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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Notes | Taille / dimension | Hauteur - Assis (Max) | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Triir | Tension - alimentation | Fiche de Donnés | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fonction | Type programmable | Courant - alimentation (max) | RÉSONATEUR DE BASE | Stabilité de la Fréquence | Plage de traction absolue (APR) | Répartir la Bande Passante du Spectre | COURANT - ALIMENTATION (DÉSACTIVER) (MAX) | PLAGE DE FRÉQUENCES CARIFIBLE | Stabilité en Fréquence (total) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 501AAA27M0000BAF | - | ![]() | 2619 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 27 MHz | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 2 (1 AN) | 336-2952 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 2,5 mA | Mems | ± 50 ppm | - | - | 2,5 mA | |||||
![]() | 501AAA27M0000DAG | 0,8900 | ![]() | 292 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 27 MHz | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 2 (1 AN) | 336-2957 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 2,5 mA | Mems | ± 50 ppm | - | - | 2,5 mA | |||||
![]() | 501HCA27M0000DAG | 0,9300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 27 MHz | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 2 (1 AN) | 336-2963 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 4,9 m | Mems | ± 20 ppm | - | - | 4,9 m | |||||
![]() | 501EAA48M0000CAF | - | ![]() | 3824 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 48 MHz | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 2 (1 AN) | 336-2972 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 2,5 mA | Mems | ± 50 ppm | - | - | 2,5 mA | |||||
![]() | 501eaa48m0000daf | - | ![]() | 4321 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 48 MHz | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 2 (1 AN) | 336-2974 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 2,5 mA | Mems | ± 50 ppm | - | - | 2,5 mA | |||||
![]() | 501eaa48m0000dag | - | ![]() | 2960 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 48 MHz | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 2 (1 AN) | 336-2975 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 2,5 mA | Mems | ± 50 ppm | - | - | 2,5 mA | |||||
![]() | 501AAA50M0000CAG | - | ![]() | 5822 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 50 MHz | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 2 (1 AN) | 336-2979 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 2,5 mA | Mems | ± 50 ppm | - | - | 2,5 mA | |||||
![]() | 501baa50m0000baf | - | ![]() | 8765 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 50 MHz | LVCMOS | 3,3 V | - | 2 (1 AN) | 336-2982 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 2,5 mA | Mems | ± 50 ppm | - | - | 2,5 mA | |||||
![]() | 501baa50m0000caf | - | ![]() | 8669 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 50 MHz | LVCMOS | 3,3 V | - | 2 (1 AN) | 336-2984 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 2,5 mA | Mems | ± 50 ppm | - | - | 2,5 mA | |||||
![]() | 501ACA100M000BAF | - | ![]() | 6247 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 100 MHz | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 2 (1 AN) | 336-2988 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 6,5 Ma | Mems | ± 20 ppm | - | - | 2,5 mA | |||||
![]() | 501ACA100M000CAG | - | ![]() | 5987 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 100 MHz | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 2 (1 AN) | 336-2991 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 6,5 Ma | Mems | ± 20 ppm | - | - | 2,5 mA | |||||
![]() | 501ACA100M000DAG | - | ![]() | 1173 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 100 MHz | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 2 (1 AN) | 336-2993 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 6,5 Ma | Mems | ± 20 ppm | - | - | 2,5 mA | |||||
![]() | 501JCA100M000CAF | - | ![]() | 2497 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI501 | Bande | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 100 MHz | LVCMOS | 3,3 V | - | 2 (1 AN) | 336-2996 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Acteur / décor | 8,9 m | Mems | ± 20 ppm | - | - | 4,9 m | |||||
![]() | SI50122-A2-GMR | - | ![]() | 2412 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI50122-A2 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 10-VFDFN | CMEMS® | 100 MHz | HCSL, LVCMOS | 2,25 V ~ 3,63 V | télécharger | 2 (1 AN) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 500 | - | 23m | Mems | + 100 ppm | - | - | - | ||||||
![]() | SI50122-A4-GMR | - | ![]() | 9039 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI50122-A4 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 10-VFDFN | CMEMS® | 100 MHz | HCSL, LVCMOS | 2,25 V ~ 3,63 V | - | 2 (1 AN) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 500 | - | 23m | Mems | + 100 ppm | - | - | - | ||||||
![]() | SI50122-A1-GM | - | ![]() | 1177 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI50122-A1 | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 10-VFDFN | CMEMS® | 100 MHz | HCSL, LVCMOS | 2,25 V ~ 3,63 V | télécharger | 2 (1 AN) | 336-3069 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 23m | Mems | + 100 ppm | - | - | - | |||||
![]() | SI50122-A5-GM | - | ![]() | 4680 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI50122-A5 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 10-VFDFN | CMEMS® | 100 MHz | HCSL, LVCMOS | 2,25 V ~ 3,63 V | télécharger | 2 (1 AN) | 336-3073 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 23m | Mems | + 100 ppm | - | - | - | |||||
![]() | SI50122-A6-GM | - | ![]() | 3165 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | SI50122-A6 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 10-VFDFN | CMEMS® | 100 MHz | HCSL, LVCMOS | 2,25 V ~ 3,63 V | télécharger | 2 (1 AN) | 336-3074 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 23m | Mems | + 100 ppm | - | - | - | |||||
![]() | 501pah-abaf | - | ![]() | 8266 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI501 | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 501pah | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 8,9 m | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100 MHz | ± 50 ppm | ||||
![]() | 501mab-adaf | - | ![]() | 1718 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI501 | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 501mab | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 8,9 m | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100 MHz | ± 50 ppm | ||||
![]() | 501bbg-abag | - | ![]() | 1841 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI501 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 501bbg | LVCMOS | 3,3 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 6,5 Ma | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100 MHz | ± 30 ppm | ||||
![]() | 502hae-acaf | - | ![]() | 9686 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI502 | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 502hae | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 8,9 m | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100 MHz | ± 50 ppm | ||||
![]() | 501dbc-adaf | - | ![]() | 6947 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI501 | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 501 DBC | LVCMOS | 1,8 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 6,5 Ma | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100 MHz | ± 30 ppm | ||||
![]() | 504ACA-ABAF | - | ![]() | 8255 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI504 | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 504ACA | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 6,5 Ma | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 80 MHz | ± 20 ppm | ||||
![]() | 502gac-abaf | - | ![]() | 9947 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI502 | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 502gac | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 6,5 Ma | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100 MHz | ± 50 ppm | ||||
![]() | 501HCM-ADAG | - | ![]() | 8108 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI501 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 501hcm | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 8,9 m | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100 MHz | ± 20 ppm | ||||
![]() | 501jak-acaf | - | ![]() | 6524 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI501 | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 501jak | LVCMOS | 3,3 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 8,9 m | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100 MHz | ± 50 ppm | ||||
![]() | 503KAA-ADAF | - | ![]() | 2256 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI503 | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 503kaa | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 8,9 m | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100 MHz | ± 50 ppm | ||||
![]() | 502gaf-abaf | - | ![]() | 4121 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI502 | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 502gaf | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 6,5 Ma | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100 MHz | ± 50 ppm | ||||
![]() | 502pcc-abaf | - | ![]() | 9761 | 0,00000000 | Laboratoires en silicium | CMEMS® SI502 | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) | 0,035 "(0,90 mm) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | CMEMS® | 502pcc | LVCMOS | 1,7 V ~ 3,6 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Acteur / décor | Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) | 8,9 m | Mems | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100 MHz | ± 20 ppm |
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