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Optoisolators (1738)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP292-4 (4LGBTPE | 1.7900 |  | 6242 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 500µA | 600% à 500 µA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
 | 4N32 (Cour, F) | - | | 4608 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4N32 | Dc | 1 | Darlington Avec la base | 6 plombs | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100 mA | - | 30V | 1,15 V | 80 mA | 2500 VRM | 500% @ 10mA | - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V | ||||||||||||||||
 | TLP168J (U, C, F) | - | | 2728 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP168 | Ur | 1 | Triac | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 1,4 V | 20 mA | 2500 VRM | 600 V | 70 mA | 600µA (TYP) | Oui | 200 V / µs | 3MA | - | |||||||||||||||
| TLP5702H (D4, E | 1.7100 | | 2347 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5702 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 10V ~ 30V | 6-SO | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1,65 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 50kV / µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||
| TLP2348 (V4-TPR, E | 1.1200 | | 7824 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2348 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 30V | 6-So, 5 Avance | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50 mA | 10Mbps | 3NS, 3NS | 1,55 V | 15m | 3750 VRM | 1/0 | 30kV / µs | 120ns, 120ns | ||||||||||||||||
 | TLP185 (SE | 0,6100 | | 6126 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP185 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
| TLP185 (E) | - | | 8142 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP185 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 5 µs, 9µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 400% @ 5mA | 9µs, 9µs | 300 mV | |||||||||||||||
| Tlp373 (f) | - | | 6222 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | Tlp373 | - | 1 (illimité) | 264-TLP373 (F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP265J (T7-TPL, E | 0,8200 | | 37 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP265 | CQC, Cur, Ur | 1 | Triac | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 1,27 V | 50 mA | 3750 VRM | 600 V | 70 mA | 1MA (TYP) | Non | 500 V / µs (TYP) | 7m | 100 µs (max) | |||||||||||||||
 | TLP2761 (D4-TP4, E | - | | 1286 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2761 | AC, DC | 1 | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP2761 (D4-TP4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 10 mA | 15MBD | 3NS, 3NS | 1,5 V | 10m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||
| TLP9114B (TOJS-TL, F | - | | 1713 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | En gros | Obsolète | - | 264-TLP9114B (TOJS-TLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP184 (GR-TPL, SE | 0,5100 | | 6509 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
| TLP781F (D4GRL-F7, F | - | | 7446 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (D4GRL-F7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP781 (YH, F) | - | | 6831 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (YHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP620F-2 (F) | - | | 9705 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | - | 1 | - | 8 plombs | - | 264-TLP620F-2 (F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50m | - | 55V | - | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | - | - | |||||||||||||||||
 | TLP624F | - | | 9727 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP624 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 8 µs, 8 µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10 µs, 8 µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP531 (Y-LF5, F) | - | | 4947 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP531 | - | 1 (illimité) | 264-TLP531 (Y-LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4-GRL, E) | - | | 1801 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (D4-Grle) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
 | TLP2200 (TP1, F) | - | | 5811 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | TLP2200 | Dc | 1 | Trois états | 4,5 V ~ 20V | 8 mm | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 25 mA | 2,5 MBD | 35ns, 20ns | 1,55 V | 10m | 2500 VRM | 1/0 | 1kV / µs | 400ns, 400ns | |||||||||||||||
 | Tlp387 (d4-tpl, e | 0,8700 | | 7441 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | Tlp387 | Dc | 1 | Darlington | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 150m | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 1000% @ 1mA | - | 50 µs, 15 µs | 1V | |||||||||||||||
| TLP620 (F) | - | | 7538 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP620 | AC, DC | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP627M (LF1, E | 0,9200 | | 3910 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP627 | Dc | 1 | Darlington | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP627M (LF1E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150m | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 1000% @ 1mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | |||||||||||||||
| TLP161J (DMT7TR, C, F | - | | 5836 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP161J | - | 1 (illimité) | 264-tlp161j (dmt7trcftr | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP781F (GRH-TP7, F) | - | | 8632 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (GRH-TP7F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
 | TLP160G (TPR, U, F) | - | | 7480 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP160G | Ur | 1 | Triac | 6 MFSOP, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 1,15 V | 50 mA | 2500 VRM | 400 V | 70 mA | 600µA (TYP) | Non | 200 V / µs | 10m | 30 µs | |||||||||||||||
| TLP627MF (LF4, E | 0,9200 | | 8318 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP627 | Dc | 1 | Darlington | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150m | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 1000% @ 1mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||
 | TLP109 (E | 1.2800 | | 9923 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP109 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 5A991 | 8541.49.8000 | 125 | 8m | - | 20V | 1,64 V | 20 mA | 3750 VRM | 20% @ 16mA | - | 800ns, 800ns (max) | - | |||||||||||||||
 | TLP293-4 (GB-TP, E | 1,6000 | | 4016 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP293 | Dc | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
| TLP183 (BL, E | 0,5100 | | 4755 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP183 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP183 (BLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||
| Tlp372 (lf1, f) | - | | 9841 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | Tlp372 | - | 1 (illimité) | 264-TLP372 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |
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