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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Applications	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Fréquence d'Horloge	Nombre de Trities	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Commutateur Interne (s)	Topologie	Tension - alimentation (max)	Atténuation	Tension - alimentation (min)	Tension - Sortie
IS42S16400F-5BL	-	RFQ	6559	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42S16400		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	348		200 MHz		Volatil	64mbitons	5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS43LD16640C-18BLI	8.9643	RFQ	9185	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	134-TFBGA		IS43LD16640		SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0032	171		533 MHz		Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS46R86400D-6BLA1-T-T-TR	9.3450	RFQ	9722	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	60-TFBGA		IS46R86400		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	2 500		166 MHz		Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS46R16320E-6TLA1-TR	6.9878	RFQ	7283	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS46R16320		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	1 500		166 MHz		Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS42S81600D-7TL	-	RFQ	9643	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS42S81600		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	108		143 MHz		Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	-
IS25WP032A-JLLE	-	RFQ	1272	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		IS25WP032		Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-WSON (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B1A	8542.32.0071	480		133 MHz		Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS25LQ020B-JDLE-T-T-TR	-	RFQ	2937	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)		IS25LQ020		Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	3 500		104 MHz		Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS49RL18320-107BL	-	RFQ	1972	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	168 LBGA		IS49RL18320		Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0032	119		933 MHz		Volatil	576mbit	10 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
IS42VS16100C1-10TL-TR	-	RFQ	6253	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS42VS16100		Sdram	1,7 V ~ 1,9 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	1 000		100 MHz		Volatil	16mbitons	7 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS61NVP51236-250B3	-	RFQ	8736	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	165-TBGA		IS61NVP51236		Sram - Synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	144		250 MHz		Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR	20.2500	RFQ	8548	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		Support de surface	100 LQFP		IS64LF25636		Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	800		117 MHz		Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS62WV25616EALL-55TLI-TR	4.0112	RFQ	1068	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS62WV25616		Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	1 000				Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
IS42S32400F-6BI-TR	5.9250	RFQ	9407	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42S32400		Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	2 500		166 MHz		Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS43LD32640B-25BPLI	-	RFQ	2418	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)		Support de surface	168-VFBGA		IS43LD32640		SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0036	168		400 MHz		Volatil	2 gbit		Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
IS62WV102416GBLL-45TLI	8.7377	RFQ	6281	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		IS62WV102416		Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	96				Volatil	16mbitons	45 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	45ns
IS66WV51216DBLL-55BLI	-	RFQ	4389	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	48-TFBGA		IS66WV51216		Psram (pseudo sram)	2,5 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0041	480				Volatil	8mbitons	55 ns	Psram	512k x 16	Parallèle	55ns
IS61NLP25636A-200B3I-TR	-	RFQ	6909	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	165-TBGA		IS61NLP25636		Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	2 000		200 MHz		Volatil	9mbitons	3.1 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS25CD025-JNLE-TR	-	RFQ	5941	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		IS25CD025		Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	3 000		100 MHz		Non volatile	256kbit		Éclair	32k x 8	Pimenter	5 ms
IS43TR82560C-15HBL	5.8712	RFQ	6958	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	78-TFBGA		IS43TR82560		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0036	242		667 MHz		Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS42S32400B-6TL	-	RFQ	7461	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS42S32400		Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	108		166 MHz		Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42S16160B-7BI-TR	-	RFQ	7312	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54-LFBGA		IS42S16160		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-LFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	2 500		143 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42RM16200D-75BI-TR	2.2500	RFQ	2497	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42RM16200		Sdram - mobile	2,3V ~ 2,7 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	2 500		133 MHz		Volatil	32mbitons	6 ns	Drachme	2m x 16	Parallèle	-
IS65WV25616ECLL-45CTLA3-TR	-	RFQ	2678	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS65WV25616		Sram - asynchrone	3.135V ~ 3 465V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	1				Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	45ns
IS61WV25616EDBLL-8BLI	6.9500	RFQ	459	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	48-TFBGA		IS61WV25616		Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	480				Volatil	4mbbitons	8 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	8ns
IS43R86400F-6TLI-TR	5.3639	RFQ	2578	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS43R86400		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	1 500		166 MHz		Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS46TR16128CL-125KBLA2-TR	7.2904	RFQ	9549	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS46TR16128		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0036	1 500		800 MHz		Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS46TR16256AL-15HBLA2	-	RFQ	7878	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS46TR16256		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0036	190		667 MHz		Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
Is31lt3910-grls2-tr	-	RFQ	5261	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Rétros	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Contrôleur DC DC	IS31LT3910	-			8-SOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.39.0001	2 500	-		1								Non	Interrogé (Mâle)	450V	Analogique, PWM	8v	-
IS61QDPB42M36A1-550B4L	-	RFQ	6182	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	165 LBGA		IS61QDPB42		Sram - Port Quad, synchrone	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	105		550 MHz		Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS45S16800F-7CTLA1	5.7164	RFQ	2349	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS45S16800		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	108		143 MHz		Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²