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Optoisolators (15749)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Package de Périphérique Fournisseeur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Hwxx58136 | - |  | 2539 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | En gros | Obsolète | Hwxx5 | - | 751-HWXX58136 | OBSOLÈTE | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hwxx38238sb1 | - | | 8361 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | En gros | Obsolète | Hwxx3 | - | 751-HWXX38238SB1 | OBSOLÈTE | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BRT23H-X006 | - | | 1148 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) | BRT23 | cul, ur, vde | 1 | Triac | 6 plombs | - | 751-BRT23H-X006 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 1,16 V | 60 mA | 5300 VRM | 800 V | 300 mA | 500 µA | Oui | 10kV / µs | 2MA | 35 µs | |||||||||||||||||
| Hwxx38238 | - | | 2205 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | En gros | Obsolète | Hwxx3 | - | 751-HWXX38238 | OBSOLÈTE | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VO207AT-LB | - | | 6209 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | VO207AT | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8-SOIC | - | 751-VO207AT-LBTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 50m | 3µs, 2µs | 70V | 1,3 V | 60 mA | 4000vrms | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| ILQ615-4-LB | - | | 1806 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | ILQ615 | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 4 | Transistor | 16 plombs | - | 751-ILQ615-4-LB | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 50m | 2µs, 2µs | 70V | 1,15 V | 60 mA | 5300 VRM | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3µs, 2,3 µs | - | ||||||||||||||||||
 | MOC215-M | 0 2200 | | 1995 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 257 | 150m | 3 µs, 3µs | 30V | 1.07 V | 60 mA | 2500 VRM | 20% @ 1mA | - | 4µs, 4µs | 400 mV | ||||||||||||||||
 | TIL187-1 | - | | 8359 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 469 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPS5908ADCS | 1.1300 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 267 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MOC216 | 0,2300 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150m | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1.07 V | 60 mA | 2500 VRM | - | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400 mV | ||||||||||||||||
 | TIL920 | 0,3700 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TIL923 | 0,2300 | | 6 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TIL112 | - | | 8986 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2312 (TPL, E | 1.7100 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2312 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,2V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | - | 1 (illimité) | 264-TLP2312 (TPletr | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 8 mA | 5Mbps | 2,2ns, 1,6ns | 1,53 V | 8m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
| TLP2312 (V4-TPL, E | 1.7100 | | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2312 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,2V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP2312 (V4-TPletr | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 8 mA | 5Mbps | 2,2ns, 1,6ns | 1,53 V | 8m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
 | TIL195A | 0,7800 | | 14 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 386 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FODM352 | 1.2200 | | 3 | 0,00000000 | onsemi | FODM352 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | FODM352 | Dc | 1 | Darlington | 4 MFP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150m | 20 µs, 100 µs | 300 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 VRM | 1000% @ 1mA | - | - | 1,2 V | |||||||||||||||
| TLP2630 (TP1, F) | - | | 9395 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP2630 | - | 1 (illimité) | 264-TLP2630 (TP1F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F (D4BLT7, F | - | | 5763 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (D4BLT7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||
| TLP5702 (D4-LF4, E | 1 5500 | | 6558 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | TLP5702 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 15V ~ 30V | 6-SO | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP5702 (D4-LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||
| Tlp371 (lf1, f) | - | | 5901 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | Tlp371 | - | 1 (illimité) | 264-TLP371 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2630 (Mat, F) | - | | 8093 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP2630 | - | 1 (illimité) | 264-TLP2630 (MATF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP632 (Y, F) | - | | 2810 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP632 | - | 1 (illimité) | 264-TLP632 (YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (D4-gb-TP1, F | - | | 5890 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP731 | - | 1 (illimité) | 264-TLP731 (d4 gb-tp1f | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP161G (T7TR, U, C, F | - | | 7059 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP161 | - | 1 (illimité) | 264-TLP161G (T7Trucftr | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP250HF (D4-LF4, F) | - | | 2051 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | TLP250 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 10V ~ 30V | 8 mm | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP250HF (D4-LF4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2 A | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 5ma | 3750 VRM | 1/0 | 40kV / µs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||||
| TLP250H (TP5, F) | - | | 9916 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | TLP250 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 10V ~ 30V | 8 mm | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP250H (TP5F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 2 A | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 VRM | 1/0 | 40kV / µs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||||
| TLP750 (D4-TP1, F) | - | | 8800 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP750 | - | 1 (illimité) | 264-TLP750 (D4-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tlp383 (bl-tpl, e | - | | 3367 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | Tlp383 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP383 (BL-TPLETL | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||
| TLP631 (TP1, F) | - | | 9923 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP631 | - | 1 (illimité) | 264-TLP631 (TP1F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 |
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