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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
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![]() | CNY17F-3 | 0 4552 | ![]() | 7591 | 0,00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY17F | Dc | 1 | Transistor | 6 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | 6µs, 8µs | 80V | 1,65 V (max) | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 10 µs, 9µs | 300 mV | ||||||||||||||||
![]() | PC815 | - | ![]() | 9676 | 0,00000000 | Microélectronique Tranchante | - | Tube | Obsolète | -30 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Darlington | À 4 plombes | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | 425-1450-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 80m | 60 µs, 53 µs | 35V | 1,2 V | 50 mA | 5000vrms | 600% @ 1mA | 7500% @ 1mA | - | 1V | ||||||||||||||||
![]() | IL410-X017 | 3.7200 | ![]() | 845 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm | IL410 | CSA, UR, VDE | 1 | Triac | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,16 V | 60 mA | 5300 VRM | 600 V | 300 mA | 500 µA | Oui | 10kV / µs | 2MA | 35 µs | |||||||||||||||||
![]() | 6N138V | - | ![]() | 8948 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | 6N138 | Dc | 1 | Darlington Avec la base | 8 plombs | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 60m | - | 7v | 1,3 V | 20 mA | 2500 VRM | 300% @ 1,6mA | - | 1,5 µs, 7µs | - | ||||||||||||||||
![]() | PS2561DL2-1Y-V-F3-LA | - | ![]() | 2506 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | Népoc | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | PS2561 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 559-1353-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50m | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,2 V | 40 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | - | 300 mV | ||||||||||||||
![]() | FOD2742BR2V | 1.8700 | ![]() | 4960 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FOD2742 | Dc | 1 | Transistor | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | - | 70V | 1,2 V | 2500 VRM | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | PS2561L1-1-VQA | - | ![]() | 9562 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | Népoc | Tube | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | PS2561 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 559-1377 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,17 V | 80 mA | 5000vrms | 80% @ 5mA | 400% @ 5mA | - | 300 mV | ||||||||||||||
![]() | MOC3081FVM | - | ![]() | 2965 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | - | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | MOC308 | - | 1 | Triac | 6 mm | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | MOC3081FVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | - | 60 mA | 7500VPK | 800 V | 500 µA (TYP) | Oui | - | 15m | - | ||||||||||||||||
PS2833-1-F3 | - | ![]() | 2850 | 0,00000000 | Celoir | Népoc | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | Dc | 1 | Darlington | 4-SOP | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 500 | 60m | 20 µs, 5 µs | 350 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 VRM | 400% @ 1mA | 4500% @ 1mA | - | 1V | |||||||||||||||||
![]() | HCPL-4701 # 320 | - | ![]() | 2918 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | Dc | 1 | Darlington Avec la base | Aile de Goéland à 8 tremblements | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60m | - | 18V | 1,25 V | 10 mA | 5000vrms | 600% à 500 µA | 8000% à 500 µA | 3µs, 34 µs | - | ||||||||||||||||
![]() | EL817 (S1) (C) (TU) -VG | 0.1313 | ![]() | 3115 | 0,00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | EL817 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 50m | 6µs, 8µs | 80V | 1,2 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
![]() | PVI1050 | - | ![]() | 9186 | 0,00000000 | Infineon Technologies | PVI-NPBF | Tube | Obsolète | - | Par le trou | 8 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 6 pistes | PVI1050 | Dc | 1 | Photovoltaïque | 8 plombs | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 5v, 10v | - | 2500 VRM | - | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | HCNW4506-300E | 4.0500 | ![]() | 8301 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | HCNW4506 | Dc | 1 | Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ | 4,5 V ~ 30V | Aile de Goéland à 8 tremblements | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | 15 mA | - | - | 1,6 V | 25m | 5000vrms | 1/0 | 15kV / µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||
![]() | H11A1S | - | ![]() | 9742 | 0,00000000 | Lite-on Inc. | H11ax | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | H11A | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 mm | télécharger | 1 (illimité) | 160-1325-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 150m | 2,8 µs, 4,5 µs | 30V | 1,2 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 10mA | - | - | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | H11d2w | - | ![]() | 5245 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) | H11d | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | H11d2w-ndr | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 100 mA | - | 300 V | 1,15 V | 80 mA | 5300 VRM | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400 mV | |||||||||||||||
