 62A (DC) 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
G5S12020A Global Power Technology-GPT G5S12020A 21.4100
RFQ
 ECAD 2977 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 63,5a 1320pf @ 0v, 1MHz
G3S12002A Global Power Technology-GPT G3S12002A 3.8200
RFQ
 ECAD 3116 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 2 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 7a 136pf @ 0v, 1mhz
G4S06510JT Global Power Technology-GPT G4S06510JT 4.8600
RFQ
 ECAD 8183 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou Onglet isolé à 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220iso télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 31.2a 550pf @ 0v, 1MHz
G5S06502AT Global Power Technology-GPT G5S06502AT 2.4300
RFQ
 ECAD 9761 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,5 V @ 2 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 9.6a 124pf @ 0v, 1MHz
G3S12006B Global Power Technology-GPT G3S12006B 9.7600
RFQ
 ECAD 5148 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 14A (DC) 1,7 V @ 3 A 0 ns 100 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
G3S06505A Global Power Technology-GPT G3S06505A 4.8600
RFQ
 ECAD 3839 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 22.6a 424pf @ 0v, 1MHz
G3S06508B Global Power Technology-GPT G3S06508B 5.1600
RFQ
 ECAD 4452 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 650 V 14A (DC) 1,7 V @ 8 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
G3S06506H Global Power Technology-GPT G3S06506H 4.0700
RFQ
 ECAD 2999 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 EXCHET Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220f télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 6 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 15.4a 424pf @ 0v, 1MHz
G3S12050P Global Power Technology-GPT G3S12050P 44.0600
RFQ
 ECAD 8536 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 150 A 0 ns 100 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 117a 7500pf @ 0v, 1MHz
G4S06508JT Global Power Technology-GPT G4S06508JT 4.6900
RFQ
 ECAD 4853 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou Onglet isolé à 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220iso télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 8 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 23.5A 395pf @ 0v, 1MHz
G5S12010D Global Power Technology-GPT G5S12010D 12.6300
RFQ
 ECAD 2899 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 télécharger Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 30.9a 825pf @ 0v, 1MHz
G3S12030B Global Power Technology-GPT G3S12030B 38.3700
RFQ
 ECAD 1386 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 42A (DC) 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
G4S06515AT Global Power Technology-GPT G4S06515AT 8.3300
RFQ
 ECAD 4598 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 36A 645pf @ 0v, 1mhz
G5S06510DT Global Power Technology-GPT G5S06510DT 5.7300
RFQ
 ECAD 6367 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,5 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 38a 645pf @ 0v, 1mhz
G3S06560B Global Power Technology-GPT G3S06560B 37.5400
RFQ
 ECAD 2593 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 650 V 95A (DC) 1,7 V @ 30 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
G3S12010D Global Power Technology-GPT G3S12010D 11.2500
RFQ
 ECAD 5257 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 33.2a 765pf @ 0v, 1mhz
G3S06502C Global Power Technology-GPT G3S06502C 2.2800
RFQ
 ECAD 6993 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 2 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 9A 123pf @ 0v, 1mhz
G4S6508Z Global Power Technology-GPT G4S6508Z 4.8300
RFQ
 ECAD 4284 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface 8-PowerTDFN Sic (Carbure de Silicium) Schottky 8-DFN (4,9x5,75) télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 8 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 30.5a 395pf @ 0v, 1MHz
G4S06515DT Global Power Technology-GPT G4S06515DT 8.3300
RFQ
 ECAD 2967 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 38a 645pf @ 0v, 1mhz
G3S06520B Global Power Technology-GPT G3S06520B 12.7000
RFQ
 ECAD 5244 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 40a 690pf @ 0v, 1MHz
G3S06530P Global Power Technology-GPT G3S06530P 15.4900
RFQ
 ECAD 3036 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 30 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 95a 2150pf @ 0v, 1MHz
G3S06504B Global Power Technology-GPT G3S06504B 3.0800
RFQ
 ECAD 9334 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 247-3 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247ab télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 650 V 9A (DC) 1,7 V @ 4 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
G5S06506DT Global Power Technology-GPT G5S06506DT 4.8300
RFQ
 ECAD 4519 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 263 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,5 V @ 6 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 24a 395pf @ 0v, 1MHz
G5S06510QT Global Power Technology-GPT G5S06510QT 6.1800
RFQ
 ECAD 2141 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface 4 Powertsfn Sic (Carbure de Silicium) Schottky 4-DFN (8x8) télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,5 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 53a 645pf @ 0v, 1mhz
G3S12010H Global Power Technology-GPT G3S1201H 17.2000
RFQ
 ECAD 4267 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 EXCHET Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220f télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 16.5a 765pf @ 0v, 1mhz
G4S06510QT Global Power Technology-GPT G4S06510QT 6.2000
RFQ
 ECAD 4936 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface 4 Powertsfn Sic (Carbure de Silicium) Schottky 4-DFN (8x8) télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 44.9a 550pf @ 0v, 1MHz
G5S06510AT Global Power Technology-GPT G5S06510AT 6.3000
RFQ
 ECAD 6640 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Par le trou À 220-2 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220AC télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,5 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 36A 645pf @ 0v, 1mhz
G3S12010C Global Power Technology-GPT G3S12010C 10.8200
RFQ
 ECAD 8007 0,00000000 Technologie de Puisse Mondiale-gpt - Ruban de Coupé (CT) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 252 télécharger 1 (illimité) Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 33.2a 765pf @ 0v, 1mhz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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