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Geste de l'alimentation (PMIC) (1138)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Applications Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Tension - entrée (max) Type de sortie Triir Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fonction COURANT - Sortie / Canal Interface Nombre de Trities Réinitialiste Current - Quiescent (IQ) Courant - alimentation (max) Commutateur Interne (s) Topologie FRÉQUENCE - Commutation Caratérales de contôle Tension - alimentation (max) Configuration de la sortie Courant - Sortie Tension - Chargement Type de moteur - Stepper Type de moteur - AC, DC Résolution de pas Atténuation Tension - alimentation (min) Tension - Sortie Mode Current - Startup Nombre de Tensions Surveillees Tension - Seuil Tension - Sortie (min / fixe) Tension - Sortie (max) Nombre de régulateurs Dépôt de tension (max) Psrr Caractéristique de protection
TB67S101AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S101AFTG, EL 3.1400
RFQ
 ECAD 1948 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface Pad Exposé 48-WFQFN TB67S101 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 3A 10V ~ 47V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4
TCTH021AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021AE, LF (CT 0,5000
RFQ
 ECAD 2210 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TCTH0XXXE Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface Thermique Push-pull, pôle totem - Rohs3 conforme 1 (illimité) 4 000 - 1 0,5 V
TB6562ANG Toshiba Semiconductor and Storage TB6562ang -
RFQ
 ECAD 7296 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Par le trou 24-mères (0,300 ", 7,62 mm) TB6562 DMOS 10V ~ 34V 24 sdip télécharger 1 (illimité) TB6562ang (O) EAR99 8542.39.0001 100 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 1.5a 10V ~ 34V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4
TB6561FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6561FG, 8, El 3 5800
RFQ
 ECAD 2288 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface 30-BSOP (0,295 ", 7,50 mm de grand) TB6561 Bi-CMOS 10v ~ 36V 30 ssop télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM Demi-pont (4) 1.5a 10v ~ 36V - DC Brossé -
TA78L006AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L006AP, WNLF (J -
RFQ
 ECAD 3934 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L006 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6 mA - Positif 150m 6V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 47 dB (120 Hz) Sur le Courant
TCR2DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2dg33, lf 0,5000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4-ufbga, wlcsp Tcr2dg33 5,5 V Fixé 4-WCSP (0,79x0,79) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 70 µA - Positif 200m 3,3 V - 1 0.11V @ 100mA - Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique
TB67S141NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S141NG 4.8600
RFQ
 ECAD 7172 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Par le trou 24-mères (0,300 ", 7,62 mm) TB67S141 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 24 sdip télécharger Rohs3 conforme Non applicable TB67S141NG (O) EAR99 8542.39.0001 20 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (2) 3A 10V ~ 40V Unipolaire - 1, 1/2, 1/4
TCR5BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Tcr5bm11a, l3f 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr5bm Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-XDFN Tcr5bm11 5,5 V Fixé 5-DFNB (1.2x1.2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 36 µA Limite Actulaire, acteur Positif 500mA 1,1 V - 1 0,14 V @ 500mA 98 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TCR2LN12,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2ln12, lf 0,0896
RFQ
 ECAD 4291 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ln Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 4-XFDFN Tcr2ln12 5,5 V Fixé 4-SDFN (0,8x0,8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 µA Acteur Positif 200m 1,2 V - 1 1,23 V @ 150mA - Sur le Courant
TCR2LN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2ln15, lf (se 0,3800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ln Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 4-XFDFN 5,5 V Fixé 4-SDFN (0,8x0,8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 µA Acteur Positif 200m 1,5 V - 1 1.11V @ 150mA - Sur le Courant
TA58M08S(LS2FJT,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S (LS2FJT, aq -
RFQ
 ECAD 6568 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58M08 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 80 mA - Positif 500mA 8v - 1 0,65 V @ 500mA - Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse
TA7267BP(O) Toshiba Semiconductor and Storage TA7267BP (O) -
RFQ
 ECAD 6627 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -30 ° C ~ 75 ° C (TA) Lecteur multimédia Par le trou Onglet à 7 SIP Exposé TA7267 Bipolaire 6V ~ 18V 7-HSIP - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 25 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (2) 1A 0v ~ 18V - DC Brossé -
TB62755FPG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62755FPG, EL -
RFQ
 ECAD 7502 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Rétros Support de surface Pad Exposé 6-UFDFN Régulateur DC DC TB62755 1 MHz 6 films (1,8x2) télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 20 mA 1 Oui Step-up (boost) 5,5 V PWM 2,8 V -
TA78L015AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP, T6F (J -
RFQ
 ECAD 4437 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L015 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 15V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 40 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
