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Cobs, moteurs, modules, bandes (2790)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Taille / dimension | Fuseau | Caractéristique | Numéro de Protuit de Base | Couleur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Courant - Max | Longueur d'Onde | Hauteur | Tension - Forme (VF) (TYP) | Current - Test | Angle de vision | CCT (K) | FLUX LUMINEUX @ COURANT / TEMPÉRATURE | Température - testeur | Lumens / Watt @ Current - Test | CRI (Index de Rendu des Couleurs) | Surface d'Émission de Lumière (Les) | Tapez d'objectif |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sphwhahdnb27yzw3d4 | 2.4100 |  | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN4 | En gros | Actif | 13,50 mm L x 13,50 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnb27 | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | 1510-sphwhahdnb27yzw3d4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Carré | 460mA | - | 1,65 mm | 33,6v | 180mA | 115 ° | Ellipse Macadam 2700k en 3 étapes | 822LM (TYP) | 85 ° C | 136 LM / W | 90 | 9,80 mm de dia | Plaquer | |
| Sphwhahdnb25yzp3d4 | 2.4100 | | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN4 | En gros | Actif | 13,50 mm L x 13,50 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnb25 | Blanc, cool | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | 1510-sphwhahdnb25yzp3d4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Carré | 460mA | - | 1,65 mm | 33,6v | 180mA | 115 ° | 6500k ellipse macadam en 3 étapes | 1071LM (TYP) | 85 ° C | 177 lm / w | 80 | 9,80 mm de dia | Plaquer | |
| Sphwhahdna25yzw3d4 | 1.6400 | | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN4 | En gros | Actif | 13,50 mm L x 13,50 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdna25 | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | 1510-SPHWHAHDNA25YZW3D4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Carré | 230m | - | 1,65 mm | 33,6v | 90mA | 115 ° | Ellipse Macadam 2700k en 3 étapes | 498LM (TYP) | 85 ° C | 165 lm / w | 80 | 9,80 mm de dia | Plaquer | |
| Sphwhahdnb27yzv3d4 | 2.4100 | | 490 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN4 | En gros | Actif | 13,50 mm L x 13,50 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnb27 | Blanc, Chaud | - | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | 1510-sphwhahdnb27yzv3d4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Carré | 460mA | - | 1,65 mm | 33,6v | 180mA | 115 ° | Ellipse Macadam en 3000k en 3 étapes | 886LM (TYP) | 85 ° C | 146 LM / W | 90 | 9,80 mm de dia | Plaquer | |
| Sphwhahdnb27yzt3d4 | 2.4100 | | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN4 | En gros | Actif | 13,50 mm L x 13,50 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnb27 | Blanc, neutre | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | 1510-sphwhahdnb27yzt3d4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Carré | 460mA | - | 1,65 mm | 33,6v | 180mA | 115 ° | Ellipse Macadam 4000k en 3 étapes | 933lm (type) | 85 ° C | 154 lm / w | 90 | 9,80 mm de dia | Plaquer | |
| SPHWHAHDNB25YZQ3D4 | 2.4100 | | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN4 | En gros | Actif | 13,50 mm L x 13,50 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnb25 | Blanc, cool | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | 1510-SPHWHAHDNB25YZQ3D4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Carré | 460mA | - | 1,65 mm | 33,6v | 180mA | 115 ° | 5700k ellipse macadam en 3 étapes | 1081LM (TYP) | 85 ° C | 179 LM / W | 80 | 9,80 mm de dia | Plaquer | |
| Sphwhahdnc25yzv3d4 | 3.3200 | | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN4 | En gros | Actif | 13,50 mm L x 13,50 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | 1510-SPHWHAHDNC25YZV3D4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Carré | 690mA | - | 1,65 mm | 33,6v | 270mA | 115 ° | Ellipse Macadam en 3000k en 3 étapes | 1536lm (type) | 85 ° C | 169 LM / W | 80 | 9,80 mm de dia | Plaquer | |
| Sphwhahdnc27yzt3d4 | 3.3200 | | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN4 | En gros | Actif | 13,50 mm L x 13,50 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnc27 | Blanc, neutre | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | 1510-SPHWHAHDNC27YZT3D4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Carré | 690mA | - | 1,65 mm | 33,6v | 270mA | 115 ° | Ellipse Macadam 4000k en 3 étapes | 1399lm (type) | 85 ° C | 154 lm / w | 90 | 9,80 mm de dia | Plaquer | |
