SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS66WVC2M16ALL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC2M16ALL-7010BLI -
RFQ
ECAD 9424 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-VFBGA IS66WVC2M16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V 54-VFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 480 Volatil 32mbitons 70 ns Psram 2m x 16 Parallèle 70ns
IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16BLL-70BI-TR -
RFQ
ECAD 5976 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS66WVE2M16 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 2 500 Volatil 32mbitons 70 ns Psram 2m x 16 Parallèle 70ns
IS25LQ080-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080-JKLE-TR -
RFQ
ECAD 8462 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-WDFN IS25LQ080 Flash - ni 2,3V ~ 3,6 V 8-wson (6x5) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 3 000 104 MHz Non volatile 8mbitons Éclair 1m x 8 Spi - quad e / o 1 ms
IS43DR16320D-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBL 2.8719
RFQ
ECAD 5929 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Pas de designs les nouveaux 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 84-TFBGA IS43DR16320 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-TWBGA (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 209 400 MHz Volatil 512mbitons 400 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS43DR16320D-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBL-TR 2.6025
RFQ
ECAD 6908 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 84-TFBGA IS43DR16320 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-TWBGA (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 400 MHz Volatil 512mbitons 400 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS43DR16320D-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBLI-TR 5.2500
RFQ
ECAD 8856 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 84-TFBGA IS43DR16320 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-TWBGA (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 333 MHz Volatil 512mbitons 450 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS43TR85120A-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-15HBL-TR 5.8612
RFQ
ECAD 6065 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA IS43TR85120 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 78-TWBGA (9x10,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 1 500 667 MHz Volatil 4 Gbit 20 ns Drachme 512m x 8 Parallèle 15NS
IS46DR16320D-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-25DBLA1-T-T-TR 6.0000
RFQ
ECAD 2123 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 84-TFBGA IS46DR16320 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-TWBGA (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 400 MHz Volatil 512mbitons 400 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS46DR16320D-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-25DBLA2-TR 7.5150
RFQ
ECAD 9997 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 84-TFBGA IS46DR16320 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-TWBGA (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 400 MHz Volatil 512mbitons 400 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS46DR16320D-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA1-T-T-TR 5.7150
RFQ
ECAD 3850 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 84-TFBGA IS46DR16320 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-TWBGA (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 333 MHz Volatil 512mbitons 450 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS46DR16320D-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA2-TR 5.9536
RFQ
ECAD 1740 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 84-TFBGA IS46DR16320 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-TWBGA (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 333 MHz Volatil 512mbitons 450 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS61LPS102418B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is61lps102418b-200tqli 17.2425
RFQ
ECAD 4475 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61LPS102418 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz Volatil 18mbitons 3 ns Sram 1m x 18 Parallèle -
IS61LPS204818B-200B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204818B-200B3L 89.7750
RFQ
ECAD 2839 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 165-TBGA IS61LPS204818 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 165-TFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz Volatil 36mbitons 3.1 ns Sram 2m x 18 Parallèle -
IS61VVPS204818B-166B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VVPS204818B-166B3LI 139.9172
RFQ
ECAD 1135 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 165-TBGA IS61VVPS204818 Sram - synchrone, d. 1,71 V ~ 1,89 V 165-TFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 144 166 MHz Volatil 36mbitons 3,8 ns Sram 2m x 18 Parallèle -
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10BI-TR 3.0281
