SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS61VVPS204818B-166B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VVPS204818B-166B3LI-TR 137.8300
RFQ
ECAD 5146 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 165-TBGA IS61VVPS204818 Sram - synchrone, d. 1,71 V ~ 1,89 V 165-TFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 2 000 166 MHz Volatil 36mbitons 3,8 ns Sram 2m x 18 Parallèle -
IS66WVQ8M4DBLL-133BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ8M4DBLL-133BLI 3.8900
RFQ
ECAD 466 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 24 TBGA IS66WVQ8M4 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V 24-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS66WVQ8M4DBLL-133BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 133 MHz Volatil 32mbitons Psram 8m x 4 Spi - quad e / o 45ns
IS61WV12816DBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816DBLL-10TLI 2.9802
RFQ
ECAD 9028 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS61WV12816 Sram - asynchrone 3V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 135 Volatil 2mbitons 10 ns Sram 128k x 16 Parallèle 10ns
IS43DR16128C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-25DBLI 14.9100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 84-TFBGA IS43DR16128 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-TWBGA (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-1568 EAR99 8542.32.0036 209 400 MHz Volatil 2 gbit 400 ns Drachme 128m x 16 Parallèle 15NS
IS42RM32800E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800E-6BLI 9.2729
RFQ
ECAD 5441 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS42RM32800 Sdram - mobile 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 240 166 MHz Volatil 256mbitons 5,5 ns Drachme 8m x 32 Parallèle -
IS45VM16800E-75BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800E-75BLA1-T-T-TR -
RFQ
ECAD 7782 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS45VM16800 Sdram - mobile 1,7 V ~ 1,95 V 54-TFBGA (8x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 2 500 133 MHz Volatil 128mbitons 5.4 ns Drachme 8m x 16 Parallèle -
IS43DR16160A-5BBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-5BBI-TR -
RFQ
ECAD 7961 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 84-TFBGA IS43DR16160 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-TWBGA (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 2 500 200 MHz Volatil 256mbitons 600 PS Drachme 16m x 16 Parallèle 15NS
IS42SM16400K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400K-75BI-TR -
RFQ
ECAD 8581 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS42SM16400 Sdram - mobile 3V ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 2 500 133 MHz Volatil 64mbitons 6 ns Drachme 4m x 16 Parallèle -
IS43DR86400C-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBL-TR 5.6400
RFQ
ECAD 4396 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43DR86400 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 60-TWBGA (8x10,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 000 400 MHz Volatil 512mbitons 400 PS Drachme 64m x 8 Parallèle 15NS
IS42S83200J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-6TL 3.1428
RFQ
ECAD 9480 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) IS42S83200 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 108 166 MHz Volatil 256mbitons 5.4 ns Drachme 32m x 8 Parallèle -
IS46TR16128C-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA2 7.7423
RFQ
ECAD 5241 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS46TR16128 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 190 800 MHz Volatil 2 gbit 20 ns Drachme 128m x 16 Parallèle 15NS
IS42S32400F-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6B-TR -
RFQ
ECAD 8922 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3V ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 2 500 166 MHz Volatil 128mbitons Drachme 4m x 32 Parallèle -
IS61LPS12836EC-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836EC-200TQLI-TR 6.8099
RFQ
ECAD 2362 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61LPS12836 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz Volatil 4,5 Mbit 3.1 ns Sram 128k x 36 Parallèle -
IS25WQ020-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JKLE -
RFQ
ECAD 2444 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-WDFN IS25WQ020 Flash - ni 1,65 V ~ 1,95 V 8-wson (6x5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 570 104 MHz Non volatile 2mbitons Éclair 256k x 8 Pimenter 1 ms
IS61LV51216-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV51216-10TLI -
RFQ
ECAD 5947 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS61LV51216 Sram - asynchrone 3.135V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 135 Volatil 8mbitons 10 ns Sram 512k x 16 Parallèle 10ns
IS62WV51216EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EBLL-45BLI 6.5500
RFQ
