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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CNX36UW | - | ![]() | 7968 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) | Cnx36 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | CNX36UW-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 100 mA | - | 30V | 1,15 V | 100 mA | 5300 VRM | 80% @ 10mA | 200% @ 10mA | 20 µs, 20 µs | 400 mV | |||||||||||||||
![]() | Vol617a-4x001t | 0,5000 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | Vol617 | Dc | 1 | Transistor | 4-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 3,5 µs, 5 µs | 80V | 1,16 V | 60 mA | 5000vrms | 160% @ 5mA | 320% @ 5mA | 6µs, 5,5 µs | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | ACPL-K370-560E | 2.2446 | ![]() | 9734 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,268 ", 6,81 mm de grandeur) | ACPL-K370 | AC, DC | 1 | Darlington | 8-SO STUPTÉ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 30m | 25 µs, 0,3 µs | 20V | - | 5000vrms | - | - | 3,7 µs, 8,5 µs | - | ||||||||||||||||
![]() | H11d23sd | - | ![]() | 3308 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | H11d | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 mm | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | H11d23sd-ndr | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 100 mA | - | 300 V | 1,15 V | 80 mA | 5300 VRM | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400 mV | |||||||||||||||
![]() | ILQ615-3X009T | 3.1200 | ![]() | 690 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 16 mm, Aile de Mouette | ILQ615 | Dc | 1 | Transistor | 16 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 50m | 2µs, 2µs | 70V | 1,15 V | 60 mA | 5300 VRM | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3µs, 2,3 µs | - | ||||||||||||||||
![]() | FODM3053R3 | - | ![]() | 9413 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 1,2 V | 60 mA | 3750 VRM | 600 V | 70 mA | 300 µA (TYP) | Non | 1kV / µs | 5ma | - | ||||||||||||||||
MOC3032VM | 0,4764 | ![]() | 9609 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MOC303 | IEC / EN / DIN, UL | 1 | Triac | 6 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 1,25 V | 60 mA | 4170vrms | 250 V | 400 µA (TYP) | Oui | 1kV / µs | 10m | - | |||||||||||||||||
![]() | 140816140410 | 0,3800 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Würth Elektronik | Wl-ocpt | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 732-140816140410 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 3µs, 4µs | 80V | 1,24 V | 60 mA | 5000vrms | 300% @ 5mA | 600% @ 5mA | - | ||||||||||||||||
![]() | PS2501A-1-WA | - | ![]() | 1575 | 0,00000000 | Celoir | Népoc | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | PS2501 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30m | 3 µs, 5 µs | 70V | 1,2 V | 30 mA | 5000vrms | 130% @ 5mA | 260% @ 5mA | - | 300 mV | |||||||||||||||
![]() | OPI1290-032 | 7.6010 | ![]() | 5619 | 0,00000000 | TT Electronics / Optek Technology | - | En gros | Actif | -20 ° C ~ 75 ° C | Par le trou | Non standard, 5 avances | OPI1290 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4.5V ~ 16V | - | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | - | 25ns, 25ns | 2.3V (max) | - | - | 1/0 | - | 5 µs, 5µs (type) | ||||||||||||||||
![]() | Pc817x7nip0f | - | ![]() | 5712 | 0,00000000 | Technologie Sharp / Socle | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -30 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 30m | 4 µs, 3µs | 80V | 1,2 V | 50 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
H11ag1tvm | 0,4897 | ![]() | 1985 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) | H11ag | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 50m | - | 30V | 1,25 V | 50 mA | 4170vrms | 100% @ 1mA | - | 5 µs, 5 µs | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | PS9617L-VA | - | ![]() | 3182 | 0,00000000 | Celoir | Népoc | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4,5 V ~ 5,5 V | Aile de Goéland à 8 tremblements | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 10ns | 1,65 V | 30m | 5000vrms | 1/0 | 15kV / µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F (D4B-F7, F | - | ![]() | 8709 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (D4B-F7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | FOD815SD | - | ![]() | 1784 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | FOD815 | Dc | 1 | Darlington | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 80m | 60 µs, 53 µs | 35V | 1,2 V | 50 mA | 5000vrms | 600% @ 1mA | 7500% @ 1mA | - | 1V | ||||||||||||||||
