SIC
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Isolators (2050)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Nombre de Canaux Type de sortie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max)
TLP781F(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (d4-yh, f) -
RFQ
 ECAD 5200 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4-YHF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (d4-gr, f -
RFQ
 ECAD 1238 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4-GRF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(D4GHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GHT7, F -
RFQ
 ECAD 6227 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4GHT7FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4BLL-F7, F -
RFQ
 ECAD 3316 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4BLL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4-YH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-YH-LF6, F -
RFQ
 ECAD 9575 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (d4-yh-lf6f EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4-GRL,F,W Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4-grl, f, w -
RFQ
 ECAD 7417 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4-Grlfw EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4DLTGRL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4dltgrl, f -
RFQ
 ECAD 4669 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (d4dltgrlf EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4-GR-TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-GR-TC, F -
RFQ
 ECAD 5980 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4-GR-TCF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785(BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BLL-TP6, F -
RFQ
 ECAD 3089 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP785 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (BLL-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GRL-T7, F -
RFQ
 ECAD 8075 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (GRL-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785(BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BLL-LF6, F -
RFQ
 ECAD 2699 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP785 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (BLL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4-BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-BLL, F) -
RFQ
 ECAD 8857 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4-BLLF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(BLL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BLL-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 3705 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (BLL-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4GRH-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4GRH-TP6, F -
RFQ
 ECAD 5325 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (d4grh-tp6ftr EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (Y, F) -
RFQ
 ECAD 2849 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (YF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4-BL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-BL-LF6, F -
RFQ
 ECAD 2876 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4-BL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4-GR-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4-gr-sd, f -
RFQ
 ECAD 2574 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4-GR-SDF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4tels-T6, F -
RFQ
 ECAD 5195 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4Tels-T6ftr EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(DLT-HR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (DLT-HR, F) -
RFQ
 ECAD 9568 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (DLT-HRF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (TP7, F) -
RFQ
 ECAD 4254 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (TP7F) TR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4GR-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GR-LF7, F -
RFQ
 ECAD 8701 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4GR-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(GRL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRL-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 3243 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (GRL-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(D4TELS,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (d4tels, f -
RFQ
 ECAD 6633 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4telsf EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4GRL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4GRL-LF6, F -
RFQ
 ECAD 8041 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (d4grl-lf6f EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(YH-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (YH-LF6, F) -
RFQ
 ECAD 5929 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (YH-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRH, F) -
RFQ
 ECAD 8682 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (GRHF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4FUNBLL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4funbll, f -
RFQ
 ECAD 3703 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (d4funblffff EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BL, F) -
RFQ
 ECAD 2145 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (BLF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BL-LF7, F -
RFQ
 ECAD 7849 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (BL-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-M-TPL, F -
RFQ
 ECAD 8990 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (MAT-M-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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