ECAD 10 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-VFBGA IS62WV51216 Sram - asynchrone 2.2V ~ 3,6 V 48-VFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 480 Volatil 8mbitons 45 ns Sram 512k x 16 Parallèle 45ns
IS66WVQ2M4DBLL-133BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ2M4DBLL-133BLI 3.0900
RFQ
ECAD 330 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 24 TBGA IS66WVQ2M4 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V 24-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS66WVQ2M4DBLL-133BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 133 MHz Volatil 8mbitons Psram 2m x 4 Spi - quad e / o 37,5ns
IS43LR32160B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160B-6BI-TR -
RFQ
ECAD 3293 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS43LR32160 SDRAM - LPDDR MOBILE 1,7 V ~ 1,95 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 2 500 166 MHz Volatil 512mbitons 5,5 ns Drachme 16m x 32 Parallèle 12ns
IS61NVP102418-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP102418-200B3-TR -
RFQ
ECAD 9886 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 165-TBGA IS61NVP102418 Sram - synchrone, d. 2 375V ~ 2 625V 165-TFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 2 000 200 MHz Volatil 18mbitons 3.1 ns Sram 1m x 18 Parallèle -
IS61LF51236A-6.5B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B2LI -
RFQ
ECAD 7968 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 119-BBGA IS61LF51236 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3,6 V 119-PBGA (14x22) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 MHz Volatil 18mbitons 6.5 ns Sram 512k x 36 Parallèle -
IS49NLS93200A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200A-25WBLI 30.5534
RFQ
ECAD 8935 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1,7 V ~ 1,9 V 144-TWBGA (11x18,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS49NLS93200A-25WBLI 104 400 MHz Volatil 288mbitons 20 ns Drachme 32m x 9 Hstl -
IS61C3216AL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C3216AL-12TLI 1.9868
RFQ
ECAD 8133 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS61C3216 Sram - asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2B 8542.32.0041 135 Volatil 512kbit 12 ns Sram 32k x 16 Parallèle 12ns
IS46DR16128A-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128A-3DBLA2-TR -
RFQ
ECAD 7780 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 84-LFBGA IS46DR16128 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-LFBGA (10,5x13,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 1 500 333 MHz Volatil 2 gbit 450 PS Drachme 128m x 16 Parallèle 15NS
IS42RM16160D-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160D-7BL -
RFQ
ECAD 9755 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS42RM16160 Sdram - mobile 2,3V ~ 2,7 V 54-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 240 143 MHz Volatil 256mbitons 5.4 ns Drachme 16m x 16 Parallèle -
IS49RL18320-125EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-125EBLI -
RFQ
ECAD 9900 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 168 LBGA IS49RL18320 Drachme 1,28 V ~ 1,42 V 168-FBGA (13,5x13,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 119 800 MHz Volatil 576mbit 10 ns Drachme 32m x 18 Parallèle -
IS43R16160D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6BLI 6.1578
RFQ
ECAD 5488 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 60-TFBGA IS43R16160 Sdram - ddr 2,3V ~ 2,7 V 60-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 190 166 MHz Volatil 256mbitons 700 PS Drachme 16m x 16 Parallèle 15NS
IS43DR16640B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBLI 8.9400
RFQ
ECAD 209 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 84-TFBGA IS43DR16640 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-TWBGA (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-1277 EAR99 8542.32.0032 209 333 MHz Volatil 1 gbit 450 PS Drachme 64m x 16 Parallèle 15NS
IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR 2.6470
RFQ
ECAD 4546 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS62WV5128 Sram - asynchrone 2.2V ~ 3,6 V 32-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 000 Volatil 4mbbitons 45 ns Sram 512k x 8 Parallèle 45ns
IS46TR81024BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81024BL-125KBLA1 24.4586
RFQ
ECAD 7407 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 En gros Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 78-TWBGA (10x14) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS46TR81024BL-125KBLA1 136 800 MHz Volatil 8 Gbit 20 ns Drachme 1g x 8 Parallèle 15NS
IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR 7.0800
RFQ
ECAD 7985 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS64WV12816 Sram - asynchrone 2,4 V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 2 500 Volatil 2mbitons 12 ns Sram 128k x 16 Parallèle 12ns
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