TCR2LE33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2le33, LM (CT 0,4100
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2le Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface SOT-553 Tcr2le33 5,5 V Fixé ESV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 2 µA Acteur Positif 200m 3,3 V - 1 0,3 V @ 150mA - Sur le Courant
TC62D902FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D902FG, C, 8, EL 0,7648
RFQ
 ECAD 4860 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Éclairage Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) AC DC DC DCOSTORER OFFLINE TC62D902 200 kHz 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 500 - 1 Non Rechanger 25V Triac 1,8 V 15V
TCR2LN15,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2ln15, lf -
RFQ
 ECAD 7538 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ln Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 4-XFDFN Tcr2ln15 5,5 V Fixé 4-SDFN (0,8x0,8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 µA Acteur Positif 200m 1,5 V - 1 1.11V @ 150mA - Sur le Courant
TA78L015AP(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP (F, M) -
RFQ
 ECAD 3595 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L015 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 6 mA 6.5 Ma - Positif 150m 15V - 1 - 41 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
TB67S101AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S101AFNG, EL 1.8746
RFQ
 ECAD 5195 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface 48-TFSOP (0 240 ", 6,10 mm de grand) exposé pavé TB67S101 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 48-HTSSOP télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 1 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 3A 10V ~ 47V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4
TAR5S50UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S50UTE85LF 0,5400
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 mm (5 leads), plomb plat TAR5S50 15V Fixé UFV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 850 µA Acteur Positif 200m 5V - 1 0,2 V @ 50mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TCR1HF50B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF50B, LM (CT 0,4800
RFQ
 ECAD 6529 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Actif - 3 000
TB6608FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6608FNG, C8, EL 2.7300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface 20 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TB6608 MOSFET POWER 2,7 V ~ 5,5 V 20 ssop télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 600mA 2,5 V ~ 13,5 V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4, 1/8
TB6818FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6818FG, EL -
RFQ
 ECAD 3311 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban de Coupé (CT) Obsolète -25 ° C ~ 85 ° C Support de surface 16-SOP (0,181 ", 4,60 mm de grandeur) TB6818 8.4V ~ 26V 16-SSOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 20 kHz ~ 150 kHz Conduction continue (CCM) 30 µA
TC78H651AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651AFNG, EL 1.2900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Mais Général Support de surface 16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) TC78H651 DMOS - 16-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation - Demi-pont (4) 2A 1,8 V ~ 7,5 V DC Brossé -
TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3dm28, lf 0,0926
RFQ
 ECAD 9748 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3dm Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-UDFN Tcr3dm28 5,5 V Fixé 4-DFN (1x1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 65 µA 78 µA Acteur Positif 300mA 2,8 V - 1 0,25 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TA48L025F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L025F (TE12L, F) -
RFQ
 ECAD 4325 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface À 243aa TA48L025 16V Fixé PW-MINI (SOT-89) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 000 800 µA 5 mA - Positif 150m 2,5 V - 1 0,5 V @ 100mA 70 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
TCR2LF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF36, LM (CT 0,3900
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2lf Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr2lf36 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 2 µA Acteur Positif 200m 3,6 V - 1 0,3 V @ 150mA - Sur le Courant
TC78H600FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H600FNG, C, EL 1.9100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface 20 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TC78H600 DMOS 2,7 V ~ 5,5 V 20 ssop télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM Demi-pont (4) 800mA 2,5 V ~ 15V - DC Brossé -
TA58M05S,HOTIKIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S, HOTIKIQ (M -
RFQ
 ECAD 5233 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58M05 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 80 mA - Positif 500 µA 5V - 1 0,65 V @ 500mA - Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse
TA58L05S,LS2TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, LS2TOKQ (J -
RFQ
 ECAD 3958 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58L05 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 50 mA - Positif 250mA 5V - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

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    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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