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Geste de l'alimentation (PMIC) (1138)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Applications Type de Montage Package / ÉTUI Caractéristique Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Tension - entrée (max) Type de sortie Sic programmable Ratio - Entrée: Sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) ECCN HTSUS Norme de package Fonction Tension - alimentation (VCC / VDD) Interface Nombre de Trities Current - Quiescent (IQ) Courant - alimentation (max) Type de canal Topologie FRÉQUENCE - Commutation Protection contre les pannes Caratérales de contôle Configuration de la sortie Réparation de synchrone Courant - Sortie RDS SUR (TYP) Tension - Chargement Configuration Nombre de pilotes Type de Porte Logique de tension - vil, vih Courant - Sortie Maximale (Source, Puits) Temps de Hausse / Chute (Typ) Type de moteur - Stepper Type de moteur - AC, DC Résolution de pas Type de commutateur Courant - Sortie (Max) Tension - Sortie (min / fixe) Tension - Sortie (max) Tension - entrée (min) Nombre de régulateurs Dépôt de tension (max) Psrr Caractéristique de protection
TA78L012AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP, T6F (J -
RFQ
 ECAD 4521 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L012 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 12V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 41 dB (120 Hz) Sur le Courant
TA58M05S(AFT,LB180 Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S (AFT, LB180 -
RFQ
 ECAD 7253 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58M05 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 80 mA - Positif 500 µA 5V - 1 0,65 V @ 500mA - Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse
TAR5S15U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S15U (TE85L, F) 0.1676
RFQ
 ECAD 3500 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 mm (5 leads), plomb plat TAR5S15 15V Fixé UFV télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 850 µA Acteur Positif 200m 1,5 V - 1 - 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TB7102AF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102AF (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9263 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat TB7102 5,5 V Régile PS-8 (2.9x2.4) télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 De Baisse 1 Mâle 1 MHz Positif Oui 1A 0,8 V 4,5 V 2,7 V
TAR5S49(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S49 (TE85L, F) 0.2076
RFQ
 ECAD 6157 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 TAR5S49 15V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 850 µA En Marche / Arête Positif 200m 4.9 V - 1 0,2 V @ 50mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TA78L005AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, F (J -
RFQ
 ECAD 8241 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L005 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6 mA - Positif 150m 5V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 49 dB (120 Hz) -
TA78L008AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP, HOTIF (M -
RFQ
 ECAD 4229 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L008 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 8v - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 45 dB (120 Hz) Sur le Courant
TA4805BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4805BF (T6L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 7192 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TA4805 16V Fixé PW-Mold - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 1,7 mA 20 mA - Positif 1A 5V - 1 0,69 V @ 1A (TYP) 60 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
TB67H301FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H301FTG, EL 1.6700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Exposition 24-WFQFN PAD TB67H301 Bicdmos 3V ~ 5,5 V 24-WQFN (4x4) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (2) 1A 4,5 V ~ 38V - DC Brossé -
TCR3DF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF19, LM (CT 0,0906
RFQ
 ECAD 9523 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3df Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr3df19 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 Acteur Positif 300mA 1,9 V - 1 0,4 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) COURANT HABITUEL, SUR LE COURANT, SUR LA TEMPÉRATURE
TCR2EE50,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50, LM -
RFQ
 ECAD 7396 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ee Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SOT-553 TCR2EE50 5,5 V Fixé ESV télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 60 µA Acteur Positif 200m 5V - 1 0,2 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TCK22974G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22974G, LF 0,5500
RFQ
 ECAD 5271 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 6-ufbga, wlcsp Taux de Balayage Contrôlé TCK22974 Sans inversion Canal p 1: 1 6-WCSPE (0,80x1.2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 Pas requis En Marche / Arête 1 Courant Inversé Côté Haut 25 Mohm 1,1 V ~ 5,5 V Mais Général 2A
TA78L009AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP, 6FNCF (J -
RFQ
 ECAD 6536 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L009 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 9v - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 44 dB (120 Hz) Sur le Courant
