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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP732(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GB-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 1724 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP732 - 1 (illimité) 264-TLP732 (GB-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2362(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (TPR, E 1.0500
RFQ
 ECAD 8277 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2362 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA 10mbd 30ns, 30ns 1,55 V 25m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 100ns, 100ns
TLP759(D4-LF2,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-LF2, J, F) -
RFQ
 ECAD 6708 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (D4-LF2JF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP2355(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355 (TPR, E 1.0200
RFQ
 ECAD 4732 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2355 Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA - 15ns, 12ns 1,55 V 20 mA 3750 VRM 1/0 25kV / µs 250ns, 250ns
TLP184(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB, E) -
RFQ
 ECAD 9774 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 50m 5 µs, 9µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 300 mV
TLP2361(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (TPL, E 1.0300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2361 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP2409(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2409 (F) -
RFQ
 ECAD 1952 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2409 Dc 1 Transistor 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2409F EAR99 8541.49.8000 100 16MA - 20V 1,57 V 25 mA 3750 VRM 20% @ 16mA - 800ns, 800ns (max) -
TLP5702(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (TP, E 1.4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5702 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 1 a - 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 200ns, 200ns
TLP118(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP118 (TPL, E 1.8300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP118 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA 20 Mbps 30ns, 30ns 1,61 V 25m 3750 VRM 1/0 15kV / µs 60ns, 60ns
TLP2261(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261 (D4-LF4, E 3.0200
RFQ
 ECAD 2462 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2261 Dc 2 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TLP2261 (D4-LF4E EAR99 8541.49.8000 75 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 5000vrms 2/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP293-4(LGBTP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (LGBTP, E 1.6400
RFQ
 ECAD 8910 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 500µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP183(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (GRH-TPL, E 0,5100
RFQ
 ECAD 8176 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP183 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP293-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4LGB, E 1.6400
RFQ
 ECAD 9035 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 500µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP733F(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (D4-C172, F) -
RFQ
 ECAD 9187 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP733 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs - Rohs conforme Non applicable TLP733F (D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1 500 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 4000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP292(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (BL-TPL, E 0,5600
RFQ
 ECAD 307 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP531(Y-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (Y-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 8609 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP531 - 1 (illimité) 264-TLP531 (Y-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781(YH-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (YH-TP6, F) -
RFQ
 ECAD 8852 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (YH-TP6F) TR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP292-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LA-TR, E 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% à 500 µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2301(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2301 (E 0,6100
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP2301 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 50m - 40V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 1mA 600% @ 1mA - 300 mV
TLP2631TP1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631TP1F -
RFQ
 ECAD 5085 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP2631 Dc 2 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 5,5 V 8 mm télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 16 MA 10mbd 30ns, 30ns 1,65 V 20 mA 2500 VRM 2/0 1kV / µs 75ns, 75ns
TLP628M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (E 0,9200
RFQ
 ECAD 9029 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP628 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP628M (E EAR99 8541.49.8000 100 50m 5,5 µs, 10 µs 350 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10 µs, 10 µs 400 mV
TLP631(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 9685 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP631 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP9104A(TOYOG2TLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (Toyog2TLF -
RFQ
 ECAD 4143 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9104A (Toyog2TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP385(D4BLLTR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4blltr, e 0,5600
RFQ
 ECAD 7685 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2761(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (D4-LF4, E -
RFQ
 ECAD 7269 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2761 AC, DC 1 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2761 (D4-LF4E EAR99 8541.49.8000 1 500 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 5000vrms 1/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP268J(T2-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J (T2-TPL, E 1.1100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP268 CQC, Cur, Ur 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 30 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 200 µA (TYP) Oui 500 V / µs (TYP) 3MA 100 µs
TLP551(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 (F) -
RFQ
 ECAD 5111 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP551 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs - Rohs conforme Non applicable EAR99 8541.49.8000 50 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 10% @ 16mA - 300ns, 1 µs -
TLP531(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 1240 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP531 - 1 (illimité) 264-TLP531 (BLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP719(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (F) -
RFQ
 ECAD 1578 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP719 Dc 1 Transistor Aile de Goéland à 6 sdip - Rohs conforme 1 (illimité) 5A991G 8541.49.8000 100 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - 800ns, 800ns (max) -
TLP185(YH-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (YH-TPL, SE 0 4500
RFQ
 ECAD 2619 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

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    Fabricants mondiaux

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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