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Cartes Mémoire, modules (1151)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Taille / dimension	Fuseau	Technologie	Poids	Tension - alimentation	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Facteur de Forme	Vive - lire	Vigne - Écrire	Courant - Max
Af1t92stja-8bdix	-	RFQ	5533	ATP Electronics, Inc.	N600	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm	Nvme		-	3,3 V	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1282-AF1T92STJA-8BDIX	OBSOLÈTE		1		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (TLC)	1,92 à	Module M.2	3,42 go / s	3,05 Go / s	-
AF480GSTJA-8BAXP	-	RFQ	9326	ATP Electronics, Inc.	N600	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm	Nvme		-	3,3 V	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1282-AF480GSTJA-8BAXP	OBSOLÈTE		1		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (TLC)	480 GO	Module M.2	3,42 go / s	3,05 Go / s	-
AF1T92STJA-8BDIP	-	RFQ	3683	ATP Electronics, Inc.	N600	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm	Nvme		-	3,3 V	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1282-AF1T92STJA-8BDIP	OBSOLÈTE		1		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (TLC)	1,92 à	Module M.2	3,42 go / s	3,05 Go / s	-
Af1t92stja-8bcxp	-	RFQ	4289	ATP Electronics, Inc.	N600	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm	Nvme		-	3,3 V	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1282-AF1T92STJA-8BCXP	OBSOLÈTE		1		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (TLC)	1,92 à	Module M.2	3,42 go / s	3,05 Go / s	-
Af960gstja-8beip	377.8300	RFQ	19	ATP Electronics, Inc.	M.2 NVME	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	-	Nvme		-	-	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1282-AF960GSTJA-8BEIP	3A991B1A	8523.51.0000	30		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (TLC)	960 GO	Module M.2	-	-	-
Af16gud3a-waaix	46.8800	RFQ	5	ATP Electronics, Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C			AMLC			télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	1282-AF16gud3a-Waaix	3A991B1A	8523.51.0000	120	CLASSE 10, UHS CLASSE 1	microSDHC ™	16 GB
AF256GSTHI-SP1	95.7700	RFQ	45	ATP Electronics, Inc.	*	Plateau	Actif							-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8471.70.6000	500
AF32GUD4A-MRN001	70.2400	RFQ	50	ATP Electronics, Inc.	-	Plateau	Actif							télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	1282-AF32GUD4A-MRN001	EAR99	8523.51.0000	10
AF960GSTIC-7BCIP	347.8200	RFQ	5	ATP Electronics, Inc.	A650SI / A650SC	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 3,35 mm	-		-	3,3 V	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	1282-AF960GSTIC-7BCIP			30		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (TLC)	960 GO	Module M.2	560 mo / s	440 mo / s	-
Af160gsajb-dbaix	208.3365	RFQ	2108	ATP Electronics, Inc.	M.2 NVME	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	30,00 mm x 22,00 mm x 2,50 mm	Nvme		-	3,3 V	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	1282-AF160GSAJB-DBAIX	3A991B1A	8523.51.0000	60		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (PSLC)	160 GO	Module M.2	2,0 Go / s	1,6 Go / s	-
Af960gstjc-dbbxx	159.7800	RFQ	8	ATP Electronics, Inc.	N600VC	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C	42,00 mm x 22,00 mm x 3,60 mm	Nvme		-	-	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	1282-AF960GSTJC-DBBXX	3A991B1A	8523.51.0000	50		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (TLC)	960 GO	Module M.2	2,6 Go / s	1,87 go / s	-
Af120gstic-7bdip	118.6080	RFQ	8989	ATP Electronics, Inc.	A600SI	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 3,35 mm	SATA III		-	3,3 V	-			Atteindre non affecté	1282-AF120GSTIC-7BDIP			30		Flash à Solide ÉTAT à l'ÉTAT Solide (SSD) - NAND	120 GO	Module M.2	560 mo / s	460 mo / s	-
AF320GSACJ-7BBIP	395.6300	RFQ	5	ATP Electronics, Inc.	A750pi	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	100,00 mm x 69,90 mm x 9,20 mm	SATA III		-	5V	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	1282-AF320GSACJ-7BBIP		8523.51.0000	8		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (PSLC)	320 Go	2,5 "	560 mo / s	520 mois / s	-
A4C16QD8BVWEMW	227.4600	RFQ	8	ATP Electronics, Inc.	*	Plateau	Actif							télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	1282-A4C16QD8BVWEMW	EAR99	8473.30.1140	50