| SPHWHAHDNG25YZW3D4 | 7.2800 | | 250 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN4 | En gros | Actif | 19,00 mm L x 19,00 mm W | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdng25 | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | 1510-SPHWHAHDNG25YZW3D4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Carré | 1.84A | - | 1,70 mm | 33,6v | 720mA | 115 ° | Ellipse Macadam 2700k en 3 étapes | 3902LM (TYP) | 85 ° C | 161 LM / W | 80 | 14,50 mm de diamètre | Plaquer | |
| Sphwhahdne27yzr3d4 | 4.8900 | | 250 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN4 | En gros | Actif | 19,00 mm L x 19,00 mm W | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdne27 | Blanc, cool | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | 1510-SPHWHAHDNE27YZR3D4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Carré | 1.15A | - | 1,70 mm | 33,6v | 450mA | 115 ° | Ellipse Macadam 5000k en 3 étapes | 2382lm (type) | 85 ° C | 158 lm / w | 90 | 14,50 mm de diamètre | Plaquer | |
 | Si-b9v311b20us | - | | 4963 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | * | Plateau | Obsolète | Si-b9 | - | Rohs3 conforme | 1510-SI-B9V311B20US | EAR99 | 8541.41.0000 | 80 | |||||||||||||||||||||
| Si-b9w311b20us | - | | 8544 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | * | Plateau | Obsolète | Si-b9 | - | Rohs3 conforme | 1510-SI-B9W311B20US | EAR99 | 8541.41.0000 | 80 | |||||||||||||||||||||
| SI-B9R243B20WW | 7.0829 | | 9238 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | V Gen3 | Plateau | Actif | 1120,00 mm L x 18,00 mm L | LED du module | - | Si-b9 | Blanc, cool | télécharger | Rohs3 conforme | 1510-SI-B9R243B20WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 110 | Bande lumineuse linéaire | 1.8a | - | 3,70 mm | 44,4 V | 530m | 118 ° | 5000K | 3850lm (3540lm ~ 4230lm) | 50 ° C | 164 LM / W | 90 | - | Plaquer | |||
| SI-B9U311C00US | - | | 6133 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | * | Plateau | Obsolète | Si-b9 | - | Rohs3 conforme | 1510-SI-B9U311C00US | EAR99 | 8541.41.0000 | 80 | |||||||||||||||||||||
| Si-b9v243b20ww | 7.0829 | | 3464 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | V Gen3 | Plateau | Actif | 1120,00 mm L x 18,00 mm L | LED du module | - | Si-b9 | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs3 conforme | 1510-si-b9v243b20ww | EAR99 | 8541.41.0000 | 110 | Bande lumineuse linéaire | 1.8a | - | 3,70 mm | 44,4 V | 530m | 118 ° | 3000K | 3560lm (3260lm ~ 3910lm) | 50 ° C | 151 LM / W | 90 | - | Plaquer | |||
| SI-B9V311C00US | - | | 2425 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | * | Plateau | Obsolète | Si-b9 | - | Rohs3 conforme | 1510-SI-B9V311C00US | EAR99 | 8541.41.0000 | 80 | |||||||||||||||||||||
| SI-B9R311B20US | - | | 9780 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | * | Plateau | Obsolète | Si-b9 | - | Rohs3 conforme | 1510-SI-B9R311B20US | EAR99 | 8541.41.0000 | 80 | |||||||||||||||||||||
| Sphwhahdnl271zw3dc | 11.8900 | | 160 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC060D | Plateau | Actif | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhah | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | 1510-SPHWHAHDNL271ZW3DC | 160 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 52v | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 2700k en 3 étapes | 6959LM (TYP) | 85 ° C | 124 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||||
| SPHWHAHDNK27YZW3DC | 8.4500 | | 160 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC040D | Plateau | Actif | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhah | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | 1510-SPHWHAHDNK27YZW3DC | 160 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 34,6 V | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 2700k en 3 étapes | 4755lm (typ) | 85 ° C | 127 lm / w | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||||
| Sphwhahdnl271zw3db | 8.9200 | | 160 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Actif | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhah | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | 1510-SPHWHAHDNL271ZW3DB | 160 | Carré | 2.16a | - | 1,50 mm | 51.1v | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 2700k en 3 étapes | 6854LM (TYP) | 85 ° C | 124 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||||
| Sphwhahdnm271zu3db | 11.7700 | | 160 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Actif | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhah | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | 1510-SPHWHAHDNM271ZU3DB | 160 | Carré | 3.24a | - | 1,50 mm | 51.1v | 1.62a | 115 ° | 3500k ellipse macadam en 3 étapes | 11004LM (TYP) | 85 ° C | 133 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||||
