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Geste de l'alimentation (PMIC) (1138)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Applications Type de Montage Package / ÉTUI Caractéristique Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie COURANT - ApprovisionNation Tension - entrée Tension - entrée (max) Type de sortie Coefficient de température Ratio - Entrée: Sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fonction Type de Référence Tension - alimentation (VCC / VDD) Interface Nombre de Trities Current - Quiescent (IQ) Courant - alimentation (max) Topologie FRÉQUENCE - Commutation Protection contre les pannes Caratérales de contôle Configuration de la sortie Réparation de synchrone Courant - Sortie RDS SUR (TYP) Tension - Chargement Type de moteur - Stepper Type de moteur - AC, DC Résolution de pas Mode Current - Startup Type de commutateur Courant - Sortie (Max) Tension - Sortie (min / fixe) Bruit - 0,1 Hz à 10Hz Bruit - 10 Hz à 10 kHz Tension - Sortie (max) Tension - entrée (min) Nombre de régulateurs Dépôt de tension (max) Psrr Caractéristique de protection
TCR3DM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3dm11, lf 0,0926
RFQ
 ECAD 7329 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-UDFN Tcr3dm11 5,5 V Fixé 4-DFN (1x1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 65 µA 78 µA Acteur Positif 300mA 1,1 V - 1 - 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TB6642FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6642FG, 8, El 2.7700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface 16 BSOP (0,252 ", 6,40 mm de grosur) + 2 onglets de chaleur TB6642 Bi-CMOS 10V ~ 45V 16-HSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 500 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle, PWM Demi-pont (2) 1.5a 10V ~ 45V - DC Brossé -
TA58M15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M15S, Q (J -
RFQ
 ECAD 7560 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58M15 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1,4 mA 80 mA - Positif 500mA 15V - 1 0,65 V @ 500mA - Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse
TCK22975G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22975G, LF 0.1807
RFQ
 ECAD 3375 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 6-ufbga, wlcsp Taux de Balayage Contrôlé TCK22975 Sans inversion Canal p 1: 1 6-WCSPE (0,80x1.2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 Pas requis En Marche / Arête 1 Courant Inversé Côté Haut 25 Mohm 1,1 V ~ 5,5 V Mais Général 2A
TB6819AFG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6819AFG, C, EL 0,5768
RFQ
 ECAD 2379 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TB6819 10V ~ 25V 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 20 kHz ~ 150 kHz Critique de conduction (CRM) 72,5 µA
TB62208FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG, 8, EL -
RFQ
 ECAD 8540 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface Pad Exposé 48-VFQFN TB62208 DMOS 4,5 V ~ 5,5 V 48-QFN (7x7) télécharger 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 1.8a 10V ~ 38V Bipolaire - 1, 1/2
KIA78L06BP Toshiba Semiconductor and Storage Kia78l06bp -
RFQ
 ECAD 4285 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Actif Kia78 - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1
TB6588FG,8,EL,JU Toshiba Semiconductor and Storage TB6588FG, 8, EL, JU 5.3500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -30 ° C ~ 105 ° C (TA) Mais Général Support de surface 36-BSSOP (0,346 ", 8,80 mm de grandeur) + 2 onglets de chaleur TB6588 MOSFET POWER 7V ~ 42V 36-HSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 1 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (3) 1.5a 7V ~ 42V - DC Sans Pinceau (BLDC) -
TB6569FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6569ftg, 8, El 1.0846
RFQ
 ECAD 7459 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 32-VFQFN TB6569 Bi-CMOS 10V ~ 45V 32-VQFN (5x5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle, PWM Demi-pont (2) 4A 10V ~ 45V - DC Brossé -
TB62261FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62261FTAG, EL 2.2800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Appareil Support de surface Pad Exposé 36-WFQFN TB62261 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 36-WQFN (6x6) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 800mA 10V ~ 35V Bipolaire DC Brossé 1, 1/2, 1/4
TB62214AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG, C8, EL 1.3071
RFQ
 ECAD 3937 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface 28 BSOP (0,346 ", 8,80 mm de grandeur) + 2 Tabs de Chaleur TB62214 DMOS 4,75 V ~ 5,25 V 28-HSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 2A 10V ~ 38V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4
TA78DS05CP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP, F (J -
RFQ
 ECAD 3579 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78DS 33v Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 1 mA - Positif 30m 5V - 1 0,3 V @ 10mA - Sur le Courant, sur la température, sur la tension, transitoire de tension
TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF25, LM (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8549 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3df Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr3df25 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 65 µA 78 µA Acteur Positif 300mA 2,5 V - 1 0,31 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TB67S522FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S522FTAG, EL 1.4384
RFQ
 ECAD 8048 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 36-WFQFN TB67S522 - 2V ~ 5,5 V 36-WQFN (6x6) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM Demi-pont (2) 2.8a 10V ~ 35V Bipolaire DC Brossé 1, 1/2, 1/4
TCR5AM055,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM055, LF 0.1344
RFQ
