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| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Taille / dimension | Fuseau | Caractéristique | Numéro de Protuit de Base | Couleur | Fiche de Donnés | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Courant - Max | Longueur d'Onde | Hauteur | Tension - Forme (VF) (TYP) | Current - Test | Angle de vision | CCT (K) | FLUX LUMINEUX @ COURANT / TEMPÉRATURE | Température - testeur | Lumens / Watt @ Current - Test | CRI (Index de Rendu des Couleurs) | Surface d'Émission de Lumière (Les) | Tapez d'objectif |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sphwhahdnk28yzv3d2 | 5.2933 |  | 8306 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Actif | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnk28 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 34,6 V | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam en 3000k en 3 étapes | 3952LM (TYP) | 85 ° C | 106 LM / W | - | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnk28yzw2d2 | 4.4532 | | 3632 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Actif | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnk28 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 34,6 V | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 2700k en 2 étapes | 3760LM (TYP) | 85 ° C | 101 LM / W | - | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnk2vyza2d2 | 4.9309 | | 2353 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Actif | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnk2 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 34,6 V | 1.08a | 115 ° | 3300k ellipse macadam en 2 étapes | 4335lm (type) | 85 ° C | 116 LM / W | - | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnk2vyztvd2 | 5.8613 | | 3910 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Actif | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnk2 | Blanc, neutre | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 34,6 V | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 4000k en 3 étapes | 4768LM (TYP) | 85 ° C | 128 LM / W | - | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnl231zr3d3 | 7.6854 | | 1507 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnl231 | Blanc, cool | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 51v | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 5000k en 3 étapes | 9870LM (TYP) | 85 ° C | 179 LM / W | 70 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnl251zq3d3 | 7.8376 | | 1228 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnl251 | Blanc, cool | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 51v | 1.08a | 115 ° | 5700k ellipse macadam en 3 étapes | 9330LM (TYP) | 85 ° C | 169 LM / W | 80 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnl251zt2d3 | 6.9310 | | 8118 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnl251 | Blanc, neutre | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 51v | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 4000k en 2 étapes | 9253LM (TYP) | 85 ° C | 168 LM / W | 80 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnl271zr3d2 | 7.5957 | | 4144 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnl271 | Blanc, cool | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 52v | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 5000k en 3 étapes | 7793LM (TYP) | 85 ° C | 139 lm / w | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnl271zr3d3 | 7.8376 | | 8702 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnl271 | Blanc, cool | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 51v | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 5000k en 3 étapes | 8002LM (TYP) | 85 ° C | 145 lm / w | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnl271zt2d2 | 6.3902 | | 6019 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnl271 | Blanc, neutre | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 52v | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 4000k en 2 étapes | 7706LM (TYP) | 85 ° C | 137 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnl271zt2d3 | 6.9310 | | 3117 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnl271 | Blanc, neutre | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 51v | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 4000k en 2 étapes | 7934LM (TYP) | 85 ° C | 144 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnl271zt3d2 | 7.5957 | | 7688 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnl271 | Blanc, neutre | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 52v | 1.08a | 115 ° | Ellipse Macadam 4000k en 3 étapes | 7706LM (TYP) | 85 ° C | 137 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnl271zu2d3 | 6.7964 | | 5177 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnl271 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 2.76A | - | 1,50 mm | 51v | 1.08a | 115 ° | 3500k ellipse macadam en 2 étapes | 7774LM (TYP) | 85 ° C | 141 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
 | Sphwhahdnm231zt3d3 | 17.8000 | | 291 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm231 | Blanc, neutre | télécharger | 2A (4 Semaines) | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 50v | 1.62a | 115 ° | Ellipse Macadam 4000k en 3 étapes | 14376LM (TYP) | 85 ° C | 177 lm / w | 70 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | |
| Sphwhahdnm231zv3d3 | 17.8000 | | 320 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm231 | Blanc, Chaud | télécharger | 2A (4 Semaines) | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 50v | 1.62a | 115 ° | Ellipse Macadam en 3000k en 3 étapes | 14115lm (typ) | 85 ° C | 174 LM / W | 70 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | |
| Sphwhahdnm251zr3d3 | 11.2793 | | 9588 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm251 | Blanc, cool | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 50v | 1.62a | 115 ° | Ellipse Macadam 5000k en 3 étapes | 13836lm (typ) | 85 ° C | 171 LM / W | 80 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnm251zu2d3 | 9.9748 | | 7229 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm251 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 50v | 1.62a | 115 ° | 3500k ellipse macadam en 2 étapes | 13452lm (type) | 85 ° C | 166 LM / W | 80 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| SPHWHAHDNM251ZU3D3 | 11.0603 | | 4379 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm251 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 50v | 1.62a | 115 ° | 3500k ellipse macadam en 3 étapes | 13452lm (type) | 85 ° C | 166 LM / W | 80 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnm251zv2d3 | 9.9748 | | 6901 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm251 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 50v | 1.62a | 115 ° | Ellipse Macadam 3000k en 2 étapes | 13069LM (TYP) | 85 ° C | 161 LM / W | 80 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnm271zu2d3 | 9.9748 | | 5055 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm271 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 50v | 1.62a | 115 ° | 3500k ellipse macadam en 2 étapes | 11529LM (TYP) | 85 ° C | 142 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnm271zu3d2 | 9.9642 | | 8916 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm271 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 52v | 1.62a | 115 ° | 3500k ellipse macadam en 3 étapes | 11004LM (TYP) | 85 ° C | 131 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnm271zv2d2 | 8.8119 | | 1253 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm271 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 52v | 1.62a | 115 ° | Ellipse Macadam 3000k en 2 étapes | 10731LM (TYP) | 85 ° C | 127 lm / w | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnm271zv2d3 | 9.7811 | | 3216 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm271 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 50v | 1.62a | 115 ° | Ellipse Macadam 3000k en 2 étapes | 11195LM (TYP) | 85 ° C | 138 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnm271zv3d2 | 9.9642 | | 5505 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN2 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm271 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 52v | 1.62a | 115 ° | Ellipse Macadam en 3000k en 3 étapes | 10731LM (TYP) | 85 ° C | 127 lm / w | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| Sphwhahdnm271zv3d3 | 11.0603 | | 2180 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D GEN3 | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 28,00 mm L x 28,00 mm L | Chip à Bord (COB) | - | Sphwhahdnm271 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Carré | 4.14A | - | 1,50 mm | 50v | 1.62a | 115 ° | Ellipse Macadam en 3000k en 3 étapes | 11195LM (TYP) | 85 ° C | 138 LM / W | 90 | 22,00 mm de diamètre | Plaquer | ||
| SL-B8U2N70LAWW | 9.5527 | | 6248 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | H afflux | Plateau | Actif | 281,00 mm L x 41,00 mm L | LED du module | - | SL-B8U2 | Blanc, Chaud | télécharger | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Bande lumineuse linéaire | 1.6a | - | 5,20 mm | 22.3V | 1A | 118 ° | 3500k | 4060LM (TYP) | 55 ° C | 182 LM / W | 80 | - | Plaquer | ||
 | SL-B8V1N60LAWW | - | | 5718 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | H afflux | Plateau | Actif | 280,00 mm L x 24,00 mm L | LED du module | - | SL-B8V1 | Blanc, Chaud | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.41.0000 | 256 | Bande lumineuse linéaire | 2.2a | - | 5,20 mm | 11.2v | 1.43a | 118 ° | 3000K | 2820lm (typ) | 55 ° C | 176 LM / W | 80 | - | Plaquer | |
 | SL-B8V2N70LAWW | 16.4200 | | 625 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | H afflux | Plateau | Actif | 281,00 mm L x 41,00 mm L | LED du module | - | SL-B8V2 | Blanc, Chaud | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Bande lumineuse linéaire | 1.6a | - | 5,20 mm | 22.3V | 1A | 118 ° | 3000K | 3960LM (TYP) | 55 ° C | 178 LM / W | 80 | - | Plaquer | |
 | SL-B8V4N90LAWW | - | | 6968 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | H afflux | Plateau | Actif | 560,00 mm L x 41,00 mm L | LED du module | - | SL-B8V4 | Blanc, Chaud | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 120 | Bande lumineuse linéaire | 1.6a | - | 5,20 mm | 44,6 V | 1A | 118 ° | 3000K | 7910LM (TYP) | 55 ° C | 178 LM / W | 80 | - | Plaquer | |
| SL-P7T2W52MBGL | - | | 7730 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Gen2 de Type T | Plateau | Actif | - | LED du module | Ip66 | SL-P7T2 | Blanc, neutre | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 12 | Rectangle | 1A | - | - | 30V | 700mA | - | 4000K | - | 58 ° C | - | 76 (typ) | - | Plaquer |
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