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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS43TR85120AL-125KBL	-	RFQ	9218	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR85120	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	220	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS62WV5128BLL-55BLI	4.1765	RFQ	2330	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS62WV5128	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS61QDB42M18C-250M3	-	RFQ	7464	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB42	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS25LP256D-RGLE	-	RFQ	4994	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS25LP256	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	Non volatile	256mbitons	7 ns	Éclair	32m x 8	En série	800 µs
IS42VM16320D-75BI-TR	-	RFQ	8011	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16320	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS62WV12816BLL-45TLI	3.2692	RFQ	3887	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV12816	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	2mbitons	55 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	55ns
IS42S32160F-7BLI	15.3800	RFQ	6	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS43TR16128A-15HBLI	-	RFQ	5378	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190	667 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS61VPS102436B-166B3LI-TR	87.0000	RFQ	2012	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61VPS102436	Sram - Synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	166 MHz	Volatil	36mbitons	3,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS61QDPB41M36A-400M3L	75.0000	RFQ	5048	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDPB41	Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS43R32160D-5BI-TR	-	RFQ	7485	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-LFBGA	IS43R32160	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	144-LFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	16m x 32	Parallèle	15NS
IS49RL36160-107BLI	-	RFQ	3155	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168 LBGA	IS49RL36160	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	119	933 MHz	Volatil	576mbit	10 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
IS46TR16256A-125KBLA2-TR	-	RFQ	3822	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16256	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS43DR81280C-3DBLI-TR	5.1914	RFQ	3636	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR81280	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 000	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS61VPS25618A-200B3I-TR	-	RFQ	7227	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61VPS25618	Sram - Synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	200 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3.1 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-
IS49NLC18320A-25EWBL	49.5275	RFQ	3618	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA		Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49NLC18320A-25EWBL			104	400 MHz	Volatil	576mbit	15 ns	Drachme	32m x 18	Hstl	-
IS61VPS51236B-200TQLI	17.2425	RFQ	5263	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61VPS51236	Sram - Synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS46TR16128C-15HBLA1	6.1824	RFQ	8133	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190	667 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS61NVF51236-7.5B3-TR	-	RFQ	1386	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NVF51236	Sram - Synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS46TR16512BL-125KBLA1	22.9715	RFQ	1989	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46TR16512BL-125KBLA1			136	800 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
IS64WV6416EEBLL-10CTLA3	4.2446	RFQ	8032	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS64WV6416	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	135		Volatil	1mbit	10 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	10ns
IS62WV25616DBLL-45TI-TR	-	RFQ	8295	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV25616	Sram - asynchrone	2,3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	45ns
IS61C5128AS-25QLI-TR	3.4742	RFQ	8657	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 445 ", 11,30 mm de grandeur)	IS61C5128	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	4mbbitons	25 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	25ns
IS43DR16128C-25DBLI-TR	11.9250	RFQ	6513	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16128	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 500	400 MHz	Volatil	2 gbit	400 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR	2.2588	RFQ	3958	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS62WVS1288	Sram - Synchrone, d.	2.2V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	3 000	20 MHz	Volatil	1mbit		Sram	128k x 8	Spi - quad e / o, sdi	-
IS43TR16256A-125KBL	-	RFQ	3788	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16256	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS43DR16128B-3DBLI	-	RFQ	10000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16128	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TW-BGA (10.5x13.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	162	333 MHz	Volatil	2 gbit	450 PS	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS46R16320E-5BLA1	8.2846	RFQ	8630	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS46R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS42S83200B-7TLI-TR	-	RFQ	8619	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S83200	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS61QDP2B251236A-333M3L	45.0000	RFQ	6373	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDP2	Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	Volatil	18mbitons	8.4 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²