![]() | HCPL-2211-000E | 4.2800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL-2211 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 20V | 8 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 5MBD | 30ns, 7ns | 1,5 V | 10m | 3750 VRM | 1/0 | 5kV / µs, 10kV / µs | 300ns, 300ns | |||||||||||||||
![]() | PC81410NSZ | - | ![]() | 1106 | 0,00000000 | Microélectronique Tranchante | - | Tube | Obsolète | -30 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | AC, DC | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | 425-1444-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50m | 4 µs, 3µs | 80V | 1,2 V | 10 mA | 5000vrms | 50% à 500 µA | 400% à 500 µA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
![]() | FOD2200V | - | ![]() | 7984 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | FOD2200 | Dc | 1 | Trois états | 4,5 V ~ 20V | 8 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 25 mA | 2,5 MBD | 80ns, 25ns | 1,4 V | 10m | 5000vrms | 1/0 | 10kV / µs | 300ns, 300ns | |||||||||||||||
![]() | OCP-PCT4216 / A | - | ![]() | 2406 | 0,00000000 | Lumex Opto / Components Inc. | - | Tube | Actif | -30 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | OCP-PCT4216 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 24 | 50m | 5 µs, 4µs | 60V | 1,2 V | 50 mA | 5000vrms | 60% @ 1MA | 600% @ 1mA | - | 300 mV | |||||||||||||||
![]() | 4N33SD | - | ![]() | 7861 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | 4N33 | Dc | 1 | Darlington Avec la base | 6 mm | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 4N33SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 150m | - | 30V | 1,2 V | 80 mA | 5300 VRM | 500% @ 10mA | - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V | |||||||||||||||
![]() | 4n25fvm | - | ![]() | 7161 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | 4N25 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 mm | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 4n25fvm-ndr | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | - | - | 30V | 1,18 V | 60 mA | 7500VPK | 20% @ 10mA | - | 2µs, 2µs | 500 mV | |||||||||||||||
![]() | ILD620-X007T | 0,9985 | ![]() | 1435 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | ILD620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 50m | 20 µs, 2µs | 70V | 1,15 V | 60 mA | 5300 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 2,3 µs | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | PS2501L-1-HA | - | ![]() | 3232 | 0,00000000 | Celoir | Népoc | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | PS2501 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | PS2501L1HA | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,17 V | 80 mA | 5000vrms | 80% @ 5mA | 160% @ 5mA | - | 300 mV | ||||||||||||||
![]() | PC817XNNSZ1B | - | ![]() | 2553 | 0,00000000 | Technologie Sharp / Socle | - | Tube | Abandonné à sic | -30 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 5 000 | 50m | 4 µs, 3µs | 80V | 1,2 V | 50 mA | - | - | - | - | 200 MV | |||||||||||||||||
![]() | 5962-0822701KYAA | 644.4000 | ![]() | 4093 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | Joint de Bout à 8 mmd | 5962-0822701 | Dc | 1 | Darlington | Joint de Bout à 8 tremblements | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40m | - | 20V | 1,4 V | 10 mA | 1500VDC | 200% @ 5mA | - | 2µs, 6µs | - | |||||||||||||||
![]() | H11d1-x009 | 0,6576 | ![]() | 5243 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | H11 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 100 mA | 2,5 µs, 5,5 µs | 300 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 VRM | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 6µs | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | PS9587-AX | 2.9700 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | Népoc | Tube | Préliminaire | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4,5 V ~ 5,5 V | 8 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 10ns | 1,65 V | 30m | 5000vrms | 1/0 | 15kV / µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
![]() | SFH615A-4X009 | 0,8700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | SFH615 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 4 000 | 50m | 2µs, 2µs | 70V | 1,35 V | 60 mA | 5300 VRM | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3µs, 2,3 µs | 400 mV | |||||||||||||||
![]() | TLP759 (IGM-LF5, J, F | - | ![]() | 9136 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | TLP759 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 mm | télécharger | 264-TLP759 (IGM-LF5JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 25% @ 10mA | 75% @ 10mA | - | - | |||||||||||||||||
![]() | PS2801-4 | - | ![]() | 3569 | 0,00000000 | Celoir | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | Dc | 4 | Transistor | 16-SSOP | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | PS2801-4NEC | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | 50m | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,1 V | 50 mA | 2500 VRM | 80% @ 5mA | 600% @ 5mA | 6µs, 5µs | 300 mV |
Volume de RFQ moyen quotidien
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