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Isolators (2050)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP109 (V4-TPL, E | 1.8900 |  | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP109 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 8m | - | 20V | 1,64 V | 20 mA | 3750 VRM | 20% @ 16mA | - | 800ns, 800ns (max) | - | |||||||||||||||
 | TLP385 (GB-TPR, E | 0,5500 | | 1431 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
 | TLP9121A (Toyogtl, F | - | | 7371 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | En gros | Obsolète | - | 264-TLP9121A (Toyogtlf | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP290 (GR-TP, E) | - | | 3608 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP290 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 7µs, 7µs | 300 mV | |||||||||||||||
| TLP2358 (TPR, E) | 1.0200 | | 2139 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2358 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 3V ~ 20V | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 25 mA | - | 15ns, 12ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
 | 4N32 (Cour, F) | - | | 4608 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4N32 | Dc | 1 | Darlington Avec la base | 6 plombs | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100 mA | - | 30V | 1,15 V | 80 mA | 2500 VRM | 500% @ 10mA | - | 5 µs, 100 µs (max) | 1v | ||||||||||||||||
| Tlp351f (lf4, z, f) | - | | 1346 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | Tlp351 | - | 1 (illimité) | 264-TLP351F (LF4ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2704 (D4, E | 1.4400 | | 125 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2704 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4,5 V ~ 30V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP2704 (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 15 mA | - | - | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 400ns, 550ns | ||||||||||||||
 | TLP2761 (D4-TP4, E | - | | 1286 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2761 | AC, DC | 1 | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP2761 (D4-TP4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 10 mA | 15MBD | 3NS, 3NS | 1,5 V | 10m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||
| TLP250 (FanUC-TP, F) | - | | 2740 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP250 | - | 1 (illimité) | 264-TLP250 (FanUC-TPF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5702H (D4, E | 1.7100 | | 2347 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5702 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 10V ~ 30V | 6-SO | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1,65 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 50kV / µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||
| TLP168J (U, C, F) | - | | 2728 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP168 | Ur | 1 | Triac | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 1,4 V | 20 mA | 2500 VRM | 600 V | 70 mA | 600µA (TYP) | Oui | 200 V / µs | 3MA | - | |||||||||||||||
 | TLP265J (T7-TPL, E | 0,8200 | | 37 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP265 | CQC, Cur, Ur | 1 | Triac | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 1,27 V | 50 mA | 3750 VRM | 600 V | 70 mA | 1MA (TYP) | Non | 500 V / µs (TYP) | 7m | 100 µs (max) | |||||||||||||||
 | TLP2116 (TP, F) | - | | 5260 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TLP2116 | Dc | 2 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-so | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 10 mA | 15MBD | 15NS, 15NS | 1,65 V | 20 mA | 2500 VRM | 2/0 | 10kV / µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | TLP781F (BLL-TP7, F) | - | | 2449 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (BLL-TP7F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
 | TLP590B (C, F) | 3.1500 | | 23 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes | TLP590 | Dc | 1 | Photovoltaïque | 6-Dip, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Q3885930 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 12µA | - | 7v | 1,4 V | 50 mA | 2500 VRM | - | - | 200 µs, 1 ms | - | ||||||||||||||
 | TLP131 (F) | - | | 6869 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | TLP131 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 MFSOP, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP131F | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||
 | TLP748J (D4, F) | 1.8600 | | 3983 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP748 | BSI, SEMKO, UR, VDE | 1 | SCR | 6 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 mA | 4000vrms | 600 V | 150 mA | 1 mA | Non | 5V / µs | 10m | 15 µs | |||||||||||||||
| TLP781F (YH-LF7, F) | - | | 4883 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (YH-LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
 | TLP785 (BL, F) | 0,6400 | | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP759 (MBJ-IGM, J, F | - | | 5035 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759 (MBJ-IGMJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 20V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||
 | TLP754 (F) | - | | 8364 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP754 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4,5 V ~ 30V | 8 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP754F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||
| TLP121 (TPL, F) | - | | 9597 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP121 | Dc | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP121 (TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||
| TLP118 (TPR, E) | 0,6165 | | 2619 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP118 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | TLP118 (TPRE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 25 mA | - | 30ns, 30ns | - | 25m | 3750 VRM | 1/0 | 15kV / µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||
| TLP266J (V4-TPL, E | 0,9300 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | TLP | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP266 | 1 | Triac | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 VRM | 600 V | 70 mA | 600µA (TYP) | Oui | 200 V / µs | 10m | 30 µs | ||||||||||||||||
| TLP293 (BLL-TPL, E | 0,5100 | | 3760 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP293 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 200% à 500 µA | 400% à 500 µA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
| TLP291 (Gr, E) | - | | 7147 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP291 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50m | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 7µs, 7µs | 300 mV | |||||||||||||||
| 4N27 (Court-TP1, F) | - | | 6824 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | 4N27 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 mm | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | 4N27 (Court-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 100 mA | 2µs, 2µs | 30V | 1,15 V | 80 mA | 2500 VRM | 20% @ 10mA | - | - | 500 mV | ||||||||||||||
 | TLP716 (TP, F) | - | | 5496 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | TLP716 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 5,5 V | Aile de Goéland à 6 sdip | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | 5A991G | 8541.49.8000 | 1 500 | 10 mA | 15MBD | 15NS, 15NS | 1,65 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 10kV / µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| Tlp385 (d4y-tpr, e | 0,5600 | | 4533 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV |
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