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Circuits Integrés (CI) (5782)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS62WV25616DALL-55TI	-	RFQ	2832	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV25616	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
IS62WV5128DALL-55TLI	-	RFQ	9574	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV5128	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS62WV5128DALL-55T2LI-TR	-	RFQ	2772	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV5128	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS62WV5128DALL-55BI-TR	-	RFQ	4891	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS62WV5128	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS62WV25616EALL-55TLI	4.4684	RFQ	9715	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV25616	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
IS62WV25616EALL-55BI	-	RFQ	1692	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	IS62WV25616	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
IS62WV25616EALL-55BI-TR	4.1409	RFQ	1999	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	IS62WV25616	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
IS62WV25616EBLL-55TLI	-	RFQ	2137	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV25616	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
IS62WV5128EALL-55BI-TR	-	RFQ	2031	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS62WV5128	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS66WVE2M16ALL-7010BLI	-	RFQ	7351	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS66WVE2M16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	32mbitons	70 ns	Psram	2m x 16	Parallèle	70ns
IS25LP032D-JLLE	1.4400	RFQ	1041	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25LP032	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-WSON (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS61DDB21M36C-300M3L	-	RFQ	3251	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61DDB21	Sram - Synchrones, DDR II	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS61QDB22M18C-250M3L	-	RFQ	9855	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB22	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS61QDB42M18C-250M3L	-	RFQ	7927	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB42	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS61QDB42M18C-333M3I	-	RFQ	9825	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB42	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS46TR16128CL-125KBLA1-TR	5.9302	RFQ	5807	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16128	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0036	1 500	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS46TR16128C-125KBLA1	6.3746	RFQ	7108	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0036	190	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS46R16320E-5TLA1-TR	7.1705	RFQ	9412	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS46R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	1 500	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS46TR16640B-125JBLA1-TR	-	RFQ	1163	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16640	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0032	1 500	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS46TR16640B-15GBLA1-TR	-	RFQ	4950	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16640	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0032	1 500	667 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS49NLC36800-25WBL	-	RFQ	2041	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC36800	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	104	400 MHz	Volatil	288mbitons	15 ns	Drachme	8m x 36	Parallèle	-
IS49NLC93200-33WBLI	-	RFQ	4921	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC93200	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	104	300 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	32m x 9	Parallèle	-
IS49NLC96400A-25WBL	52.8000	RFQ	2939	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC96400	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0032	104	400 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	64m x 9	Parallèle	-
IS49NLS93200-25WBLI	-	RFQ	6753	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLS93200	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	104	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	32m x 9	Parallèle	-
IS61LPS25636B-200TQLI-TR	11.4000	RFQ	9806	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LPS25636	Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	Volatil	9mbitons	3.1 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS61NLP51218B-2000TTQLI-TR	11.4000	RFQ	2440	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLP51218	Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	Volatil	9mbitons	3.1 ns	Sram	512k x 18	Parallèle	-
IS61QDPB41M36A1-400B4LI	75.0000	RFQ	2677	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61QDPB41	Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	144	400 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS61VPS102436B-166B3LI	87.0000	RFQ	4199	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61VPS102436	Sram - Synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	144	166 MHz	Volatil	36mbitons	3,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS61WV102416DALL-10TLI	-	RFQ	6196	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS61WV102416	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	96		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
IS61WV102416DALL-10TLI-TR	-	RFQ	9528	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS61WV102416	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	1 500		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (CI) (5782)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²