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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Applications	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Fréquence d'Horloge	Nombre de Trities	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Commutateur Interne (s)	Topologie	Tension - alimentation (max)	Atténuation	Tension - alimentation (min)	Tension - Sortie
IS25LP256D-RGLE	-	RFQ	4994	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	24 TBGA		IS25LP256		Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	480		133 MHz		Non volatile	256mbitons	7 ns	Éclair	32m x 8	En série	800 µs
IS42S32800J-7TLI	7.2600	RFQ	1	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS42S32800		Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108		143 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42VM16320D-75BI-TR	-	RFQ	8011	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42VM16320		Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500		133 MHz		Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS25CQ032-JFLE	-	RFQ	3567	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)		IS25CQ032		Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	90		104 MHz		Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Pimenter	4 ms
IS43R32160D-5BI-TR	-	RFQ	7485	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	144-LFBGA		IS43R32160		Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	144-LFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500		200 MHz		Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	16m x 32	Parallèle	15NS
IS25LP256H-RHLE-TR	3.4791	RFQ	7285	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	24 TBGA				Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LP256H-RHLE-TR			2 500		166 MHz		Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 1 ms
IS43DR81280C-3DBLI-TR	5.1914	RFQ	3636	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	60-TFBGA		IS43DR81280		Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 000		333 MHz		Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS46TR16128D-125KBLA2-TR	5.4312	RFQ	2641	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS46TR16128		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR16128D-125KBLA-TR	EAR99	8542.32.0036	1 500		800 MHz		Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS49NLC18320A-25EWBL	49.5275	RFQ	3618	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	144-TFBGA				Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49NLC18320A-25EWBL			104		400 MHz		Volatil	576mbit	15 ns	Drachme	32m x 18	Hstl	-
IS61VPS51236B-200TQLI	17.2425	RFQ	5263	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	100 LQFP		IS61VPS51236		Sram - Synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72		200 MHz		Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS46TR16512BL-125KBLA1	22.9715	RFQ	1989	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA				Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46TR16512BL-125KBLA1			136		800 MHz		Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
IS42S32200L-7BL-TR	3.7974	RFQ	1798	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42S32200		Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500		143 MHz		Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS42S32800D-6BLI	-	RFQ	3530	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42S32800		Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240		166 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS62WV12816BLL-45TLI	3.2692	RFQ	3887	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS62WV12816		Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135				Volatil	2mbitons	55 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	55ns
IS43TR16128A-15HBLI	-	RFQ	5378	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS43TR16128		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190		667 MHz		Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS46TR16256A-125KBLA2-TR	-	RFQ	3822	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS46TR16256		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500		800 MHz		Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS43TR81280B-15GBL-TR	-	RFQ	2202	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	78-TFBGA		IS43TR81280		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 000		667 MHz		Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS61QDPB41M36A-400M3L	75.0000	RFQ	5048	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	165 LBGA		IS61QDPB41		Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105		400 MHz		Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS62WV5128BLL-55BLI	4.1765	RFQ	2330	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	36-TFBGA		IS62WV5128		Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480				Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS61QDB42M18C-250M3	-	RFQ	7464	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	165 LBGA		IS61QDB42		Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105		250 MHz		Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS32BL3552-ZLA3	-	RFQ	9351	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Automobile, rétroséclairage	Support de surface	Téléphone 16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm)	Contrôleur DC DC	IS32BL3552	520 kHz			16-pavé	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	60	360mA		2								Non	Step-up (boost)	33v	PWM	4,5 V	53v
IS61WV25616EDBLL-10BLI	4.2400	RFQ	480	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	48-TFBGA		IS61WV25616		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480				Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TR	7.5000	RFQ	5923	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		Support de surface	36-TFBGA		IS64WV5128		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500				Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	10ns
IS42RM32160E-75BLI	10.7025	RFQ	4408	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42RM32160		Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240		133 MHz		Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS61QDPB42M36A1-500M3LI	117.1779	RFQ	6457	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	165 LBGA		IS61QDPB42		Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105		500 MHz		Volatil	72mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS43TR85120A-093NBL	-	RFQ	9511	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	78-TFBGA		IS43TR85120		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (9x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR85120A-093NBL	EAR99	8542.32.0036	220		1 066 GHz		Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS61NLF51236-7.5TQLI	-	RFQ	4006	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	100 LQFP		IS61NLF51236		Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72		117 MHz		Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS61QDB41M36-250M3L	-	RFQ	5697	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	165 LBGA		IS61QDB41		Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105		250 MHz		Volatil	36mbitons	7,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS42S32400B-7TLI	-	RFQ	7064	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS42S32400		Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108		143 MHz		Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS49RL36320-093EBL	117.8521	RFQ	1477	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	168 LBGA				Rldram 3	1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49RL36320-093EBL			119		1 066 GHz		Volatil	1 152 gbit	8 ns	Drachme	32m x 36	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²