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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB, E) -
RFQ
 ECAD 3061 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP291 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger EAR99 8541.49.8000 175 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2768F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 4795 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP2768 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP2768F (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
TLP360J(D4-CANO) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp360j (d4-cano) -
RFQ
 ECAD 8335 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP360 CQC, Cul, UL, VDE 1 Triac À 4 plombes - 264-TLP360J (D4-Cano) EAR99 8541.49.8000 1 1,15 V 50 mA 5000vrms 600 V 100 mA 1 mA Non 500 V / µs (TYP) 10m 30 µs
TLP525G(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 3080 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 MD (0,300 ", 7,62 mm) TLP525 CSA, cul, ul 1 Triac 4 md télécharger 264-TLP525G (LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 1,15 V 50 mA 2500 VRM 400 V 100 mA 600 µA Non 200 V / µs 10m -
TLP190B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (TPL, U, C, F) -
RFQ
 ECAD 7752 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP190 Dc 1 Photovoltaïque 6 MFSOP, 4 Avance télécharger 264-TLP190B (TPLUCF) EAR99 8541.49.8000 1 12µA - 8v 1,4 V 50 mA 2500 VRM - - 200 µs, 1 ms -
TLX9291(FDKGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9291 (fdkgbtlf (o -
RFQ
 ECAD 7115 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLX9291 (fdkgbtlf (o EAR99 8541.49.8000 1
TLP3083F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (F 1.7400
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0 400 ", 10,16 mm), 5 pistes CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6 plombs télécharger 1 (illimité) 264-TLP3083F (F EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 50 mA 5000vrms 800 V 100 mA 600 µA Oui 2kV / µs (type) 5ma -
TLP716F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F (F) -
RFQ
 ECAD 7837 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP716F (F) EAR99 8541.49.8000 1 10 mA 15MBD 15NS, 15NS 1,65 V 20 mA 5000vrms 1/0 10kV / µs 75ns, 75ns
TLP9118(MBHA-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (MBHA-TL, F) -
RFQ
 ECAD 4507 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9118 (MBHA-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP716(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716 (d4, f) -
RFQ
 ECAD 2223 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP716 (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 10 mA 15MBD 15NS, 15NS 1,65 V 20 mA 5000vrms 1/0 10kV / µs 75ns, 75ns
TLP9121A(MBHAGBTLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (MBHAGBTLF -
RFQ
 ECAD 1213 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9121A (MBHAGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J (PSD-TL, F) -
RFQ
 ECAD 2942 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9148J (PSD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLX9185(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (Ogi-TL, F (O -
RFQ
 ECAD 4186 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLX9185 (OGI-TLF (O EAR99 8541.49.8000 1
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 7918 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette AC, DC 2 Transistor 8 mm télécharger 264-TLP620-2 (D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2531(TOSYK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (Tosyk, F) -
RFQ
 ECAD 2768 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 2 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP2531 (TOSYKF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 19% @ 16mA - - -
TLP626(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (Sanyd, F) -
RFQ
 ECAD 1971 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger 264-TLP626 (Sanydf) EAR99 8541.49.8000 1 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP759(D4HITIM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4Hitim, J, F -
RFQ
 ECAD 2380 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (D4Hitimjf EAR99 8541.49.8000 1 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP190B(COSTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (CostPluc, F -
RFQ
 ECAD 3149 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP190 Dc 1 Photovoltaïque 6 MFSOP, 4 Avance télécharger 264-TLP190B (CostPlucf EAR99 8541.49.8000 1 12µA - 8v 1,4 V 50 mA 2500 VRM - - 200 µs, 1 ms -
TLP669LF(D4,S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669LF (D4, S, C, F) -
RFQ
 ECAD 8098 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète - Par le trou 6 DIP (0 400 ", 10,16 mm), 5 pistes TLP669 CSA, cul, ul, vde 1 Triac 6 plombs télécharger 264-TLP669LF (D4SCF) EAR99 8541.49.8000 1 - 5000vrms 800 V 100 mA - Oui - 10m -
TLP759(MBS-IT,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (MBS-IT, J, F) -
RFQ
 ECAD 1082 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (MBS-ITJF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP358(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp358 (tp5, f) -
RFQ
 ECAD 9877 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP358 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 8 mm télécharger 264-TLP358 (TP5F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5 A - 17ns, 17ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 500ns, 500ns
TLP358F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp358f (tp4, f) -
RFQ
 ECAD 6352 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP358 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 8 mm télécharger 264-TLP358F (TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 6 A - 17ns, 17ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 500ns, 500ns
TLP626(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (BV-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 9710 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger 264-TLP626 (BV-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP754(MBI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (MBI, F) -
RFQ
 ECAD 7757 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP754 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 30V 8 plombs télécharger 264-TLP754 (MBIF) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 550ns, 400ns
TLX9185(TOJ2GBTF(O Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9185 (toj2gbtf (o -
RFQ
 ECAD 3905 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLX9185 Dc 1 Transistor 6-SOP - 264-TLX9185 (TOJ2GBTF (O EAR99 8541.49.8000 1 50m 3 µs, 5 µs 80V 1,27 V 30 mA 3750 VRM 20% @ 5mA 600% @ 5mA 5 µs, 5 µs 400 mV
TLP714F(4HWTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F (4HWTP, F -
RFQ
 ECAD 7589 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP714 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 30V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP714F (4HWTPF EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 550ns, 400ns
TLP108(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (TPL, F) -
RFQ
 ECAD 7832 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes TLP108 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP108 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP2530(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 2723 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP2530 Dc 2 Base de transistor AVEC 8 mm télécharger 264-TLP2530 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 7% @ 16mA 30% @ 16mA 300ns, 500ns -
TLP191B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B (TPL, U, C, F) -
RFQ
 ECAD 9293 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP191 Dc 1 Photovoltaïque 6 MFSOP, 4 Avance télécharger 264-TLP191B (TPLUCF) EAR99 8541.49.8000 1 - - 8v 1,4 V 50 mA 2500 VRM - - 200 µs, 3 ms -
TLP2768(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768 (F) -
RFQ
 ECAD 8492 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP2768 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP2768 (F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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