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Isolators (2050)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Courant - Sortie Maximale | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) | Tension - alimentation de sortie | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Tlp781f (d4-gr-sd, f | - |  | 2574 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (D4-GR-SDF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP385 (BL, E | 0,5500 | | 6092 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP385 (BLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||
| TLP719 (D4FA1TPS, F) | - | | 4873 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | TLP719 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | Aile de Goéland à 6 sdip | - | 264-TLP719 (D4FA1TPSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 20V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
| TLP627M (D4-LF5, E | 0,9300 | | 3056 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP627 | Dc | 1 | Darlington | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150m | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 1000% @ 1mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP5752H (TP4, E | 1.9500 | | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5752 | Optique de couplage | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 2.5a, 2.5a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 35kV / µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||||
| TLP137 (TPL, F) | - | | 4538 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | TLP137 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 MFSOP, 5 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP137 (TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 8 µs, 8 µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10 µs, 8 µs | 400 mV | |||||||||||||||||||
 | TLP265J (V4, E | 0,8400 | | 125 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP265 | CQC, Cur, Ur, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP265J (V4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 V | 50 mA | 3750 VRM | 600 V | 70 mA | 1MA (TYP) | Non | 500 V / µs (TYP) | 10m | 20 µs | |||||||||||||||||||
| TLP2958F (TP4, F) | - | | 9421 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 3V ~ 20V | 8 mm | télécharger | 264-TLP2958F (TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 15NS, 10NS | 1,55 V | 25m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||||
 | TLP292-4 (E | 1.7900 | | 5139 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP292-4 (E (t | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||
| TLP550 -TP1, F) | - | | 8236 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP550 | - | 1 (illimité) | 264-tlp550-tp1f) tr | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9121A (YSKGBTL, F | - | | 5286 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | En gros | Obsolète | - | 264-TLP9121A (YSKGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292-4 (V4-LA, E | 1.7900 | | 3649 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% à 500 µA | 600% à 500 µA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||||||
| TLP9104 (snd-tpl, f) | - | | 5940 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | En gros | Obsolète | - | 264-TLP9104 (SND-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5705H (D4TP4, E | 1.9900 | | 8441 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 15V ~ 30V | 6-SO | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | - | 37ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 50kV / µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||||||
 | TLP651 (O, F) | - | | 4853 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP651 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | - | Rohs conforme | Non applicable | TLP651 (OF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 15V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 19% @ 16mA | - | 300ns, 500ns | - | |||||||||||||||||||
| Tlp3905 (e | 1 8000 | | 22 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP3905 | Dc | 1 | Photovoltaïque | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 30 µA (TYP) | - | 7v | 1,65 V | 30 mA | 3750 VRM | - | - | 300 µs, 1 ms | - | ||||||||||||||||||||
| Tlp161j (v4dmt7trcf | - | | 8447 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP161 | - | 1 (illimité) | 264-tlp161j (v4dmt7trcftr | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP120 (GB-TPR, F) | - | | 6747 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP120 (GB-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||||
 | TLP525G (TP1, F) | - | | 3696 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 MD (0,300 ", 7,62 mm) | CSA, cul, ul | 1 | Triac | 4 md | télécharger | 264-TLP525G (TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 mA | 2500 VRM | 400 V | 100 mA | 600 µA | Non | 200 V / µs | 10m | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP531 (GR-LF1, F) | - | | 7867 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP531 | - | 1 (illimité) | 264-TLP531 (GR-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tlp385 (gb-tpl, e | 0,5500 | | 6711 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||||||
| TLP759F (D4FA1T4SJF | - | | 3610 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759F (D4FA1T4SJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
| TLP250F (D4-LF4, F) | - | | 8402 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP250F | - | 1 (illimité) | 264-TLP250F (D4-LF4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP620-4 (GB, F) | - | | 8762 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP620 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50m | 2 µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP292 (E | 0,5600 | | 8892 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP292 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP781 (d4-gr, f) | - | | 8794 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4GB-T6, F | - | | 8586 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (D4GB-T6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
| TLP183 (Gr, E | 0,5100 | | 2219 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP183 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP183 (GRE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||
| TLP182 (e | 0,5700 | | 125 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP182 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||||||
| TLP719 (D4-TP, F) | - | | 7485 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | Dc | 1 | Transistor | Aile de Goéland à 6 sdip | - | 264-TLP719 (D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 20V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | 800ns, 800ns (max) | - |
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