| Sphwhahdnk27yzu3dc | 8.4500 | | 160 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC040D | Plateau | Actif | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhah | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs3 conforme | 2A (4 Semaines) | 1510-SPHWHAHDNK27YZU3DC | 160 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 34,6 V | 1.08a | 115 ° | 3500k ellipse macadam en 3 étapes | 5152LM (TYP) | 85 ° C | 138 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||||
| Sphwhahdnh25yzr3c2 | 2.4204 | | 8618 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | C-Séririe Gen2 | Plateau | Actif | 19,00 mm L x 19,00 mm W | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnh25 | Blanc, cool | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Carré | 1.38a | - | 1,50 mm | 35V | 900m | 115 ° | Ellipse Macadam 5000k en 3 étapes | 4188LM (TYP) | 85 ° C | 133 LM / W | 80 | 11,50 mm de dia | Plaquer | |||||
| Sphwhahdnl251zv3d2 | 7.5957 | | 8199 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnl251 | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs conforme | 2A (4 Semaines) | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 52v | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam en 3000k en 3 étapes | 8542lm (type) | 85 ° C | 152 lm / w | 80 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | |||
 | Sphwhahdnb27yzr3db | 1.7700 | | 490 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 Plus | Plateau | Actif | 13,50 mm L x 13,50 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnb27 | Blanc, cool | télécharger | Rohs conforme | 2A (4 Semaines) | 1510-sphwhahdnb27yzr3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Carré | 360mA | - | 1,50 mm | 34V | 180mA | 115 ° | Ellipse Macadam 5000k en 3 étapes | 878LM (TYP) | 85 ° C | 143 LM / W | 90 | 9,80 mm de dia | Plaquer | ||
 | Sphwhahdne27yzu3db | 3.1500 | | 2654 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 Plus | Plateau | Actif | 19,00 mm L x 19,00 mm W | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdne27 | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs conforme | 2A (4 Semaines) | 1510-SPHWHAHDNE27YZU3DB | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Carré | 900m | - | 1,50 mm | 34V | 450mA | 115 ° | 3500k ellipse macadam en 3 étapes | 2094LM (TYP) | 85 ° C | 137 LM / W | 90 | 14,50 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnc25yzp3db | 0,9817 | | 6071 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 Plus | Plateau | Actif | 13,50 mm L x 13,50 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanc, cool | télécharger | Rohs conforme | 2A (4 Semaines) | 1510-SPHWHAHDNC25YZP3DB | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Carré | 540mA | - | 1,50 mm | 34V | 270mA | 115 ° | 6500k ellipse macadam en 3 étapes | 1496lm (type) | 85 ° C | 163 LM / W | 80 | 9,80 mm de dia | Plaquer | ||
| Sphwhahdnf25yzu3db | 4.0800 | | 250 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 Plus | Plateau | Actif | 19,00 mm L x 19,00 mm W | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnf25 | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs conforme | 2A (4 Semaines) | 1510-sphwhahdnf25yzu3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Carré | 1.08a | - | 1,50 mm | 34V | 540mA | 115 ° | 3500k ellipse macadam en 3 étapes | 2921LM (TYP) | 85 ° C | 159 lm / w | 80 | 14,50 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnf27yzw3db | 4.0800 | | 245 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 Plus | Plateau | Actif | 19,00 mm L x 19,00 mm W | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnf27 | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs conforme | 2A (4 Semaines) | 1510-sphwhahdnf27yzw3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Carré | 1.08a | - | 1,50 mm | 34V | 540mA | 115 ° | Ellipse Macadam 2700k en 3 étapes | 2301LM (TYP) | 85 ° C | 125 lm / w | 90 | 14,50 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnk25yzw3db | 4.2017 | | 1382 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 Plus | Plateau | Actif | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnk25 | Blanc, Chaud | télécharger | Rohs conforme | 2A (4 Semaines) | 1510-SPHWHAHDNK25YZW3DB | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Carré | 2.16a | - | 1,50 mm | 34V | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 2700k en 3 étapes | 5575LM (TYP) | 85 ° C | 152 lm / w | 80 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer |
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