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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP768J(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP768J (S, C, F) -
RFQ
 ECAD 7613 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète - - - TLP768 - - - - Rohs conforme 1 (illimité) TLP768J (SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - - - - - -
TLP785(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (d4-grh, f -
RFQ
 ECAD 7042 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (D4-Grhf EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP182(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (BL, E 0,5700
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP182 (BLE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP267J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J (TPL, E 0.9900
RFQ
 ECAD 1432 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP267 CQC, Cur, Ur 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 30 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 200 µA (TYP) Non 500 V / µs (TYP) 3MA 100 µs
TLP385(D4-GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4-grh, e 0,5400
RFQ
 ECAD 5312 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Tlp385 (d4-grhe EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP127(MAT-L-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-L-TPL, F -
RFQ
 ECAD 3726 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (MAT-L-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP627-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 4395 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP627 - 1 (illimité) 264-TLP627-2 (TP1F) TR EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP781F(D4BL-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4BL-TP7, F -
RFQ
 ECAD 2536 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4BL-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP104(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (V4, E 1.5100
RFQ
 ECAD 4721 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP104 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 30V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 8 mA 1Mbps - 1,61 V 25m 3750 VRM 1/0 15kV / µs 550ns, 400ns
TLP2261(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261 (LF4, E 3.0200
RFQ
 ECAD 8964 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2261 Dc 2 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 8-so télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TLP2261 (LF4E EAR99 8541.49.8000 75 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 5000vrms 2/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP2531(QCPL4532,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (QCPL4532, F -
RFQ
 ECAD 4357 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP2531 Dc 2 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP2531 (QCPL4532F EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200ns, 300ns -
TLP2348(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348 (E 1.1200
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2348 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 30V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 264-TLP2348 (E EAR99 8541.49.8000 125 50 mA 10Mbps 3NS, 3NS 1,55 V 15m 3750 VRM 1/0 30kV / µs 120ns, 120ns
TLP291(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (BL-TP, SE 0,6100
RFQ
 ECAD 7938 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP291 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP292(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (GR-TPL, E 0,5600
RFQ
 ECAD 2009 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP733(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (d4 g, m, f) -
RFQ
 ECAD 2075 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP733 - 1 (illimité) 264-TLP733 (D4 GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2468(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468 (F) -
RFQ
 ECAD 5641 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2468 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2468F EAR99 8541.49.8000 100 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,57 V 25m 3750 VRM 1/0 15kV / µs 60ns, 60ns
TLP2761F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F (TP, F) -
RFQ
 ECAD 5383 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2761 AC, DC 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO - Rohs conforme 1 (illimité) TLP2761F (TPF) EAR99 8541.49.8000 2 500 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 5000vrms 1/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP785(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (TP6, F) 0,6400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP785 Dc 1 Transistor 4 md télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 4 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP3073(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073 (F 1.9900
RFQ
 ECAD 1031 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes TLP3073 CQC, Cur, Ur 1 Triac 6 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 50 mA 5000vrms 800 V 100 mA 1MA (TYP) Non 2kV / µs (type) 5ma -
TLP626-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-2 (F) -
RFQ
 ECAD 5043 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 2 Transistor 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP2361(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (E 1.1200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2361 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP2362(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (E) 1.0500
RFQ
 ECAD 1673 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2362 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 25 mA 10mbd 30ns, 30ns 1,55 V 25m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 100ns, 100ns
TLP627M(D4-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (D4-LF1, E 0,9300
RFQ
 ECAD 4484 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 MD (0,300 ", 7,62 mm) TLP627 Dc 1 Darlington 4 md télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 100 150m 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA - 110 µs, 30 µs 1,2 V
TLP127(ITO-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (ito-tpr, u, f -
RFQ
 ECAD 3744 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (Ito-tpruftr EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP732(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 1014 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP732 - 1 (illimité) 264-TLP732 (D4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP733(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-C174, F) -
RFQ
 ECAD 1010 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP733 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs - Rohs conforme Non applicable TLP733 (D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 1 500 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 4000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP385(D4GR-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4gr-tr, e 0,5600
RFQ
 ECAD 3080 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP185(GR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (Gr, E) -
RFQ
 ECAD 8594 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 50m 5 µs, 9µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 300 mV
TLP124(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 5563 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP124 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP285(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP285 (TP, F) -
RFQ
 ECAD 8700 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TLP285 Dc 1 Transistor 4-SOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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