SIC
close

Relais (70)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Caractéristique Numéro de Protuit de Base Style de terminaison Fiche de Donnés Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) ECCN HTSUS Norme de package Matiriaau de Contact Tension de bobine Forulaire de Contact Cote de Contact (Courant) Tension de commutation Type de Bobine Note de joint Isolement de la bobine Doit Faire fonctionner la tension Doit libérer la tension Type de relais Temps de fonctionment Temps de libération RÉSISTANCE À LA BOBINE Courant de Bobinage
30-511-11 TE - Kissling 30-511-11 379.1567
RFQ
 ECAD 9186 0,00000000 Te - s'embrasser 30 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 30-511 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 9 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 500 A - Verrouillage, double bobine - - 9 VDC 7 VDC Mais Général 25 ms 10 ms
29-011-11A TE - Kissling 29-011-11A 177.2050
RFQ
 ECAD 9652 0,00000000 Te - s'embrasser 29 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-011 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 20 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 75 A - Non-verrouillage - - 9 VDC 2 VDC Mais Général 35 ms 15 ms 19 ohms 631,6 Ma
29-313-11 TE - Kissling 29-313-11 162.9433
RFQ
 ECAD 7417 0,00000000 Te - s'embrasser 29 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-313 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 300 A - Non-verrouillage - - 9 VDC 2 VDC Mais Général 40 ms 20 ms 15 ohms 800 mA
31-311-11-I TE - Kissling 31-311-11-I 219.5617
RFQ
 ECAD 6592 0,00000000 Te - s'embrasser 31 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 31-311 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 300 A - Verrouillage, double bobine - - - - Mais Général 150 ms 150 ms
29-511-11A TE - Kissling 29-511-11A 418.2067
RFQ
 ECAD 8722 0,00000000 Te - s'embrasser 29 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-511 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 6 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 500 A - Non-verrouillage - - 9 VDC 2 VDC Mais Général 60 ms 30 ms 9 ohms 1,33 a
30-314-11A TE - Kissling 30-314-11A 215.5783
RFQ
 ECAD 3628 0,00000000 Te - s'embrasser 30 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 30-314 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 300 A - Verrouillage, double bobine - - 9 VDC 7 VDC Mais Général 15 ms 10 ms
30-511-12A TE - Kissling 30-511-12A 452.6822
RFQ
 ECAD 3294 0,00000000 Te - s'embrasser 30 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 30-511 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 9 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 500 A - Verrouillage, double bobine - - 13 VDC 10 VDC Mais Général 25 ms 10 ms
29-313-12 TE - Kissling 29-313-12 162.9433
RFQ
 ECAD 1135 0,00000000 Te - s'embrasser 29 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-313 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 300 A - Non-verrouillage - - 18 VDC 4 VDC Mais Général 40 ms 20 ms 62 ohms 451,6 Ma
30-113-12 TE - Kissling 30-113-12 -
RFQ
 ECAD 2443 0,00000000 Te - s'embrasser 30 En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 30-113 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 20 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 120 A - Verrouillage, double bobine - - 13 VDC 10 VDC Mais Général 15 ms 10 ms
29-311-12 TE - Kissling 29-311-12 174.2100
RFQ
 ECAD 4467 0,00000000 Te - s'embrasser 29 Boîte Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-31 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 1 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 300 A 28vdc - nom Non-verrouillage - - 18 VDC 4 VDC Mais Général 40 ms 20 ms 62 ohms 400 mA
29-011-11 TE - Kissling 29-011-11 205.8900
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Te - s'embrasser 29 Boîte Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-01 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 20 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 75 A - Non-verrouillage - - 9 VDC 2 VDC Mais Général 35 ms 15 ms 19 ohms 631,6 Ma
29-013-12 TE - Kissling 29-013-12 228.3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Te - s'embrasser 29 Boîte Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-01 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 20 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 75 A - Non-verrouillage - - 18 VDC 4 VDC Mais Général 35 ms 15 ms 76 ohms 368,4 ma
29-311-12A TE - Kissling 29-311-12A 234.8700
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Te - s'embrasser 29 Boîte Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-31 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 1 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 300 A 28vdc - nom Non-verrouillage - - 18 VDC 4 VDC Mais Général 40 ms 20 ms 62 ohms 400 mA
29-311-11A TE - Kissling 29-311-11A 266.1400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Te - s'embrasser 29 Boîte Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-31 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 1 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 300 A 12VDC - NOM Non-verrouillage - - 9 VDC 2 VDC Mais Général 40 ms 20 ms 15 ohms 1 a
29-113-12 TE - Kissling 29-113-12 242.1600
