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Isolators (2050)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Courant - Sortie Maximale | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) | Tension - alimentation de sortie | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP5214 (D4, E | 7.5600 |  | 3196 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5214 | Optique de couplage | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 3A, 3A | 4A | 32NS, 18NS | 1,7 V (max) | 25 mA | 5000vrms | 35kV / µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
 | TLP250 (F) | - | | 9971 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -20 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP250 | Optique de couplage | Ur | 1 | 8 plombs | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 500mA, 500mA | 1.5a | - | 1,6 V | 20 mA | 2500 VRM | 5kV / µs | 500ns, 500ns | - | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
 | TLP759 (FA1-T1S, J, F | - | | 2446 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759 (FA1-T1SJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
| TLP2312 (V4, E | 1.7100 | | 2802 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2312 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,2V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8 mA | 5Mbps | 2,2ns, 1,6ns | 1,53 V | 8m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||
| TLP127 (Canod-Tpl, F | - | | 6177 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP127 | Dc | 1 | Darlington | 6 MFSOP, 4 Avance | - | 1 (illimité) | 264-TLP127 (Canod-TPLFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 150m | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 VRM | 1000% @ 1mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-BL, F) | - | | 4491 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (D4-BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
| TLP160J (TPL, U, C, F) | - | | 9471 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP160 | - | 1 (illimité) | 264-TLP160J (TPLUCF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP719F (ABB-TP, F) | - | | 4749 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | TLP719 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 sdip | - | 264-TLP719F (ABB-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
| TLP759F (ISIMT4, J, F | - | | 2248 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759F (ISIMT4JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 20V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | TLP5751 (D4-TP, E | 0,9707 | | 4574 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5751 | Optique de couplage | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 1A, 1A | 1A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 35kV / µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
| TLP750 (Elko, F) | - | | 1691 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP750 | - | 1 (illimité) | 264-TLP750 (Elkof) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP627-4 (pp, f) | - | | 9897 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP627 | - | 1 (illimité) | 264-TLP627-4 (PPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2955 (MBD, F) | - | | 4867 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 3V ~ 20V | 8 plombs | télécharger | 264-TLP2955 (MBDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 1,55 V | 25m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4SANGBT7F | - | | 9601 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (D4SANGBT7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP627M (D4, E | 0,9200 | | 6486 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP627 | Dc | 1 | Darlington | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP627M (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150m | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 1000% @ 1mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||
| TLP631 (Y, F) | - | | 6022 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP631 | - | 1 (illimité) | 264-TLP631 (YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP571 (F) | - | | 4067 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP571 | - | 1 (illimité) | 264-TLP571 (F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLPN137 (D4-TP1, F) | 1.5600 | | 9597 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLPN137 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4,5 V ~ 5,5 V | 8 plombs | télécharger | Rohs conforme | Non applicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 50 mA | 10mbd | 12nS, 3NS | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 10kV µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||||
| TLP124 (TPL-PP, F) | - | | 5763 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP124 | Dc | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP124 (TPL-PPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 8 µs, 8 µs | 80V | 1,15 V | 3750 VRM | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10 µs, 8 µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
| TLP161J (T7TR, U, C, F | - | | 8689 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP161 | - | 1 (illimité) | 264-TLP161J (T7Trucftr | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP250 (D4-FA-TP1, F | - | | 7573 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP250 | - | 1 (illimité) | 264-TLP250 (D4-FA-TP1FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP266J (V4, E | 0,9000 | | 3690 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | TLP | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP266 | 1 | Triac | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP266J (V4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 V | 30 mA | 3750 VRM | 600 V | 70 mA | 600µA (TYP) | Oui | 200 V / µs | 10m | 30 µs | ||||||||||||||||||||
| TLP108 (DPW-TPL, F) | - | | 9586 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 20V | 6 MFSOP, 5 Avance | télécharger | 264-TLP108 (DPW-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 VRM | 1/0 | 10kV / µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||||
| TLP3083F (LF4, F | 1.7800 | | 6567 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette, 5 pistes | TLP3083 | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6 mm | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 mA | 5000vrms | 800 V | 100 mA | 600 µA | Oui | 2kV / µs (type) | 5ma | - | |||||||||||||||||||||
| TLP291 (BLL, SE | 0,5900 | | 4295 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP291 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | TLP291 (BLLSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||
 | Tlp331 (bv, f) | - | | 1266 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Tlp331 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50m | 8 µs, 8 µs | 55V | 1,15 V | 50 mA | 5000vrms | 200% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10 µs, 8 µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
| TLP268J (TPR, E | 1.0200 | | 8991 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP268 | CQC, Cur, Ur | 1 | Triac | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 VRM | 600 V | 70 mA | 200 µA (TYP) | Oui | 500 V / µs (TYP) | 3MA | 100 µs | ||||||||||||||||||||
| TLP121 (v4-gr-tpl, f | - | | 1783 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP121 | Dc | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP121 (V4-GR-TPLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||||
| TLP759 (D4IM-F5, J, F | - | | 2025 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759 (D4IM-F5JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
 | TLP293-4 (GB, E | 1.6400 | | 1036 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP293 | Dc | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV |
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