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Cristaux, oscilleurs, résonants (5864)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Notes Taille / dimension Hauteur - Assis (Max) Type de montage Package / ÉTUI Fuseau Fréquence Triir Tension - alimentation Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fonction Courant - alimentation (max) RÉSONATEUR DE BASE Stabilité de la Fréquence Plage de traction absolue (APR) Répartir la Bande Passante du Spectre COURANT - ALIMENTATION (DÉSACTIVER) (MAX)
501BCAM032768CAG Silicon Labs 501BCAM032768CAG -
RFQ
 ECAD 3510 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 32 768 kHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2853 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 20 ppm - - 2,5 mA
501JCAM032768BAF Silicon Labs 501JCAM032768BAF -
RFQ
 ECAD 8053 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 32 768 kHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2856 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 20 ppm - - 4,9 m
501JCAM032768CAF Silicon Labs 501JCAM032768CAF -
RFQ
 ECAD 2176 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 32 768 kHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2858 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 20 ppm - - 4,9 m
501ABA8M00000BAF Silicon Labs 501aba8m00000baf -
RFQ
 ECAD 3048 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 8 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2868 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 30 ppm - - 2,5 mA
501ABA8M00000BAG Silicon Labs 501aba8m00000bag -
RFQ
 ECAD 4482 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 8 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2869 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 30 ppm - - 2,5 mA
501ABA8M00000DAG Silicon Labs 501aba8m00000dag -
RFQ
 ECAD 2014 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 8 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2873 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 30 ppm - - 2,5 mA
501ACA10M0000CAF Silicon Labs 501ACA10M0000CAF -
RFQ
 ECAD 3732 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 10 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2876 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 20 ppm - - 2,5 mA
501JCA10M0000BAG Silicon Labs 501jca10m0000bag -
RFQ
 ECAD 7470 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 10 MHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2881 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 20 ppm - - 4,9 m
501HCA12M0000BAG Silicon Labs 501hca12m0000bag -
RFQ
 ECAD 9653 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 12 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2887 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 20 ppm - - 4,9 m
501BAA16M0000BAG Silicon Labs 501baa16m0000bag -
RFQ
 ECAD 8664 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 16 MHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2899 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 50 ppm - - 2,5 mA
501JCA20M0000BAF Silicon Labs 501JCA20M0000BAF -
RFQ
 ECAD 4846 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 20 MHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2904 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 20 ppm - - 4,9 m
501JCA20M0000BAG Silicon Labs 501jca20m0000bag -
RFQ
 ECAD 4347 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 20 MHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2905 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 20 ppm - - 4,9 m
501JCA20M0000CAF Silicon Labs 501JCA20M0000CAF -
RFQ
 ECAD 9817 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 20 MHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2906 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 20 ppm - - 4,9 m
501JCA20M0000DAG Silicon Labs 501JCA20M0000DAG -
RFQ
 ECAD 7427 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 20 MHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2909 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 20 ppm - - 4,9 m
501AAA24M0000DAF Silicon Labs 501AAA24M0000DAF -
RFQ
 ECAD 1000 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 24 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2914 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 50 ppm - - 2,5 mA
501AAA24M0000DAG Silicon Labs 501AAA24M0000DAG -
RFQ
 ECAD 4716 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 24 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2915 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 50 ppm - - 2,5 mA
501JAA24M0000BAF Silicon Labs 501jaa24m0000baf -
RFQ
 ECAD 2179 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 24 MHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2916 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 50 ppm - - 4,9 m
501JAA24M0000DAG Silicon Labs 501jaa24m0000dag -
RFQ
 ECAD 2476 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 24 MHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2921 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 50 ppm - - 4,9 m
501AAA25M0000BAF Silicon Labs 501AAA25M0000BAF -
RFQ
 ECAD 9575 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 25 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2928 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 50 ppm - - 2,5 mA
501AAA25M0000BAG Silicon Labs 501aaa25m0000bag -
RFQ
 ECAD 7134 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 25 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2929 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 50 ppm - - 2,5 mA
501AAA25M0000CAF Silicon Labs 501AAA25M0000CAF -
RFQ
 ECAD 6134 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 25 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2930 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 50 ppm - - 2,5 mA
501AAA25M0000DAF Silicon Labs 501AAA25M0000DAF -
RFQ
 ECAD 3955 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 25 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2932 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 50 ppm - - 2,5 mA
501JAA25M0000CAG Silicon Labs 501jaa25m0000cag -
RFQ
 ECAD 1995 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 25 MHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2937 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 50 ppm - - 4,9 m
501JAA25M0000DAG Silicon Labs 501jaa25m0000dag -
RFQ
 ECAD 7854 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 25 MHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2939 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 50 ppm - - 4,9 m
501JCA25M0000DAG Silicon Labs 501JCA25M0000DAG -
RFQ
 ECAD 1596 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 25 MHz LVCMOS 3,3 V 2 (1 AN) 336-2945 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 20 ppm - - 4,9 m
501AAA27M0000BAF Silicon Labs 501AAA27M0000BAF -
RFQ
 ECAD 2619 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 27 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2952 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 50 ppm - - 2,5 mA
501AAA27M0000DAG Silicon Labs 501AAA27M0000DAG 0,8900
RFQ
 ECAD 292 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 27 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2957 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 50 ppm - - 2,5 mA
501HCA27M0000DAG Silicon Labs 501HCA27M0000DAG 0,9300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 27 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2963 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 4,9 m Mems ± 20 ppm - - 4,9 m
501EAA48M0000CAF Silicon Labs 501EAA48M0000CAF -
RFQ
 ECAD 3824 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 48 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2972 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 50 ppm - - 2,5 mA
501EAA48M0000DAF Silicon Labs 501eaa48m0000daf -
RFQ
 ECAD 4321 0,00000000 Laboratoires en silicium SI501 Bande Obsolète -20 ° C ~ 70 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance CMEMS® 48 MHz LVCMOS 1,7 V ~ 3,6 V 2 (1 AN) 336-2974 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 2,5 mA Mems ± 50 ppm - - 2,5 mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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