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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
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![]() | Tlp360jf (d4-cano) | - | ![]() | 8119 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | À 4 plombes | télécharger | 264-TLP360JF (D4-Cano) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 mA | 5000vrms | 600 V | 100 mA | 1 mA | Non | 500 V / µs (TYP) | 10m | 30 µs | |||||||||||||||||
TLP292-4 (LA-TP, E | 1.7900 | ![]() | 1266 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% à 500 µA | 600% à 500 µA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP120 (GR-TP, F) | - | ![]() | 9211 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP120 (GR-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||
TLP5701 (E | 1.2600 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5701 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 10V ~ 30V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 600 mA | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||||
![]() | TLP124F | - | ![]() | 4843 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP124F | Dc | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP124 (F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 50m | 8 µs, 8 µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10 µs, 8 µs | 400 mV | ||||||||||||||
![]() | TLP5705H (LF4, E | 1.9900 | ![]() | 5551 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 15V ~ 30V | 6-SO | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 50kV / µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||
![]() | TLP759 (D4, J, F) | - | ![]() | 5993 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | Dc | 1 | Transistor | 8 plombs | télécharger | Rohs conforme | Non applicable | TLP759 (D4JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 20V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||
![]() | TLP3033 (S, C, F) | - | ![]() | 3200 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | - | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes | TLP3033 | Semko, ur | 1 | Triac | 6-Dip (coupé), 5 plomb | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP3033 (SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 5000vrms | 250 V | 100 mA | - | Oui | - | 5ma | - | |||||||||||||||
![]() | TLP591B (C, F) | 3.2100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes | TLP591 | Dc | 1 | Photovoltaïque | 6-Dip, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 24 µA | - | 7v | 1,4 V | 50 mA | 2500 VRM | - | - | 200 µs, 3 ms | - | |||||||||||||||
![]() | 4N38 (Cour, f) | - | ![]() | 1929 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4N38 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100 mA | - | 80V | 1,15 V | 80 mA | 2500 VRM | 10% @ 10mA | - | 3 µs, 3µs | 1v | |||||||||||||||
TLP751 (LF2, F) | - | ![]() | 5641 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP751 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | - | Rohs conforme | Non applicable | TLP751 (LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 15V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 10% @ 16mA | - | 200 ns, 1 µs | - | |||||||||||||||
![]() | TLP385 (GRH-TPR, E | 0,5400 | ![]() | 5721 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
![]() | TLP3073 (F | 1.9900 | ![]() | 1031 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes | TLP3073 | CQC, Cur, Ur | 1 | Triac | 6 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 mA | 5000vrms | 800 V | 100 mA | 1MA (TYP) | Non | 2kV / µs (type) | 5ma | - | |||||||||||||||
![]() | Tlp385 (d4-bll, e | 0,5500 | ![]() | 5999 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP385 (D4-Blle | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||
![]() | TLP750 (D4-O-TP4, F) | - | ![]() | 1204 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP750 | - | 1 (illimité) | 264-TLP750 (D4-O-TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP185 (GB-TPR, SE | 0,6000 | ![]() | 2461 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP185 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
![]() | TLP632 (Y, F) | - | ![]() | 2810 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP632 | - | 1 (illimité) | 264-TLP632 (YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP290 (GB, SE | 0,5100 | ![]() | 2539 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP290 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50m | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 400% @ 5mA | 7µs, 7µs | 300 mV | |||||||||||||||
![]() | TLP550 (Hitachi, F) | - | ![]() | 9304 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP550 | - | 1 (illimité) | 264-TLP550 (Hitachif) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP117 (TPR, F) | - | ![]() | 8565 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | TLP117 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6 MFSOP, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 5A991 | 8541.49.8000 | 3 000 | 10 mA | 50mbd | 3NS, 3NS | 1,6 V | 25m | 3750 VRM | 1/0 | 10kV / µs | 20ns, 20ns | |||||||||||||||
![]() | TLP627-2 (TP1, F) | - | ![]() | 4395 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP627 | - | 1 (illimité) | 264-TLP627-2 (TP1F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F (Gr, F | 0,7200 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs conforme | Non applicable | TLP785F (grf | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||
![]() | TLP719 (D4FA-TPS, F) | - | ![]() | 7188 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | Dc | 1 | Transistor | Aile de Goéland à 6 sdip | - | 264-TLP719 (D4FA-TPSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 20V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | 800ns, 800ns (max) | - | |||||||||||||||||
![]() | TLP2161 (F) | - | ![]() | 8290 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TLP2161 | Dc | 2 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-so | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP2161F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 mA | 15MBD | 3NS, 3NS | 1,5 V | 10m | 2500 VRM | 2/0 | 20kV / µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||
TLP5772 (D4, E | 2.4500 | ![]() | 4839 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5772 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 10V ~ 30V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP5772 (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 15ns, 8ns | 1,65 V | 8m | 5000vrms | 1/0 | 35kV / µs | 150ns, 150ns | ||||||||||||||||
![]() | TLP291 (BLL-TP, SE | 0,6100 | ![]() | 6152 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP291 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
![]() | TLP183 (Gr, E | 0,5100 | ![]() | 2219 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP183 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP183 (GRE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||
![]() | Tlp331 (f) | - | ![]() | 6386 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Tlp331 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50m | 8 µs, 8 µs | 55V | 1,15 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10 µs, 8 µs | 400 mV | |||||||||||||||
TLP281 (GB-TP, F) | - | ![]() | 2615 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | TLP281 | Dc | 1 | Transistor | 4-SOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 2500 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||
![]() | TLP785 (D4, F | - | ![]() | 7573 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (D4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV |
Volume de RFQ moyen quotidien
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