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Geste de l'alimentation (PMIC) (1138)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Applications | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Caractéristique | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Tension - entrée (max) | Type de sortie | Sic programmable | Ratio - Entrée: Sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fonction | COURANT - Sortie / Canal | Tension - alimentation (VCC / VDD) | Interface | Nombre de Trities | Current - Quiescent (IQ) | Type de canal | Commutateur Interne (s) | Topologie | Protection contre les pannes | Caratérales de contôle | Tension - alimentation (max) | Configuration de la sortie | Courant - Sortie | RDS SUR (TYP) | Tension - Chargement | Configuration | Nombre de pilotes | Type de Porte | Logique de tension - vil, vih | Courant - Sortie Maximale (Source, Puits) | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Type de moteur - Stepper | Type de moteur - AC, DC | Résolution de pas | Atténuation | Tension - alimentation (min) | Tension - Sortie | Type de commutateur | Courant - Sortie (Max) | Tension - Sortie (min / fixe) | Tension - Sortie (max) | Nombre de régulateurs | Dépôt de tension (max) | Psrr | Caractéristique de protection |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TB9120AFTG (EL) | 4.0100 |  | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Automobile | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 28-VQFN Pad Expose | TB9120 | NMOS, PMOS | 4.5V ~ 7V, 7V ~ 18V | 28-VQFN (6x6) | - | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle, PWM | Pré-conducteur - Demi-pont (4) | 2.5a | - | Bipolaire | DC Brossé | 1, 1/2, 1/8, 1/16, 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK421G, L3F | 0,8500 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 6-xfbga, wlcsp | TCK421 | Sans inversion | Non Vérifié | 2,7 V ~ 28V | 6-WCSPG (0,8x1.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | Synchrone | À Côté et à Fate Côté | 2 | MOSFET Nachel | 0,4 V, 1,2 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tcr2ln31, lf (se | 0,3800 | | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2ln | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 2 µA | Acteur | Positif | 200m | 3.1 V | - | 1 | 0,28 V @ 150mA | - | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2en32, LF (SE | 0,3800 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 264-tcr2en32lf (SETR | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 60 µA | Acteur | Positif | 200m | 3.2v | - | 1 | 0,18 V @ 150mA | - | Sur le Courant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2en27, lf (se | 0,3800 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 60 µA | Acteur | Positif | 200m | 2,7 V | - | 1 | 0,21 V @ 150mA | - | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tcr3dm28, lf (SE | 0,4800 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-UDFN | 5,5 V | Fixé | 4-DFN (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | Acteur | Positif | 300mA | 2,8 V | - | 1 | 0,25 V @ 300mA | - | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2en21, lf (se | 0,3800 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 60 µA | Acteur | Positif | 200m | 2.1 V | - | 1 | 0,29 V @ 300mA, 0,3 V @ 300mA | - | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2ln19, lf (se | 0,3800 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2ln | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 2 µA | Acteur | Positif | 200m | 1,9 V | - | 1 | 0,6 V @ 150mA | - | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK207AN, LF | 0,8900 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | Décharge de Charge, Taux de Balayage Contrôlé | TCK207 | Sans inversion | Canal n | 1: 1 | 4-DFNA (1.2x1.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | Pas requis | En Marche / Arête | 1 | Courant Inversé | Côté Haut | 21,5 Mohm | 0,75 V ~ 3,6 V | Mais Général | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr3um28a, lf (se | 0 4700 | | 9199 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-UDFN | 5,5 V | Fixé | 4-DFN (1x1) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 680 na | Limite Actulaire, acteur | Positif | 300mA | 2,8 V | - | 1 | 0,327v @ 300mA | - | Sur le Courant, sur la température | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr3um33a, lf (se | 0 4700 | | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-UDFN | 5,5 V | Fixé | 4-DFN (1x1) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 680 na | Limite Actulaire, acteur | Positif | 300mA | 3,3 V | - | 1 | 0,273 V @ 300mA | - | Sur le Courant, sur la température | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2en36, lf (se | 0,3800 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 60 µA | Acteur | Positif | 200m | 3,6 V | - | 1 | 0,18 V @ 150mA | - | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DM18, LF (SE | 0,4800 | | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-UDFN | 5,5 V | Fixé | 4-DFN (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | Acteur | Positif | 300mA | 1,8 V | - | 1 | 0,38 V @ 300mA | - | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UM185A, LF (SE | 0 4700 | | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-UDFN | 5,5 V | Fixé | 4-DFN (1x1) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 680 na | Limite Actulaire, acteur | Positif | 300mA | 1,85 V | - | 1 | 0,457v @ 300mA | - | Sur le Courant, sur la température | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2en285, lf (SE | 0,3800 | | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 60 µA | Acteur | Positif | 200m | 2,85 V | - | 1 | 0,21 V @ 150mA | - | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tcr3rm09a, lf (SE | 0 4600 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr3rm | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XDFN | Tcr3rm09 | 5,5 V | Fixé | 4-DFNC (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 12 µA | Limite Actulaire, acteur | Positif | 300mA | 0,9 V | - | 1 | - | - | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2ln20, lf (SE | 0,3800 | | 228 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2ln | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 2 µA | Acteur | Positif | 200m | 2V | - | 1 | 0,54 V @ 150mA | - | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2ln18, LSF (SE | 0,3800 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2ln | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 264-TCR2LN18LSF (SETR | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 2 µA | Acteur | Positif | 200m | 1,8 V | - | 1 | 0,6 V @ 150mA | - | Sur le Courant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2ln32, LSF (SE | 0,3800 | | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2ln | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 2 µA | Acteur | Positif | 200m | 3.2v | - | 1 | 0,28 V @ 150mA | - | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2ln25, lf (se | 0,3800 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2ln | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 2 µA | Acteur | Positif | 200m | 2,5 V | - | 1 | 0,36 V @ 150mA | - | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr3rm29a, lf (se | 0 4600 | | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr3rm | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XDFN | Tcr3rm29 | 5,5 V | Fixé | 4-DFNC (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 12 µA | Limite Actulaire, acteur | Positif | 300mA | 2,9 V | - | 1 | 0,15 V @ 300mA | - | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC78H651FNG, EL | 1.5300 | | 6457 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Mais Général | Support de surface | 16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TC78H651 | DMOS | 1,8 V ~ 6V | 16-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | - | Demi-pont (4) | 1.5a | 1,8 V ~ 6V | Bipolaire | DC Brossé | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S128FTG, EL | 7.8400 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 64-VFQFN | TB67S128 | MOSFET POWER | 4,75 V ~ 5,25 V | 64-VQFN (9x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | PWM | Demi-pont | 5A | 6.5V ~ 44V | Bipolaire | DC Sans Pinceau (BLDC) | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32, 1/128 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC62D748CFG, EL | 1.5800 | | 5947 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Éclairage LED | Support de surface | 24-SOP (0,236 ", 6,00 mm de grand) | Linéaire | TC62D748 | - | 24 SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 2 000 | 90mA | 16 | Non | Registre de décalage | 5,5 V | Non | 3V | 17V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR8BM33A, L3F | 0 4600 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr8bm | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XDFN | 5,5 V | Fixé | 5-DFNB (1.2x1.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | 36 µA | Limite Actulaire, acteur | Positif | 800mA | 3,3 V | - | 1 | 0,285 V @ 800mA | - | AU-Dessus du Courant, sur la température, Sous emplacement de tension (UVLO) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tcr8bm09a, l3f | 0 4600 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr8bm | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XDFN | 5,5 V | Fixé | 5-DFNB (1.2x1.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | 36 µA | Limite Actulaire, acteur | Positif | 800mA | 0,9 V | - | 1 | 0,22 V @ 800mA | - | AU-Dessus du Courant, sur la température, Sous emplacement de tension (UVLO) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2le085, LM (CT | 0,0742 | | 7723 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2le | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-553 | 5,5 V | Fixé | ESV | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | 2 µA | Acteur | Positif | 200m | 0,85 V | - | 1 | 1,58 V @ 150mA | - | Sur le Courant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR8BM08A, L3F | 0 4600 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr8bm | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XDFN | 5,5 V | Fixé | 5-DFNB (1.2x1.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | 36 µA | Limite Actulaire, acteur | Positif | 800mA | 0,8 V | - | 1 | 0,21 V @ 800mA | 98 dB (1 kHz) | AU-Dessus du Courant, sur la température, Sous emplacement de tension (UVLO) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2DG185, LF | 0.1394 | | 7925 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2dg | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 4-ufbga, wlcsp | 5,5 V | Fixé | 4-WCSP (0,79x0,79) | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | 70 µA | Acteur | Positif | 200m | 1,85 V | - | 1 | 0,19 V @ 500mA | - | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S549FTG, EL | 1.9800 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 24-VFQFN | TB67S549 | DMOS | 4,5 V ~ 33V | 24-QFN (4x4) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | PWM | Demi-pont (2) | 1.2A | 4,5 V ~ 33V | Bipolaire | DC Brossé | 1 ~ 1/32 |
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