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Isolators (2050)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Type de canal Courant - Sortie Maximale Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Puisance Isorée Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) Tension - alimentation de sortie Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP626(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (D4-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 6425 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger 264-TLP626 (D4-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP358(D4-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp358 (d4-lf5, f) -
RFQ
 ECAD 9293 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP358 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 8 mm télécharger 264-TLP358 (D4-LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5 A - 17ns, 17ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 500ns, 500ns
TLP718F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F (F) -
RFQ
 ECAD 9089 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP718 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP718F (F) EAR99 8541.49.8000 1 5Mbps - - 3MA 5000vrms 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP9118(SND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (snd-tl, f) -
RFQ
 ECAD 8041 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9118 (SND-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP525G(FUJT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (Fujt, F) -
RFQ
 ECAD 7033 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP525 CSA, cul, ul 1 Triac À 4 plombes télécharger 264-TLP525G (FUJTF) EAR99 8541.49.8000 1 1,15 V 50 mA 2500 VRM 400 V 100 mA 600 µA Non 200 V / µs 10m -
TLP759F(D4MBIMT4JF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4MBIMT4JF -
RFQ
 ECAD 5358 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759F (D4MBIMT4JF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP9121A(OGIGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (Ogigbtl, F -
RFQ
 ECAD 1570 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9121A (Ogigbtlf EAR99 8541.49.8000 1
TLP5222(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5222 (D4, E 7.0100
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5222 Optique de couplage CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 16-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 2.5a 58ns, 57ns 1,67 V 25 mA 5000vrms 25kV / µs 250ns, 250ns 50ns 15V ~ 30V
TLP5212(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5212 (D4, E 5.4900
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5212 Optique de couplage CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 16-SO télécharger EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 2.5a 57ns, 56ns 1,67 V 25 mA 5000vrms 25kV / µs 250ns, 250ns 50ns 15V ~ 30V
TLP5212(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5212 (E 5.4900
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5212 Optique de couplage CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 16-SO télécharger 1 (illimité) 264-TLP5212 (E EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 2.5a 57ns, 56ns 1,67 V 25 mA 5000vrms 25kV / µs 250ns, 250ns 50ns 15V ~ 30V
TLP5212(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5212 (D4-TP, E 5.4900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5212 Optique de couplage CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 16-SO télécharger EAR99 8541.49.8000 1 500 2A, 2A 2.5a 57ns, 56ns 1,67 V 25 mA 5000vrms 25kV / µs 250ns, 250ns 50ns 15V ~ 30V
DCL540L01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540L01 (T, E 6.3000
RFQ
 ECAD 1951 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dcl540x01 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) Mais Général DCL540 Magnétique du couplage 4 2,25 V ~ 5,5 V 16 ans télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 1 500 150 Mbps Unidirectionnel 0,9 ns, 0,9 n 5000vrms Oui 4/0 100kV / µs 18,3ns, 18,3ns 2,8ns
DCL541A01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage Dcl541a01 (t, e 6.3000
RFQ
 ECAD 3395 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dcl541x01 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) Mais Général DCL541 Magnétique du couplage 4 2,25 V ~ 5,5 V 16 ans télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 1 500 150 Mbps Unidirectionnel 0,9 ns, 0,9 n 5000vrms Oui 3/1 100kV / µs 18,3ns, 18,3ns 2,8ns
TLP627-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 5820 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP627 - 1 (illimité) 264-TLP627-4 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 25
DCL540H01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540H01 (T, E 6.3000
RFQ
 ECAD 4016 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dcl540x01 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) Mais Général DCL540 Magnétique du couplage 4 2,25 V ~ 5,5 V 16 ans télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 1 500 150 Mbps Unidirectionnel 0,9 ns, 0,9 n 5000vrms Oui 4/0 100kV / µs 18,3ns, 18,3ns 2,8ns
TLP2710(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (TP4, E 1,6000
RFQ
 ECAD 1480 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2710 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 10 mA 5MBD 11ns, 13ns 1,9 V (max) 8m 5000vrms 1/0 25kV / µs 250ns, 250ns
TLP2719(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (TP, E 1.7500
RFQ
 ECAD 6083 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2719 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 20V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 8 mA 1MBD - 1,6 V 25m 5000vrms 1/0 10kV / µs 800ns, 800ns
TLP2766A(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A (TP4, E 1.6700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2766 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 10 mA 20MBD 5NS, 4NS 1,8 V (max) 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 55ns, 55ns
TLP785(TELS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (Tels, F -
RFQ
 ECAD 7019 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (TELSF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (D4-TP5, E 0,3090
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP627 Dc 1 Darlington 4 md télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 150m 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA - 110 µs, 30 µs 1,2 V
TLP105(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (TPL, F) -
RFQ
 ECAD 3574 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes TLP105 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP105 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP9104(HITJ-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 (HITJ-TL, F) -
RFQ
 ECAD 4935 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9104 (HITJ-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP781F(D4GRT7,F,W Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4grt7, f, w -
RFQ
 ECAD 7022 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (d4grt7fwtr EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP731(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-LF4, F) -
RFQ
 ECAD 9979 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP731 - 1 (illimité) 264-TLP731 (D4-LF4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP131(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 6602 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes TLP131 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 MFSOP, 5 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP131 (TPRF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP160G(T7-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (T7-TPL, U, F -
RFQ
 ECAD 4558 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP160G - 1 (illimité) 264-TLP160G (T7-Tpluftr EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP734F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-Gr, M, F) -
RFQ
 ECAD 3504 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP734 - 1 (illimité) 264-TLP734F (d4-grmf) EAR99 8541.49.8000 50
TLP532(GR-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (GR-TP5, F) -
RFQ
 ECAD 2528 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP532 - 1 (illimité) 264-TLP532 (GR-TP5F) TR EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP781F(D4DLTGRH,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4dltgrh, f -
RFQ
 ECAD 1288 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (d4dltgrhf EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP160G(OMT7-TPR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (OMT7-TPR, F -
RFQ
 ECAD 7938 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP160 - 1 (illimité) 264-TLP160G (OMT7-TPRFTR EAR99 8541.49.8000 3 000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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