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Geste de l'alimentation (PMIC) (1138)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Applications Type de Montage Package / ÉTUI Caractéristique Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie COURANT - ApprovisionNation Tension - entrée Tension - entrée (max) Type de sortie Coefficient de température Ratio - Entrée: Sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fonction Type de Référence Tension - alimentation (VCC / VDD) Interface Nombre de Trities Current - Quiescent (IQ) Courant - alimentation (max) Topologie FRÉQUENCE - Commutation Protection contre les pannes Caratérales de contôle Configuration de la sortie Réparation de synchrone Courant - Sortie RDS SUR (TYP) Tension - Chargement Type de moteur - Stepper Type de moteur - AC, DC Résolution de pas Type de commutateur Courant - Sortie (Max) Tension - Sortie (min / fixe) Bruit - 0,1 Hz à 10Hz Bruit - 10 Hz à 10 kHz Tension - Sortie (max) Tension - entrée (min) Nombre de régulateurs Dépôt de tension (max) Psrr Caractéristique de protection
TBD62502AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFNG, EL 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) - TBD62502 Inverseur Canal n 1: 1 16-SSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Pas requis En Marche / Arête 7 - Côté Bas - 50v (max) Mais Général 300mA
TCR5SB33A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB33A (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 5687 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr5sb Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 TCR5SB33 6V Fixé SMV - 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 75 µA Acteur Positif 150m 3,3 V - 1 0,19 V @ 50mA 80 dB (1 kHz) Sur le Courant
TCK22912G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22912G, LF 0,5100
RFQ
 ECAD 705 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 6-ufbga, wlcsp - TCK22912 Sans inversion Canal p 1: 1 6-WCSPE (0,80x1.2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 Pas requis En Marche / Arête 1 Sur la température, Courant Inversé, Uvlo Côté Haut 31MOHM 1,1 V ~ 5,5 V Mais Général 2A
KIA78L24BP Toshiba Semiconductor and Storage Kia78l24bp -
RFQ
 ECAD 4448 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Actif Kia78 - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1
TA48M0345F(6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M0345F (6L1, SNQ -
RFQ
 ECAD 2909 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TA48M0345 29v Fixé PW-Mold télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 1,4 mA 25 mA - Positif 500mA 3 45 V - 1 0,65 V @ 500mA 70 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température, sur la tension, La Polarité Inverse
TCR3DF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33, LM (CT 0,4200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3df Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr3df33 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 65 µA 78 µA Acteur Positif 300mA 3,3 V - 1 0,25 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TA58M05S,KDQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S, KDQ (M -
RFQ
 ECAD 2978 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58M05 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 80 mA - Positif 500 µA 5V - 1 0,65 V @ 500mA - Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse
TBD62003APG Toshiba Semiconductor and Storage Tbd62003apg 1.1500
RFQ
 ECAD 5287 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Par le trou 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) - TBD62003 Inverseur Canal n 1: 1 16 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TBD62003APG (Z, HZ) EAR99 8542.39.0001 25 Pas requis En Marche / Arête 7 - Côté Bas - 50v (max) Mais Général 500mA
TBD62004AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFNG, EL 0,4687
RFQ
 ECAD 1404 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) - TBD62004 Inverseur Canal n 1: 1 16-SSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Pas requis En Marche / Arête 7 - Côté Bas - 50v (max) Mais Général 500mA
TC78B002FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B002FTG, EL 0 5047
RFQ
 ECAD 7270 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Ventilateur de MOTEUR DE MOTEUR Support de surface Tampon Exposé 16-WFDFN TC78B002 DMOS 3,5 V ~ 16V 16-WQFN (3x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM Demi-pont (2) 1.5a 3,5 V ~ 16V - DC Sans Pinceau (BLDC) -
TA78L005AP,T6WNF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, T6WNF (J -
RFQ
 ECAD 9553 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L005 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6 mA - Positif 150m 5V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 49 dB (120 Hz) -
TA58M05S(YNS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S (YNS, AQ) -
RFQ
