SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
HCPL-061N#060 Broadcom Limited HCPL-061N # 060 -
RFQ
ECAD 4105 0,00000000 Broadcom Limited - Tube Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Dc 1 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 5,5 V 8-si haut télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 100 50 mA 10mbd 42ns, 12ns 1,3 V 10m 3750 VRM 1/0 1kV / µs 100ns, 100ns
IL252 Vishay Semiconductor Opto Division IL252 1.7500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Tube Actif -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) IL252 AC, DC 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 - - 30V 1,2 V 60 mA 5300 VRM 100% @ 10mA - - 400 mV
TPC816S1C RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC816S1C Rag -
RFQ
ECAD 2586 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation TPC816 Ruban Adhésif (tr) Obsolète -30 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins Dc 1 Transistor 4-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 4 µs, 3µs 70V 1,2 V 50 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200 MV
HMAA2705R1 onsemi HMAA2705R1 -
RFQ
ECAD 4055 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMAA27 AC, DC 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 80m 3 µs, 3µs 40V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 300% @ 5mA - 300 mV
TLP120(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB, F) -
RFQ
ECAD 5979 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP120 AC, DC 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP120 (GBF) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
CNY17F-1-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17F-1-V -
RFQ
ECAD 1368 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) CNY17F Dc 1 Transistor 6 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 3907171772 EAR99 8541.49.8000 65 - 6µs, 8µs 80V 1,65 V (max) 60 mA 5000vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 10 µs, 9µs 300 mV
ISQ74X Isocom Components 2004 LTD ISQ74X 1.9700
RFQ
ECAD 400 0,00000000 ISOCOM Components 2004 Ltd - Tube Actif -25 ° C ~ 100 ° C Par le trou 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) ISQ74 Dc 4 Transistor - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 400 50m 2,6 µs, 2,2 µs 50v 1,2 V 50 mA 5300 VRM 12,5% @ 16mA - - -
PS8502L3-AX Renesas Electronics America Inc Ps8502l3-ax 3.2100
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ECAD 423 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Népoc Tube Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette PS8502 Dc 1 Transistor 8 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.49.8000 50 8m - 35V 1,7 V 25 mA 5000vrms 15% @ 16mA - 220ns, 350 n -
SFH601-4X009 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-4X009 -
RFQ
ECAD 8198 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette SFH601 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2µs, 2µs 100V 1,25 V 60 mA 5300 VRM 160% @ 10mA 320% @ 10mA 3µs, 2,3 µs 400 mV
4N27-V Everlight Electronics Co Ltd 4N27-V -
RFQ
ECAD 1188 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 3907172706 EAR99 8541.49.8000 65 - - 80V 1,2 V 60 mA 5000vrms 10% @ 10mA - 3 µs, 3µs 500 mV
VO4158D-X009T Vishay Semiconductor Opto Division VO4158D-X009T 1.5384
RFQ
ECAD 9343 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette VO4158 cur, ur 1 Triac 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 000 1,2 V 60 mA 5300 VRM 800 V 300 mA 500 µA Oui 5kV / µs 1,6 mA -
PC815XPYJ00F Sharp Microelectronics Pc815xpyj00f -
RFQ
ECAD 8476 0,00000000 Microélectronique Tranchante - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -30 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins Dc 1 Darlington 4 md télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 80m 60 µs, 53 µs 35V 1,2 V 50 mA 5000vrms 600% @ 1mA 7500% @ 1mA - 1V
EL816(S)(B)(TU)-V Everlight Electronics Co Ltd El816 (s) (b) (tu) -v -
RFQ
ECAD 7371 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins EL816 Dc 1 Transistor 4 md télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 50m 4 µs, 3µs 80V 1,2 V 60 mA 5000vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200 MV
4N35FR2M onsemi 4N35FR2M -
RFQ
ECAD 1584 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N35 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 4N35FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 60 mA 7500VPK 100% @ 10mA - 2µs, 2µs 300 mV
MOC3023S-TA Lite-On Inc. MOC3023S-TA 0.1701
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ECAD 2995 0,00000000 Lite-on Inc. MOC302X Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC302 CQC, CSA, TUV, UL, VDE 1 Triac 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) MOC3023STA EAR99 8541.49.8000 1 000 1,15 V 50 mA 5000vrms 400 V 250µA (TYP) Non 1kV / µs 5ma -
