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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max)
TLP385(D4GL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4gl-tr, e 0,5600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP185(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (Gr, SE 0,6000
RFQ
 ECAD 5164 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TLP185 (GRSE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2761(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (TP, E) 1.1800
RFQ
 ECAD 4378 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2761 AC, DC 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 5000vrms 1/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP185(GR-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPR, E) -
RFQ
 ECAD 6321 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 5 µs, 9µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 300 mV
TLP9114B(BYD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (BYD-TL, F) -
RFQ
 ECAD 7065 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9114B (BYD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP2168(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168 (TP, F) -
RFQ
 ECAD 2972 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2168 Dc 2 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,57 V 25m 2500 VRM 2/0 15kV / µs 60ns, 60ns
TLP184(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (SE 0,5000
RFQ
 ECAD 1390 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP292-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4GBTPE 1.7600
RFQ
 ECAD 3413 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2160(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2160 (F) -
RFQ
 ECAD 3836 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2160 Dc 2 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2160F EAR99 8541.49.8000 100 10 mA 20MBD 15NS, 15NS 1,55 V 25m 2500 VRM 2/0 20kV / µs 40ns, 40ns
TLP121(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GB-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 4849 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP121 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP121 (GB-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP184(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (TPL, E) -
RFQ
 ECAD 2019 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme TLP184 (TPLE) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 5 µs, 9µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 300 mV
TLP121(V4-GB-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (V4-GB-TPL, F -
RFQ
 ECAD 3583 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP121 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP121 (V4-GB-TPLF EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP631(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 7988 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP631 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP5772(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772 (E 2.3800
RFQ
 ECAD 9395 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5772 Dc 1 Push-pull, pôle totem 10V ~ 30V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 - 15ns, 8ns 1,65 V 8m 5000vrms 1/0 35kV / µs 150ns, 150ns
TLP785F(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-Grh, F -
RFQ
 ECAD 2557 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4-Grhf EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP290(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (E) -
RFQ
 ECAD 4304 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 175 50m 4µs, 7µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 400% @ 5mA 7µs, 7µs 300 mV
TLP620-4(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 5028 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP620 AC, DC 4 Transistor 16 plombs télécharger 264-TLP620-4 (D4-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLPN137(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137 (F) 1.5600
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLPN137 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 5,5 V 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10mbd 3NS, 12NS 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 10kV / µs 75ns, 75ns
TLP754(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (D4-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 1198 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette Dc 1 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 30V 8 mm télécharger 264-TLP754 (D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 550ns, 400ns
TLP785(D4-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-TP6, F -
RFQ
 ECAD 4964 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP785 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (D4-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2367(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367 (V4-TPL, E 2.5600
RFQ
 ECAD 8746 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2367 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 10 mA 50mbd 2NS, 1NS 1,6 V 15m 3750 VRM 1/0 25kV / µs 20ns, 20ns
TLP781F(GR-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GR-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 5901 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (GR-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP183(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (Y-TPL, E 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP183 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 150% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP109(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (TPR, E) 1,3000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP109 Dc 1 Transistor 6-So, 5 Avance télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 8m - 20V 1,64 V 20 mA 3750 VRM 20% @ 16mA - 800ns, 800ns (max) -
TLP632(HO-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (HO-GB, F) -
RFQ
 ECAD 9433 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP632 - 1 (illimité) 264-TLP632 (HO-GBF) EAR99 8541.49.8000 50
4N25(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N25 (Cour, F) -
RFQ
 ECAD 4967 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N25 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 4N25Shortft EAR99 8541.49.8000 50 100 mA 2µs, 200µs 30V 1,15 V 80 mA 2500 VRM 20% @ 10mA - - 500 mV
TLP9114B(SND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (snd-tl, f) -
RFQ
 ECAD 7866 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9114B (SND-TL, F) EAR99 8541.49.8000 1
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (TP, E 1.7900
RFQ
 ECAD 2765 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP385(D4-Y,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4-y, e 0,5400
RFQ
 ECAD 9961 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Tlp385 (d4-ye EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2348(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348 (V4-TPL, E 1.1200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2348 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 30V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50 mA 10Mbps 3NS, 3NS 1,55 V 15m 3750 VRM 1/0 30kV / µs 120ns, 120ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

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    Fabricants mondiaux

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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