RFQ
ECAD 8859 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS61WV25616 Sram - asynchrone 2,4 V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 2 500 Volatil 4mbbitons 10 ns Sram 256k x 16 Parallèle 10ns
IS62WV20488EBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488EBLL-55BLI -
RFQ
ECAD 3791 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS62WV20488 Sram - asynchrone 2.2V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 480 Volatil 16mbitons 55 ns Sram 2m x 8 Parallèle 55ns
IS43LR16160G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160G-6BLI 5.9717
RFQ
ECAD 8649 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43LR16160 SDRAM - LPDDR MOBILE 1,7 V ~ 1,95 V 60-TFBGA (8x10) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 300 166 MHz Volatil 256mbitons 5,5 ns Drachme 16m x 16 Parallèle 15NS
IS43LR16200C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200C-6BL-TR -
RFQ
ECAD 4617 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43LR16200 SDRAM - LPDDR MOBILE 1,7 V ~ 1,95 V 60-TFBGA (8x10) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 2 000 166 MHz Volatil 32mbitons 5,5 ns Drachme 2m x 16 Parallèle 12ns
IS43LR16320C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BL-TR 5.9250
RFQ
ECAD 3402 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43LR16320 SDRAM - LPDDR MOBILE 1,7 V ~ 1,95 V 60-TFBGA (8x10) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 000 166 MHz Volatil 512mbitons 5,5 ns Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS43LR16640A-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640A-6BL-TR 9h0000
RFQ
ECAD 3489 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43LR16640 SDRAM - LPDDR MOBILE 1,7 V ~ 1,95 V 60-TWBGA (8x10) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 2 000 166 MHz Volatil 1 gbit 5 ns Drachme 64m x 16 Parallèle 15NS
IS43LR32160C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BI-TR 7.3800
RFQ
ECAD 4041 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS43LR32160 SDRAM - LPDDR MOBILE 1,7 V ~ 1,95 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 166 MHz Volatil 512mbitons 5,5 ns Drachme 16m x 32 Parallèle 12ns
IS43LR32160C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BL-TR 6.7050
RFQ
ECAD 2677 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS43LR32160 SDRAM - LPDDR MOBILE 1,7 V ~ 1,95 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 166 MHz Volatil 512mbitons 5,5 ns Drachme 16m x 32 Parallèle 12ns
IS43LR32200B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32200B-6BLI -
RFQ
ECAD 8090 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS43LR32200 SDRAM - LPDDR MOBILE 1,7 V ~ 1,95 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 240 166 MHz Volatil 64mbitons 5,5 ns Drachme 2m x 32 Parallèle 15NS
IS43LR32800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BLI 6.3864
RFQ
ECAD 6355 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS43LR32800 SDRAM - LPDDR MOBILE 1,7 V ~ 1,95 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 240 166 MHz Volatil 256mbitons 5,5 ns Drachme 8m x 32 Parallèle 15NS
IS43LR32800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BL-TR 5.3250
RFQ
ECAD 1088 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS43LR32800 SDRAM - LPDDR MOBILE 1,7 V ~ 1,95 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 2 500 166 MHz Volatil 256mbitons 5,5 ns Drachme 8m x 32 Parallèle 15NS
IS43R16160D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6BI-TR 5.5050
RFQ
ECAD 3422 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43R16160 Sdram - ddr 2,3V ~ 2,7 V 60-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 2 500 166 MHz Volatil 256mbitons 700 PS Drachme 16m x 16 Parallèle 15NS
IS43R16160D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TL-TR 3.2757
RFQ
ECAD 6953 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS43R16160 Sdram - ddr 2,3V ~ 2,7 V 66-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 1 500 166 MHz Volatil 256mbitons 700 PS Drachme 16m x 16 Parallèle 15NS
IS43R16320D-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5BLI 9.5792
RFQ
ECAD 5169 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43R16320 Sdram - ddr 2,5 V ~ 2,7 V 60-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 190 200 MHz Volatil 512mbitons 700 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS43R16320D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5BL-TR 7.5000
RFQ
ECAD 5575 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43R16320 Sdram - ddr 2,5 V ~ 2,7 V 60-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 200 MHz Volatil 512mbitons 700 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
IS43R16800E-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-5TLI 2.6286
RFQ
ECAD 2418 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS43R16800 Sdram - ddr 2,3V ~ 2,7 V 66-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 108 200 MHz Volatil 128mbitons 700 PS Drachme 8m x 16 Parallèle 15NS
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