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Circuits Integrés (CI) (5782)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS21ES16G-JQLI | - |  | 9866 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | IS21ES16 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS21ES16G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | EMMC | - | ||
 | IS25LP032D-JBLA3 | 1.7900 | | 4 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | IS25LP032 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LP032D-JBLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | ||
 | IS43TR81024BL-125KBLI | 28.7000 | | 2 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS43TR81024 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR81024BL-125KBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | |
 | IS26KS128S-DPBLI00 | 7.0300 | | 8220 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24-VBGA | IS26KS128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS26KS128S-DPBLI00 | 3A991B2A | 8542.32.0071 | 338 | 166 MHz | Non volatile | 128mbitons | 96 ns | Éclair | 16m x 8 | Parallèle | - | |
 | IS43TR16640CL-125JBL | 3.6500 | | 1 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16640 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR16640CL-125JBL | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |
 | IS43TR82560D-125KBLI | 4.8403 | | 7160 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS43TR82560 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR82560D-125KBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |
 | IS25WQ020-JULE-T-T-T- | - | | 4204 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | IS25WQ020 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2156-IS25WQ020-JULE-TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Spi - quad e / o | 1 ms | ||
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 | IS25LQ040B-JULE-T-T-TR | - | | 4804 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 8 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o | 25 µs, 800 µs | ||||||
| IS43TR16128DL-107MBLI | 6.6300 | | 1 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16128 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1723 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | |
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 | IS43QR16256B-083RBL | 12.0800 | | 1 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-BGA | IS43QR16256 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-BGA | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1733 | EAR99 | 8542.32.0036 | 198 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS43TR16256A-093NBI-TR | - | | 2123 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16256 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR16256A-093NBI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 1 066 GHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |
| IS43TR16256BL-125KBLI-TR | 7.8554 | | 8955 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16256 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR16256BL-125KBLI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |
| IS43TR16128D-125KBL-TR | 3.3306 | | 7590 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16128 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR16128D-125KBL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | |
| IS43TR16128BL-107MBI-TR | - | | 8196 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16128 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR16128BL-107MBI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | |
| IS46TR16256B-125KBLA2 | 9.6817 | | 8818 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16256 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16256B-125KBLA2 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |
| IS46TR16256BL-125KBLA1-T-T-TR | 7.8141 | | 7393 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16256 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16256BL-125KBLA1-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |
| IS43TR16128B-093NBL-TR | - | | 4315 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16128 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR16128B-093NBL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 1 066 GHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | |
 | IS43TR85120A-107MBL-TR | - | | 7116 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS43TR85120 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (9x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR85120A-107MBL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | |
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| IS43TR85120AL-107MBL-TR | - | | 6772 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS43TR85120 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (9x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR85120AL-107MBL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | |
| IS46TR16256B-125KBLA1 | 8.4090 | | 5195 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16256 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16256B-125KBLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |
| IS46TR16640C-125JBLA1 | 3.8222 | | 5486 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16640 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16640C-125JBLA1 | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |
| IS46TR16640CL-125JBLA1-TR | 3.5165 | | 8502 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16640 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16640CL-125JBLA1-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 500 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |
| IS43TR85120A-093NBL-TR | - | | 5302 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS43TR85120 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (9x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR85120A-093NBL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 1 066 GHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | |
| IS46TR16640BL-107MBLA2 | - | | 7240 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16640 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16640BL-107MBLA2 | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |
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