![]() | 4N32SM | 0,9800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | 4N32 | Dc | 1 | Darlington Avec la base | 6 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150m | - | 30V | 1,2 V | 80 mA | 4170vrms | 500% @ 10mA | - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V | |||||||||||||||
![]() | OPIA2210ATRE | - | ![]() | 7480 | 0,00000000 | TT Electronics / Optek Technology | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 350 V | 1,2 V | 50 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | - | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP734 (D4-C172, F) | - | ![]() | 4589 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP734 | Dc | 1 | Transistor | 6 plombs | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP734 (D4-C172F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 4000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
![]() | VOM618A-X001T | 0,5700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | VOM618 | Dc | 1 | Transistor | 4-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 5 µs, 4µs | 80V | 1,1 V | 60 mA | 3750 VRM | 50% @ 1mA | 600% @ 1mA | 7µs, 6µs | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | SFH615AA | 0,7100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SFH615 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 4 000 | 50m | - | 70V | 1,25 V | 60 mA | 5300 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 2µs, 25 µs | 400 mV | |||||||||||||||
![]() | EL816 (S1) (C) (TA) | - | ![]() | 9056 | 0,00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 50m | 4 µs, 3µs | 80V | 1,2 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
![]() | HCPL-563K | 586.6886 | ![]() | 4494 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL-563 | Dc | 2 | Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ | 4,5 V ~ 5,5 V | 8 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10mbd | 35ns, 35ns | 1,5 V | 20 mA | 1500VDC | 2/0 | 1kV / µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
![]() | 5962-8957104K2A | 641.4000 | ![]() | 4760 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 20-CLCC | 5962-8957104 | Dc | 2 | Push-pull, pôle totem | 4,75 V ~ 5,25 V | 20 LCCC (8.89x8.89) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 40 Mbps | 15NS, 10NS | 1,35 V | 10m | 1500VDC | 2/0 | 500 V / µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
![]() | TLP651 (O, F) | - | ![]() | 4853 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP651 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | - | Rohs conforme | Non applicable | TLP651 (OF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 15V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 19% @ 16mA | - | 300ns, 500ns | - | |||||||||||||||
![]() | HCPL-0454 # 560 | - | ![]() | 3581 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Dc | 1 | Transistor | 8-so | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 8m | - | 20V | 1,5 V | 25 mA | 3750 VRM | 21% @ 16mA | - | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||||
![]() | MOC8106SD | - | ![]() | 4370 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | MOC810 | Dc | 1 | Transistor | 6 mm | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | MOC8106SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 50m | 1 µs, 2µs | 70V | 1,15 V | 100 mA | 5300 VRM | 50% @ 10mA | 150% @ 10mA | 2 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
![]() | VO2223B-X001 | 2.3300 | ![]() | 755 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm), 7 pistes | VO2223 | cur, ur, vde | 1 | Triac, Puisse | 8 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,4 V (max) | 50 mA | 4470vrms | 600 V | 1 a | 25m | Non | 600 V / µs (TYP) | 10m | - | ||||||||||||||||
![]() | HCPL-070A-060E | 1.6277 | ![]() | 6655 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | HCPL-070 | Dc | 1 | Darlington Avec la base | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 60m | - | 18V | 1,25 V | 5 mA | 3750 VRM | 600% à 500 µA | 8000% à 500 µA | 3µs, 34 µs | - | |||||||||||||||
![]() | Ps2911-1-l-ax | - | ![]() | 3053 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 mm, plombes plombes | PS2911 | Dc | 1 | Transistor | 4 minutes-plate | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 559-1728 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 40m | 5 µs, 10 µs | 40V | 1,1 V | 50 mA | 2500 VRM | 150% @ 1mA | 300% @ 1mA | 40 µs, 120 µs | 300 mV | ||||||||||||||
4N28VM | - | ![]() | 6760 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4N28 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 4N28VM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | - | - | 30V | 1,18 V | 60 mA | 4170vrms | 10% @ 10mA | - | 2µs, 2µs | 500 mV |
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