 ECAD 2188 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TCR5H Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 4-XDFN TCR5AM055 5,5 V Fixé 5-DFNB (1.2x1.2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 55 µA 68 µA Acteur Positif 500mA 0,55 V - 1 0,2 V @ 500mA 70 dB ~ 40 dB (1KHz ~ 10Hz) AU-Dessus du Courant, sur la température, Sous emplacement de tension (UVLO)
TCR2EF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF18, LM (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 59 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ef Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 TCR2EF18 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 60 µA Acteur Positif 200m 1,8 V - 1 0,31 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TA76431AS(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76431as (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 8436 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète - -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA76431 - - - - LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3dg25, lf 0,3900
RFQ
 ECAD 5877 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4-XFBGA, CSPBGA 5,5 V Fixé 4-WCSPE (0,65x0,65) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 5 000 Acteur Positif 300mA 2,5 V - 1 0,275 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TCR3UG285A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG285A, LF 0.1229
RFQ
 ECAD 9683 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3ug Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface 4-xfbga, wlcsp TCR3UG285 5,5 V Fixé 4-WCSPF (0,65x0,65) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 680 na Acteur Positif 300mA 2,85 V - 1 0,327v @ 300mA 70 dB (1 kHz) Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique
TA78DS08BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP (T6ND, AF -
RFQ
 ECAD 4886 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78DS 33v Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1,2 mA 1,2 mA - Positif 30m 8v - 1 0,3 V @ 10mA - Sur le Courant, sur la température, sur la tension, transitoire de tension
TCR2EN18,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2en18, lf 0,0896
RFQ
 ECAD 5961 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2en Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-XFDFN Tcr2en18 5,5 V Fixé 4-SDFN (0,8x0,8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 µA Acteur Positif 200m 1,8 V - 1 0,29 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TB6569FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6569fg, 8, El 2.7700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface 16 BSOP (0,252 ", 6,40 mm de grosur) + 2 onglets de chaleur TB6569 Bi-CMOS 10V ~ 45V 16-HSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 500 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle, PWM Demi-pont (2) 4A 10V ~ 45V - DC Brossé -
TB62213AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFNG, C8, EL 1.8025
RFQ
 ECAD 8305 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface 48-TFSOP (0 240 ", 6,10 mm de grand) exposé pavé TB62213 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 48-HTSSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 1 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 2.4a 10V ~ 38V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4
TCR2DG31,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2dg31, lf 0.1445
RFQ
 ECAD 8069 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4-ufbga, wlcsp Tcr2dg31 5,5 V Fixé 4-WCSP (0,79x0,79) télécharger Rohs3 conforme Tcr2dg31lf EAR99 8542.39.0001 3 000 70 µA - Positif 200m 3.1 V - 1 0.11V @ 100mA - Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique
TA76431S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S (T6Muratfm -
RFQ
 ECAD 7643 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA76431 - Régile LSTM télécharger 1 (illimité) TA76431ST6MURATFM EAR99 8542.39.0001 1 - Positif - 2.495v 36V 1 - - -
TCR5BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM18A, L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 9468 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr5bm Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-XDFN 5,5 V Fixé 5-DFNB (1.2x1.2) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 5 000 36 µA Limite Actulaire, acteur Positif 500mA 1,8 V - 1 0,21 V @ 500mA 98 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TCR3UM175A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A, LF (SE 0,4700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-UDFN 5,5 V Fixé 4-DFN (1x1) - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 na Limite Actulaire, acteur Positif 300mA 1,75 V - 1 0,573 V @ 300mA - Sur le Courant, sur la température
TA48S05AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S05AF (T6L1, Q) -
RFQ
 ECAD 7233 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C Support de surface À 252-6, DPAK (5 leads + onglet) TA48S05 16V Fixé 5-HSIP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 1,7 mA 20 mA Acteur Positif 1A 5V - 1 0,69 V @ 1A (TYP) 60 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
TCR3DG32,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3dg32, lf 0,1054
RFQ
 ECAD 4276 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 4-XFBGA, CSPBGA Tcr3dg32 5,5 V Fixé 4-WCSPE (0,65x0,65) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 65 µA 78 µA - Positif 300mA 3.2v - 1 0,215 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TCV7100F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7100F (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 8795 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TCV71 5,5 V Régile Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 De Baisse 1 Mâle 800 kHz Positif Oui 2.5a 0,8 V 5,5 V 2,7 V
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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