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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP120(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GR-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 1372 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP120 AC, DC 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP120 (GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E (TPL, E) 1.0800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP155 Dc 1 Push-pull, pôle totem 10V ~ 30V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 - 35ns, 15ns 1,55 V 20 mA 3750 VRM 1/0 15kV / µs 170ns, 170ns
TLP185(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB, E) -
RFQ
 ECAD 5085 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 50m 5 µs, 9µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 300 mV
TLP781(D4GRT6-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4GRT6-SD, F -
RFQ
 ECAD 6920 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4GRT6-SDFTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP117(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP117 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 8565 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes TLP117 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 5,5 V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 5A991 8541.49.8000 3 000 10 mA 50mbd 3NS, 3NS 1,6 V 25m 3750 VRM 1/0 10kV / µs 20ns, 20ns
TLP2531(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 8249 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP2531 Dc 2 Base de transistor AVEC 8 mm télécharger 264-TLP2531 (TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200ns, 300ns -
TLP627-4(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4 (Hitomk, F) -
RFQ
 ECAD 2239 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP627 - 1 (illimité) 264-TLP627-4 (Hitomkf) EAR99 8541.49.8000 25
TLP781F(D4-Y-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Y-FD, F) -
RFQ
 ECAD 5912 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4-Y-FDF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP9104A(ND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (ND-TL, F) -
RFQ
 ECAD 9141 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9104A (ND-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP781(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (d4-yh, f) -
RFQ
 ECAD 2989 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4-YHF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP532(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 8121 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP532 - 1 (illimité) 264-TLP532 (BLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (LF6, F -
RFQ
 ECAD 7433 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785(GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GR-TP6, F 0,1515
RFQ
 ECAD 7283 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C TLP785 Dc 1 Transistor télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (GR-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 4 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP9114B(PED-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (PED-TL, F) -
RFQ
 ECAD 8768 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9114B (PED-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (Mat, F) -
RFQ
 ECAD 3433 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP552 - 1 (illimité) 264-TLP552 (MATF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP383(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp383 (d4gb-tl, e 0,6100
RFQ
 ECAD 1349 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes Tlp383 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP383(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp383 (d4 g, e -
RFQ
 ECAD 3269 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes Tlp383 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger 1 (illimité) 264-TLP383 (D4-GBETR EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2200(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 4746 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP2200 - 1 (illimité) 264-TLP2200 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-Fun, F) -
RFQ
 ECAD 3278 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4-FUNF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785(D4-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-LF6, F -
RFQ
 ECAD 5826 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (D4-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2745(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745 (TP, E 1.1100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2745 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 30V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 50 mA - 3NS, 3NS 1,55 V 15m 5000vrms 1/0 30kV / µs 120ns, 120ns
TLP785F(D4GHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GHF7, F -
RFQ
 ECAD 7137 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4GHF7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP3031(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3031 (S, C, F) -
RFQ
 ECAD 8120 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète - Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes TLP3031 Semko, ur 1 Triac 6-Dip (coupé), 5 plomb - Rohs conforme 1 (illimité) TLP3031 (SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - 5000vrms 250 V 100 mA - Oui - 15m -
TLP9114B(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (HNE-TL, F) -
RFQ
 ECAD 9858 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - EAR99 8541.49.8000 1
TLP620-2(YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (Yask, F) -
RFQ
 ECAD 8282 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 2 Transistor 8 plombs télécharger 264-TLP620-2 (Yaskf) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP160G(T5-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (T5-TPL, U, F -
RFQ
 ECAD 6220 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP160G - 1 (illimité) 264-TLP160G (T5-Tpluftr EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP385(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GR-TPL, E 0,5600
RFQ
 ECAD 1320 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2955(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955 (D4-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 6345 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 8 mm télécharger 264-TLP2955 (D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP512(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 7502 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP512 - 1 (illimité) 264-TLP512 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2301(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2301 (TPL, E 0,6000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP2301 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m - 40V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 1mA 600% @ 1mA - 300 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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