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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Applications	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Fréquence d'Horloge	Nombre de Trities	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Commutateur Interne (s)	Topologie	Tension - alimentation (max)	Atténuation	Tension - alimentation (min)	Tension - Sortie
IS49NLS93200-33WBLI	-	RFQ	5486	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	144-TFBGA		IS49NLS93200		Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	104		300 MHz		Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	32m x 9	Parallèle	-
IS43TR16128B-15HBI-TR	-	RFQ	9278	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS43TR16128		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500		667 MHz		Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS43TR16512S2DL-125KBLI	21.2437	RFQ	6935	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-LFBGA		IS43TR16512		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-LWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR16512S2DL-125KBLI	EAR99	8542.32.0036	190		800 MHz		Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
IS46LQ16256A-062TBLA1-T-T-TR	12.8611	RFQ	9186	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	200-TFBGA				SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46LQ16256A-062TBLA1-TR			2 500		1,6 GHz		Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Lvstl	-
IS43TR85120AL-15HBI-TR	-	RFQ	3634	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	78-TFBGA		IS43TR85120		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500		667 MHz		Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS32FL3740-ZLA3	-	RFQ	7599	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Mais Général	Support de surface	20-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grand)	Linéaire	IS32FL3740	1 MHz			20-pavé	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	70	84m		7								Non	-	5,5 V	PWM	2,7 V	-
IS42SM32800K-75BLI	5.8888	RFQ	9394	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42SM32800		Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240		133 MHz		Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS61WV102416FBLL-8TLI-TR	10.0200	RFQ	4794	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		IS61WV102416		Sram - double port, asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 500				Volatil	16mbitons	8 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	8ns
IS42VM32160D-6BLI	-	RFQ	7358	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	90-TFBGA		IS42VM32160		Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240		166 MHz		Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS61WV25616BLL-10KLI	4.2601	RFQ	8150	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS61WV25616		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	16				Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3	12.6597	RFQ	5771	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)				Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3			96				Volatil	8mbitons	10 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	10ns
IS43TR16640B-125KBL-TR	-	RFQ	6334	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA		IS43TR16640		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR16640B-125KBL-TR	EAR99	8542.32.0032	1 500		800 MHz		Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16320F-6BLI	11.9356	RFQ	3137	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42S16320		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240		167 MHz		Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS45S16160J-7BLA2	4.7663	RFQ	2946	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS45S16160		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	348		143 MHz		Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS25LP01G-RILA3-TR	12.3291	RFQ	1835	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		Support de surface	24 lbga				Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-lfbga (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LP01G-RILA3-TR			2 500		133 MHz		Non volatile	1 gbit	8 ns	Éclair	128m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 1 ms
IS29GL064-70TLEB	4.6200	RFQ	242	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		IS29GL064		Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS29GL064-70TLEB	3A991B1A	8542.32.0071	96				Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8	Parallèle	75ns
IS45S16100H-7TLA2-TR	2.4051	RFQ	9948	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)		IS45S16100		Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000		143 MHz		Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS61LPS51236B-200B3LI	20.7400	RFQ	3701	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	165-TBGA		IS61LPS51236		Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144		200 MHz		Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS25WX512M-JHLE	7.5600	RFQ	2414	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	24 TBGA		IS25WX512M		Éclair	1,7 V ~ 2V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25WX512M-JHLE	3A991B1A	8542.32.0071	480		200 MHz		Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - e / s octal	-
IS61NLP51236-250B3-TR	-	RFQ	1506	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	165-TBGA		IS61NLP51236		Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		250 MHz		Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS43TR81024BL-125KBL	20.8861	RFQ	8415	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)		Support de surface	78-TFBGA				Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR81024BL-125KBL			136		800 MHz		Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	1g x 8	Parallèle	15NS
IS43R86400F-5TL	4.5000	RFQ	83	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		IS43R86400		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1552	EAR99	8542.32.0028	108		200 MHz		Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS46TR16256B-107MBLA2-TR	9.2887	RFQ	2650	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)		Support de surface	96-TFBGA				Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46TR16256B-107MBLA2-TR			1 500		933 MHz		Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS42VM16800G-6BL	-	RFQ	9531	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Support de surface	54-TFBGA		IS42VM16800		Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348		166 MHz		Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS26KL128S-DABLI00	6.7800	RFQ	2695	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	24-VBGA		IS26KL128		Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS26KL128S-DABLI00	3A991B1A	8542.32.0071	338		100 MHz		Non volatile	128mbitons	96 ns	Éclair	16m x 8	Parallèle	-
IS66WVH8M8DBL-100B1LI-TR	3.0653	RFQ	5994	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	24 TBGA				Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V, 2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR			2 500		100 MHz		Volatil	64mbitons	40 ns	Psram	8m x 8	Hyperbus	40ns
IS25WX128-JHLE-TR	3.1230	RFQ	8705	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	24 TBGA		IS25WX128		Éclair	1,7 V ~ 2V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25WX128-JHLE-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2 500		200 MHz		Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - e / s octal	-
IS25LQ080B-JKLE-TR	-	RFQ	1575	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		IS25LQ080		Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000		104 MHz		Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS61LV5128AL-10BI-TR	-	RFQ	7344	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	36-TFBGA		IS61LV5128		Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	36-MINIBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500				Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	10ns
IS46R16160F-5BLA1-TR	4.9174	RFQ	9741	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Support de surface	60-TFBGA		IS46R16160		Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500		200 MHz		Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS

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