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Optoisolators (15749)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS | Grade | Qualification |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 140816144300 | 0,3800 |  | 2 | 0,00000000 | Würth Elektronik | Wl-ocpt | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | Dc | 1 | Transistor | 4-dip-slm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 50m | 3µs, 4µs | 80V | 1,24 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | - | |||||||||||||||||||
 | MOC3033M | 0 4600 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MOC303 | Ul | 1 | Triac | 6 plombs | télécharger | EAR99 | 8541.49.8000 | 659 | 1,25 V | 60 mA | 4170vrms | 250 V | 400 µA (TYP) | Oui | 1kV / µs | 5ma | - | |||||||||||||||||||||
 | ACPL-M72T-560E | 2.0450 | | 9891 | 0,00000000 | Broadcom Limited | R²Couler ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | ACPL-M72 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 3V ~ 5,5 V | 5-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | - | 10ns, 10ns | 1,5 V | 20 mA | 4000vrms | 1/0 | 25kV / µs | 100ns, 100ns | Automobile | AEC-Q100 | ||||||||||||||||
 | Hwxx38236 | - | | 5984 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | En gros | Obsolète | Hwxx3 | - | 751-HWXX38236 | OBSOLÈTE | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561AL2-1-E3-HA | 0,6000 | | 71 | 0,00000000 | Celoir | Népoc | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | Dc | 1 | Transistor | 4 md | - | 3923-PS2561AL2-1-E3-H-ATR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 30m | 3 µs, 5 µs | 70V | 1,2 V | 30 mA | 5000vrms | 80% @ 5mA | 160% @ 5mA | - | 300 mV | ||||||||||||||||||||
| VOT8026AB-T | 1.2200 | | 9981 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | VOT8026 | CQC, Cul, UL, VDE | 1 | Triac | 6 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 1,2 V | 50 mA | 5300 VRM | 800 V | 100 mA | 400 µA (TYP) | Oui | 1kV / µs | 5ma | - | ||||||||||||||||||
| PS9821-1-V-AX | 9.0700 | | 400 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | Népoc | Bande | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | PS9821 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 mA | 15 Mbps | 20ns, 5ns | 1,65 V | 20 mA | 2500 VRM | 1/0 | 15kV / µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
| ISP281 GO | 0,5700 | | 5 | 0,00000000 | ISOCOM Components 2004 Ltd | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | ISP281 | Dc | 1 | Transistor | 4-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,4 V (max) | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||
 | Voma618a-3x001t | 2.9900 | | 4 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | Voma618a | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | Voma618 | Dc | 1 | Transistor | 4-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 1,8 µs, 1,7 µs | 80V | 1,28 V | 20 mA | 3750 VRM | 100% @ 1mA | 200% @ 1mA | 6,8 µs, 2,3 µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP627MF (E | 0,9000 | | 89 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP627 | Dc | 1 | Darlington | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP627MF (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150m | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 1000% @ 1mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||
| TLP627MF (D4, E | 0,9000 | | 96 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP627 | Dc | 1 | Darlington | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP627MF (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150m | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 1000% @ 1mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||
 | TLP781F (D4-Y-LF7, F | - | | 9772 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (D4-Y-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| Tlp785f (d4teet7f | - | | 5501 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (D4teet7ftr | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781F (D4GR-TP7, F | - | | 9870 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (D4GR-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP785F (D4Y-T7, F | - | | 5839 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (D4Y-T7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781 (D4BLL-LF6, F | - | | 7971 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (D4BLL-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781F (Y-TP7, F) | - | | 1764 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-tlp781f (y-tp7f) tr | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781 (BLL-TP6, F) | - | | 7168 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (BLL-TP6F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-Tels, F) | - | | 1749 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (D4-TELSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| Tlp781f (d4grt7fd, f | - | | 4341 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-tlp781f (d4grt7fdftr | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781F (YH-TP7, F) | - | | 6978 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-tlp781f (yh-tp7f) tr | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781 (Y-LF6, F) | - | | 7916 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (Y-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP785F (D4Y-F7, F | - | | 8840 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (D4Y-F7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781F (GB-LF7, F) | - | | 3093 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (GB-LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781F (D4-Fungr, F | - | | 7829 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (D4-Fungrf | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-Grh, F) | - | | 5401 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (D4-Grhf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781 (d4-gr-tp6, f | - | | 8326 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (d4-gr-tp6ftr | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-Y-LF6, F) | - | | 4558 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (D4-Y-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP785 (yh, f | - | | 8103 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (YHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP781F (GRL-TP7, F) | - | | 2158 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-tlp781f (grl-tp7f) tr | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV |
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