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Te - s'embrasser 29 Boîte Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-11 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 20 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 120 A - Non-verrouillage - - 18 VDC 4 VDC Mais Général 35 ms 15 ms 76 ohms 368,4 ma
30-214-12 TE - Kissling 30-214-12 154.7892
RFQ
 ECAD 2427 0,00000000 Te - s'embrasser 30 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 30-214 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 200 A - Verrouillage, double bobine - - 13 VDC 10 VDC Mais Général 15 ms 10 ms
29-311-11 TE - Kissling 29-311-11 160.7783
RFQ
 ECAD 1132 0,00000000 Te - s'embrasser 29 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-311 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 300 A - Non-verrouillage - - 9 VDC 2 VDC Mais Général 40 ms 20 ms 15 ohms 800 mA
29-213-12 TE - Kissling 29-213-12 152.7600
RFQ
 ECAD 7306 0,00000000 Te - s'embrasser 29 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-213 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 200 A - Non-verrouillage - - 18 VDC 4 VDC Mais Général 40 ms 20 ms 62 ohms 451,6 Ma
29-111-11 TE - Kissling 29-111-11 235.8600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Te - s'embrasser 29 Boîte Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-11 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 20 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 120 A - Non-verrouillage - - 9 VDC 2 VDC Mais Général 35 ms 15 ms 20 ohms 600 mA
30-311-11A TE - Kissling 30-311-11A 215.5783
RFQ
 ECAD 2949 0,00000000 Te - s'embrasser 30 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 30-311 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 300 A - Verrouillage, double bobine - - 9 VDC 7 VDC Mais Général 15 ms 10 ms
30-513-12 TE - Kissling 30-513-12 392.9411
RFQ
 ECAD 4316 0,00000000 Te - s'embrasser 30 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 30-513 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 9 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 500 A - Verrouillage, double bobine - - 13 VDC 10 VDC Mais Général 25 ms 10 ms
30-311-11 TE - Kissling 30-311-11 165.7958
RFQ
 ECAD 6858 0,00000000 Te - s'embrasser 30 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 30-311 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 300 A - Verrouillage, double bobine - - 9 VDC 7 VDC Mais Général 15 ms 10 ms
30-511-12 TE - Kissling 30-511-12 379.1567
RFQ
 ECAD 1406 0,00000000 Te - s'embrasser 30 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 30-511 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 9 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 500 A - Verrouillage, double bobine - - 13 VDC 10 VDC Mais Général 25 ms 10 ms
29-511-11 TE - Kissling 29-511-11 369.3011
RFQ
 ECAD 1753 0,00000000 Te - s'embrasser 29 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-511 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 9 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 500 A - Non-verrouillage - - 9 VDC 2 VDC Mais Général 60 ms 30 ms 9 ohms 1,33 a
29-121-11 TE - Kissling 29-121-11 153.6858
RFQ
 ECAD 2587 0,00000000 Te - s'embrasser 29 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-121 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPDT (1 FORME C) 120 A - Non-verrouillage - - 9 VDC 2 VDC Mais Général 35 ms 15 ms 20 ohms 600 mA
31-311-11-E TE - Kissling 31-311-11-E 239.0783
RFQ
 ECAD 6869 0,00000000 Te - s'embrasser 31 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 31-311 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 300 A - Verrouillage, double bobine - - - - Mais Général 500 ms 100 ms
30-221-12 TE - Kissling 30-221-12 228.1213
RFQ
 ECAD 6054 0,00000000 Te - s'embrasser 30 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 30-221 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 15 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPDT (1 FORME C) 200 A - Verrouillage, double bobine Scellé - Entièment - 13 VDC 10 VDC Mais Général 30 ms 35 ms
30-211-12A TE - Kissling 30-211-12A 219.9883
RFQ
 ECAD 9911 0,00000000 Te - s'embrasser 30 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 30-211 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8536.41.0050 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 28vdc SPST-No (DM) (1 forme x) 200 A - Verrouillage, double bobine - - 13 VDC 10 VDC Mais Général 15 ms 10 ms
29-013-11 TE - Kissling 29-013-11 131.4375
RFQ
 ECAD 6532 0,00000000 Te - s'embrasser 29 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-013 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 20 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 75 A - Non-verrouillage - - 9 VDC 2 VDC Mais Général 35 ms 15 ms 19 ohms 631,6 Ma
29-213-11 TE - Kissling 29-213-11 152.7600
RFQ
 ECAD 3581 0,00000000 Te - s'embrasser 29 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Soutenir de châssis Diode 29-213 Borné de vis télécharger Non applicable EAR99 8505.90.7501 12 Oxyde d'Étain Argent (Agsno) 12VDC SPST-No (DM) (1 forme x) 200 A - Non-verrouillage - - 9 VDC 2 VDC Mais Général 40 ms 20 ms 15 ohms 800 mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

Liste RFQ (0 éléments)
Liste des paniers (0 articles)
WishlistWishList (0 éléments)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

Comparez la liste (0 éléments)
Appuyez sur Entrée pour rechercher ou ESC pour fermer