Af240gstja-8bdxp	165.5833	RFQ	5616	ATP Electronics, Inc.	N650SC	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm	Nvme		-	3,3 V	-			Atteindre non affecté	1282-AF240GSTJA-8BDXP			30		Flash à Solide ÉTAT à l'ÉTAT Solide (SSD) - NAND	240 GO	Module M.2	3,4 Go / s	1,17 Go / s	-
AF256GSD4-BBCXM	82.0730	RFQ	5193	ATP Electronics, Inc.	*	Plateau	Actif							-			Atteindre non affecté	1282-AF256GSD4-BBCXM			32
Af80gsacj-7bbip	201.4300	RFQ	5	ATP Electronics, Inc.	A750pi	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	100,00 mm x 69,90 mm x 9,20 mm	SATA III		-	5V	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	1282-AF80GSACJ-7BBIP		8523.51.0000	8		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (PSLC)	80 Go	2,5 "	560 mo / s	520 mois / s	-
AF120GSTJA-8BDIP	149.2350	RFQ	2561	ATP Electronics, Inc.	N650SI	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm	Nvme		-	3,3 V	-			Atteindre non affecté	1282-AF120GSTJA-8BDIP			30		Flash à Solide ÉTAT à l'ÉTAT Solide (SSD) - NAND	120 GO	Module M.2	1835 Go / S	580 mo / s	-
AF240GSTJA-8BDIX	157.1393	RFQ	1194	ATP Electronics, Inc.	N650SI	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm	Nvme		-	3,3 V	-			Atteindre non affecté	1282-AF240GSTJA-8BDIX			30		Flash à Solide ÉTAT à l'ÉTAT Solide (SSD) - NAND	240 GO	Module M.2	3,4 Go / s	1,17 Go / s	-
Af32gud4-bbcxm	12.5746	RFQ	6656	ATP Electronics, Inc.	-	Plateau	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C			-			-			Atteindre non affecté	1282-AF32GUD4-BBCXM			120	-	microSDHC ™	32 GO
Af480gstja-8bdxp	208.7483	RFQ	6060	ATP Electronics, Inc.	N650SC	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm	Nvme		-	3,3 V	-			Atteindre non affecté	1282-AF480GSTJA-8BDXP			30		Flash à Solide ÉTAT à l'ÉTAT Solide (SSD) - NAND	480 GO	Module M.2	3,42 go / s	2,35 Go / s	-
Af160gsaia-7bbip	249.2300	RFQ	9	ATP Electronics, Inc.	A750pi	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	42,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm	-		-	3,3 V	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	1282-AF160GSAIA-7BBIP			50		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (PSLC)	160 GO	Module M.2	560 mo / s	520 mois / s	-
AF240GSTHI-7BCXP	127.3222	RFQ	1809	ATP Electronics, Inc.	A650SI / A650S	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C	50,80 mm x 29,85 mm x 3,50 mm	-		-	3,3 V	télécharger			Atteindre non affecté	1282-AF240GSTHI-7BCXP			32		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (TLC)	240 GO	msata	560 mo / s	440 mo / s	-
AF480GSTJA-8BDIP	227.8260	RFQ	7566	ATP Electronics, Inc.	N650SI	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 3,50 mm	Nvme		-	3,3 V	-			Atteindre non affecté	1282-AF480GSTJA-8BDIP			30		Flash à Solide ÉTAT à l'ÉTAT Solide (SSD) - NAND	480 GO	Module M.2	3,42 go / s	2,35 Go / s	-
AF120GSTHI-7BDIP	116.8084	RFQ	9739	ATP Electronics, Inc.	A600SI	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	50,80 mm x 29,85 mm x 3,50 mm	SATA III		-	3,3 V	-			Atteindre non affecté	1282-AF120GSTHI-7BDIP			32		Flash à Solide ÉTAT à l'ÉTAT Solide (SSD) - NAND	120 GO	msata	560 mo / s	460 mo / s	-
CF960GSTKA-CBAIX	588.6838	RFQ	1749	ATP Electronics, Inc.	*	Plateau	Actif							-			Atteindre non affecté	1282-CF960GSTKA-CBAIX			24
Af128gstia-2bbxx	38.7100	RFQ	8	ATP Electronics, Inc.	A600VC	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C	80,00 mm x 22,00 mm x 2,20 mm	SATA III		-	-	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	1282-AF128GSTIA-2BBXX	3A991B1A	8523.51.0000	50		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (TLC)	128 GO	Module M.2	560 mo / s	525 mois / s	-
Af40gsajb-dbaxx	69.5348	RFQ	4174	ATP Electronics, Inc.	*	Plateau	Actif							-			Atteindre non affecté	1282-AF40GSAJB-DBAXX			60
AF128GSD4-BBDIM	44.3658	RFQ	1188	ATP Electronics, Inc.	*	Plateau	Actif							-			Atteindre non affecté	1282-AF128GSD4-BBDIM			32
AF480GSTCJ-7BCIP	217.0150	RFQ	1149	ATP Electronics, Inc.	A650SI / A650SC	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	100,00 mm x 69,90 mm x 9,20 mm	SATA III		-	5V	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	1282-AF480GSTCJ-7BCIP	3A991B1A	8523.51.0000	8		Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (TLC)	480 GO	2,5 "	560 mo / s	500 mois / s	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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