TCK425G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK425G, L3F 0,8500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6-xfbga, wlcsp TCK425 Sans inversion Non Vérifié 2,7 V ~ 28V 6-WCSPG (0,8x1.2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 Célibataire À la Côte 1 MOSFET Nachel 0,4 V, 1,2 V - -
TCR2EE275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE275, LM (CT 0,3700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ee Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SOT-553 TCR2EE275 5,5 V Fixé ESV télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 60 µA Acteur Positif 200m 2,75 V - 1 0,23 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TCR3DF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30, LM (CT 0,4200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3df Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr3df30 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 65 µA 78 µA Acteur Positif 300mA 3V - 1 0,27 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TB67B001FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B001FTG, EL 3.0600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 36-VFQFN TB67B001 Bipolaire 4V ~ 22V 36-VQFN (5x5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM Demi-pont (3) 3A - Multiphase DC Sans Pinceau (BLDC) -
TA48025BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48025BF (T6L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 8207 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TA48025 16V Fixé PW-Mold télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 1,7 mA 20 mA - Positif 1A 2,5 V - 1 0,88 V @ 1A (TYP) 64 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22951G, LF 0,5100
RFQ
 ECAD 8256 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 6-ufbga, wlcsp Décharge de Charment TCK22951 Sans inversion Canal p 1: 1 6-WCSPE (0,80x1.2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 Pas requis En Marche / Arête 1 Courant Limitant (Fixe), sur la température, Courant Inversé Côté Haut 31MOHM 1,1 V ~ 5,5 V Mais Général 740mA
TA48M033F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M033F (T6L1, SNQ -
RFQ
 ECAD 5574 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TA48M033 29v Fixé PW-Mold télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 1,4 mA 25 mA - Positif 500mA 3,3 V - 1 0,65 V @ 500mA 70 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température, sur la tension, La Polarité Inverse
TCK106AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106AG, LF 0,4800
RFQ
 ECAD 86 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 4-ufbga, wlcsp Taux de Balayage Contrôlé TCK106 Sans inversion Canal p 1: 1 4-WCSPD (0,79x0,79) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 Pas requis En Marche / Arête 1 - Côté Haut 34MOHM 1,1 V ~ 5,5 V Mais Général 1A
TCR3UM30A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3um30a, LF (SE 0 4700
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-UDFN 5,5 V Fixé 4-DFN (1x1) - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 na Limite Actulaire, acteur Positif 300mA 3V - 1 0,273 V @ 300mA - Sur le Courant, sur la température
TA78DS08BP(T6ND,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP (T6ND, FM -
RFQ
 ECAD 8654 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78DS 33v Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1,2 mA 1,2 mA - Positif 30m 8v - 1 0,3 V @ 10mA - Sur le Courant, sur la température, sur la tension, transitoire de tension
TA58L05S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, Sumisq (m -
RFQ
 ECAD 6938 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58L05 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 50 mA - Positif 250mA 5V - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B, LF 0 4700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3ug Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface 4-xfbga, wlcsp TCR3UG50 5,5 V Fixé 4-WCSP-F (0,65x0,65) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 680 na Acteur Positif 300mA 5V - 1 0,195v @ 300mA 70 dB (1 kHz) Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique
TA58L09S,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S, Q (M -
RFQ
 ECAD 4147 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58L09 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 50 mA - Positif 250mA 9v - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
TB7101AF(T5L1.5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF (T5L1.5, F) -
RFQ
 ECAD 1113 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat TB7101 5,5 V Fixé PS-8 (2.9x2.4) - 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 De Baisse 1 Mâle 1 MHz Positif Oui 1A 1,5 V - 2,7 V
TA78DS05CP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP (T6ND, AF -
RFQ
 ECAD 7457 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78DS 33v Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 1 mA - Positif 30m 5V - 1 0,3 V @ 10mA - Sur le Courant, sur la température, sur la tension, transitoire de tension
TB62214AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG, 8, EL -
RFQ
 ECAD 4503 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface 28 BSOP (0,346 ", 8,80 mm de grandeur) + 2 Tabs de Chaleur TB62214 DMOS 4,75 V ~ 5,25 V 28-HSOP télécharger 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 1 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 2A 10V ~ 38V Bipolaire - 1, 1/2, 1/4
TA58L05S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, Q (J -
RFQ
 ECAD 3398 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58L05 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 50 mA - Positif 250mA 5V - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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