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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS49NLC36160-25BLI	-	RFQ	7267	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC36160	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	104	400 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
IS46TR16640BL-125KBLA3-TR	-	RFQ	1598	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16640	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR16640BL-125KBLA3-TR	EAR99	8542.32.0032	1 500	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS42S83200D-7TLI	-	RFQ	5198	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S83200	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS43R83200D-6TL-TR	4.7033	RFQ	6228	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R83200	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
IS43TR16640B-125KBL	-	RFQ	5901	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16640	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR16640B-125KBL	EAR99	8542.32.0032	190	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS43TR16128C-107MBL-TR	-	RFQ	8329	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	933 MHz	Volatil	2 gbit	195 PS	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS43TR81280BL-125JBLI-TR	-	RFQ	4124	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR81280	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 000	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS66WVS2M8BLL-104NLI	3.3300	RFQ	390	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS66WVS2M8	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS66WVS2M8BLL-104NLI	3A991B2A	8542.32.0041	100	104 MHz	Volatil	16mbitons	7 ns	Psram	2m x 8	Spi, qpi	-
IS25LX128-JHLE	4.2600	RFQ	9229	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS25LX128	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25LX128-JHLE	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - e / s octal	-
IS43LR16320C-6BI-TR	6.5100	RFQ	7351	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43LR16320	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-TFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 000	166 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS66WVE2M16EBLL-70BLI	4.0700	RFQ	7	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS66WVE2M16	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1546	3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	32mbitons	70 ns	Psram	2m x 16	Parallèle	70ns
IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR	2.1457	RFQ	7199	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		Psram (pseudo sram)	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR			3 000	104 MHz	Volatil	16mbitons	7 ns	Psram	2m x 8	Spi, qpi	-
IS62WV2568FBLL-45TLI	1.6913	RFQ	9471	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS62WV2568FBLL-45TLI			156		Volatil	2mbitons	45 ns	Sram	256k x 8	Parallèle	45ns
IS61LF51236A-7.5TQI	-	RFQ	3646	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF51236	Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS45S16800E-7BLA1-T-T-TR	-	RFQ	6256	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS45S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS43R86400D-6BI-TR	8.4600	RFQ	9516	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R86400	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS46TR16640B-125JBLA1	-	RFQ	9722	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16640	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	190	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS42S32200E-6BI-TR	-	RFQ	6539	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS61WV204816ALL-10TLI	-	RFQ	5990	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS61WV204816	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	96		Volatil	32mbitons	10 ns	Sram	2m x 16	Parallèle	10ns
IS25LP032D-JNLA3	1,6000	RFQ	7	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LP032	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25LP032D-JNLA3	3A991B1A	8542.32.0071	100	133 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS42S16400J-7BLI	2.0049	RFQ	2254	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS62C5128EL-45QLI	3.5516	RFQ	7679	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 445 ", 11,30 mm de grandeur)		Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-SOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS62C5128EL-45QLI			84		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	45ns
IS62WV2568EBLL-45HLI-TR	2.3162	RFQ	9557	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand)	IS62WV2568	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		Volatil	2mbitons	45 ns	Sram	256k x 8	Parallèle	45ns
IS46TR16640BL-125JBLA1-TR	-	RFQ	3377	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16640	Sdram - ddr3	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 500	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	-
IS49NLC93200-25WBLI	-	RFQ	1258	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC93200	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	104	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	32m x 9	Parallèle	-
Is29gl128-70dleb	6.8500	RFQ	2	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	IS29GL128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-LFBGA (9x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS29GL128-70DEBB	3A991B1A	8542.32.0071	260		Non volatile	128mbitons	70 ns	Éclair	16m x 8	Parallèle	200 µs
IS63LV1024L-12H	-	RFQ	1060	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand)	IS63LV1024	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	32-stsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	234		Volatil	1mbit	12 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	12ns
IS66WVE2M16EBLL-55BLI	-	RFQ	9294	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS66WVE2M16	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	32mbitons	55 ns	Psram	2m x 16	Parallèle	55ns
IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR	12.3750	RFQ	7675	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61WV102416	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
IS62WV25616DALL-55TL-TR	-	RFQ	1448	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV25616	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²