TLP385(D4BLLTR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4blltr, e 0,5600
RFQ
ECAD 7685 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
8430090000 Weidmüller 8430090000 -
RFQ
ECAD 9492 0,00000000 Weidmüller - En gros Obsolète -25 ° C ~ 60 ° C Rail de rail Module Dc 1 Transistor - télécharger Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 500mA - 24V - - - - - -
ELM3023(TB) Everlight Electronics Co Ltd ELM3023 (TB) 0,4802
RFQ
ECAD 6479 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins ELM3023 Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 Triac 4-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) C150000063 EAR99 8541.49.8000 3 000 1,2 V 60 mA 3750 VRM 400 V 70 mA 5ma Non 10V / µs (type) 3MA 100 µs (max)
FOD817D300 onsemi FOD817D300 0,6000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 onsemi - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) FOD817 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 4 µs, 3µs 70V 1,2 V 50 mA 5000vrms 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200 MV
EL814(A) Everlight Electronics Co Ltd EL814 (a) 0,2760
RFQ
ECAD 7810 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) EL814 AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) C120000002 EAR99 8541.49.8000 100 - 7µs, 11µs 80V 1,2 V 60 mA 5000vrms 50% @ 1mA 150% @ 1mA - 200 MV
MCT2TVM onsemi Mct2tvm -
RFQ
ECAD 6239 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) Mct2 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté Mct2tvm-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 2µs, 1,5 µs 30V 1,25 V 60 mA 7500VPK 20% @ 10mA - 2µs, 2µs 400 mV
MOC3052TM Fairchild Semiconductor MOC3052TM -
RFQ
ECAD 4044 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) MOC305 Ur 1 Triac 6 plombs - Rohs3 conforme EAR99 8541.49.8000 1 000 1,18 V 60 mA 4170vrms 600 V 220µA (TYP) Non 1kV / µs 10m -
FOD4208SV onsemi FOD4208SV 4.4500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 onsemi - Tube Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette FOD4208 cul, fimko, ul, vde 1 Triac 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 1,28 V 30 mA 5000vrms 800 V 500 µA Non 10kV / µs 2MA 60 µs
IL4218-X017 Vishay Semiconductor Opto Division IL4218-X017 -
RFQ
ECAD 5207 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Tube Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm IL4218 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR, VDE 1 Triac télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 1,3 V 60 mA 5300 VRM 800 V 300 mA 200 µA Non 10kV / µs 700 µA (TYP) -
PC725V0YSZXF Sharp Microelectronics Pc725v0yszxf -
RFQ
ECAD 9424 0,00000000 Microélectronique Tranchante - Tube Obsolète -25 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes Dc 1 Darlington Avec la base 6 plombs télécharger 1 (illimité) 425-2162-5 EAR99 8541.49.8000 500 150m 100 µs, 20 µs 300 V 1,2 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA 15000% @ 1mA - 1,2 V
PS2801A-1-L-A Renesas Electronics America Inc PS2801A-1-LA -
RFQ
ECAD 3191 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Népoc Tube Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) PS2801 Dc 1 Transistor 4-SSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté 559-1488 EAR99 8541.49.8000 50 30m 5 µs, 7µs 70V 1,2 V 30 mA 2500 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 300 mV
SFH6711 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6711 -
RFQ
ECAD 1023 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) SFH6711 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4.5V ~ 15V 8 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 000 25 mA 5MBD 40ns, 10ns 1,6 V 10m 5300 VRM 1/0 2,5 kV / µs 300ns, 300ns
TLP265J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4T7TL, E 0,8400
RFQ
ECAD 4119 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP265 CQC, Cur, Ur, VDE 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 50 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 1MA (TYP) Non 500 V / µs (TYP) 7m 20 µs
H11AV1FR2VM onsemi H11AV1FR2VM -
RFQ
ECAD 8492 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11A Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11AV1FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 70V 1,18 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA 300% @ 10mA 15 µs, 15 µs (max) 400 mV
PS2533L-1-K-A Renesas Electronics America Inc PS2533L-1-KA -
RFQ
ECAD 1653 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Népoc Tube Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins PS2533 Dc 1 Darlington 4 md télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté 559-1257 EAR99 8541.49.8000 100 150m 100 µs, 100 µs 350 V 1,15 V 80 mA 5000vrms 1500% @ 1MA 6500% @ 1MA - 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock