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Isolators (2050)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Courant - Sortie Maximale Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) Tension - alimentation de sortie Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (D4-TP5, E 0,3090
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP627 Dc 1 Darlington 4 md télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 150m 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA - 110 µs, 30 µs 1,2 V
TLP2363(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363 (TPL, E 1.0200
RFQ
 ECAD 6657 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2363 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA 10Mbps 23ns, 7ns 1,5 V 25m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP351H(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp351h (tp1, f) 1.6400
RFQ
 ECAD 1209 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette Tlp351 Optique de couplage CQC, Cur, Ur, VDE 1 8 mm télécharger Rohs conforme Non applicable EAR99 8541.49.8000 1 500 400mA, 400mA 600mA 50ns, 50ns 1,55 V 20 mA 3750 VRM 20kV / µs 700ns, 700ns 500ns 10V ~ 30V
TLP127(KOSD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (KOSD-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 2733 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (KOSD-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP126(FA-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (Fa-TPLS, F) -
RFQ
 ECAD 7277 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP126 - 1 (illimité) 264-TLP126 (FA-TPLSF) TR EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP360J(CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360J (cano) -
RFQ
 ECAD 5866 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP360 CQC, Cul, UL, VDE 1 Triac À 4 plombes - 264-TLP360J (Cano) EAR99 8541.49.8000 1 1,15 V 50 mA 5000vrms 600 V 100 mA 1 mA Non 500 V / µs (TYP) 10m 30 µs
TLP785(D4B-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4B-T6, F -
RFQ
 ECAD 2387 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (D4B-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP352(D4-TP1,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (D4-TP1, S) -
RFQ
 ECAD 7473 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète Tlp352 - 1 (illimité) 264-TLP352 (D4-TP1S) TR EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP292-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (TPR, E 1.7900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP719(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (F) -
RFQ
 ECAD 1578 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP719 Dc 1 Transistor Aile de Goéland à 6 sdip - Rohs conforme 1 (illimité) 5A991G 8541.49.8000 100 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - 800ns, 800ns (max) -
TLP268J(T2-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J (T2-TPL, E 1.1100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP268 CQC, Cur, Ur 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 30 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 200 µA (TYP) Oui 500 V / µs (TYP) 3MA 100 µs
TLP387(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp387 (tpl, e 0,8700
RFQ
 ECAD 6400 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes Tlp387 Dc 1 Darlington 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1v
TLP385(GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (grl, e 0,5500
RFQ
 ECAD 9932 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP385 (GRLE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP620-2(D4GB-T4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4GB-T4, F -
RFQ
 ECAD 7252 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 2 Transistor 8 plombs télécharger 264-TLP620-2 (D4GB-T4F EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2362(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (TPR, E 1.0500
RFQ
 ECAD 8277 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2362 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA 10mbd 30ns, 30ns 1,55 V 25m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 100ns, 100ns
TLP531(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 1240 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP531 - 1 (illimité) 264-TLP531 (BLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP293-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4LGB, E 1.6400
RFQ
 ECAD 9035 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 500µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP716(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716 (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 7993 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP716 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP716 (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10 mA 15MBD 15NS, 15NS 1,65 V 20 mA 5000vrms 1/0 10kV / µs 75ns, 75ns
TLP2098(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2098 (TPL, F) -
RFQ
 ECAD 3000 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes TLP2098 AC, DC 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger Rohs conforme TLP2098 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 15kV / µs 250ns, 250ns
TLP759(IGM-LF5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (IGM-LF5, J, F -
RFQ
 ECAD 9136 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 mm télécharger 264-TLP759 (IGM-LF5JF EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 25% @ 10mA 75% @ 10mA - -
TLP290(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (Gr, SE 0,5100
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TLP290 (GRSE EAR99 8541.49.8000 175 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP781F(YH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (YH-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 4883 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (YH-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP626(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (bv, f) -
RFQ
 ECAD 2360 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 100 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP293-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (GB-TP, E 1,6000
RFQ
 ECAD 4016 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP372(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp372 (lf1, f) -
RFQ
 ECAD 9841 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète Tlp372 - 1 (illimité) 264-TLP372 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5702(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (d4, e -
RFQ
 ECAD 7371 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5702 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 6-SO télécharger 1 (illimité) 264-TLP5702 (D4E EAR99 8541.49.8000 125 50 mA - 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 200ns, 200ns
TLP121(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (Gr, F) -
RFQ
 ECAD 9097 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP121 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP121 (GRF) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP734F(D4-LF4,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-LF4, M, F -
RFQ
 ECAD 1623 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP734 - 1 (illimité) 264-TLP734F (D4-LF4MF EAR99 8541.49.8000 50
TLP331(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp331 (bv-lf2, f) -
RFQ
 ECAD 6523 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète Tlp331 - 1 (illimité) 264-TLP331 (BV-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP388(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp388 (gb-tpl, e 0,8000
RFQ
 ECAD 4334 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes Tlp388 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 350 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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