 ECAD 2248 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58M05 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 80 mA - Positif 500 µA 5V - 1 0,65 V @ 500mA - Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse
TB62262FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTG, EL 1.1819
RFQ
 ECAD 1525 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Appareil Support de surface Pad Exposé 48-WFQFN TB62262 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM Demi-pont (4) 1.4a 10V ~ 38V Bipolaire DC Brossé 1, 1/2, 1/4
TBD62004AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFG, EL 0,8900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 16-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) - TBD62004 Inverseur Canal n 1: 1 16-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Pas requis En Marche / Arête 7 - Côté Bas - 50v (max) Mais Général 500mA
TCK107G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107G, LF -
RFQ
 ECAD 1336 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 4-ufbga Décharge de Charge, Taux de Balayage Contrôlé TCK107 Sans inversion Canal p 1: 1 4-WCSP (0,79x0,79) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 Pas requis En Marche / Arête 1 - Côté Haut 49MOHM 1,1 V ~ 5,5 V Mais Général 1A
TC78S121FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S121FNG, EL 1.8494
RFQ
 ECAD 3199 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface 48-TFSOP (0 240 ", 6,10 mm de grand) exposé pavé TC78S121 MOSFET POWER 4,5 V ~ 5,5 V 48-HTSSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (8) 2A 8V ~ 38V Bipolaire DC Brossé -
TB62261FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62261ftg, El 1.1819
RFQ
 ECAD 5801 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Appareil Support de surface Pad Exposé 48-WFQFN TB62261 MOSFET POWER 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 1.4a 10V ~ 38V Bipolaire DC Brossé 1, 1/2, 1/4
TCR2DG14,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2dg14, lf 0.1394
RFQ
 ECAD 7900 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4-ufbga, wlcsp 5,5 V Fixé 4-WCSP (0,79x0,79) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 3 000 70 µA Acteur Positif 200m 1,4 V - 1 0,6 V @ 100mA - Sur le Courant, sur la température
TA78L005AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, HOTIF (M -
RFQ
 ECAD 7090 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L005 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6 mA - Positif 150m 5V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 49 dB (120 Hz) -
TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18, LF 0,3700
RFQ
 ECAD 9501 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3dm Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-UDFN Tcr3dm18 5,5 V Fixé 4-DFN (1x1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 65 µA 78 µA Acteur Positif 300mA 1,8 V - 1 0,38 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TCR2LE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE18, LM (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 7508 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2le Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface SOT-553 Tcr2le18 5,5 V Fixé ESV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 2 µA Acteur Positif 200m 1,8 V - 1 0,62 V @ 150mA - Sur le Courant
TA78L005AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, WNLF (J -
RFQ
 ECAD 8329 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L005 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6 mA - Positif 150m 5V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 49 dB (120 Hz) -
TA58M06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S, Q (J -
RFQ
 ECAD 2343 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58M06 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 80 mA - Positif 500mA 6V - 1 0,65 V @ 500mA - Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2dg12, lf 0,5000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4-ufbga, wlcsp Tcr2dg12 5,5 V Fixé 4-WCSP (0,79x0,79) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 70 µA - Positif 200m 1,2 V - 1 0,8 V @ 100mA 85 dB ~ 50 dB (1 kHz ~ 100 kHz) Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique
TA76432S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S, WNLF (J -
RFQ
 ECAD 4672 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète - -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA76432 - - - - LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCV7103F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103F (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 4896 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TCV71 5,5 V Régile Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 De Baisse 1 Mâle 1 MHz Positif Oui 5A 0,8 V 5,5 V 2,7 V
TA78L24F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L24F (TE12L, F) -
RFQ
 ECAD 4095 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Support de surface À 243aa TA78L24 40V Fixé PW-MINI (SOT-89) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 000 6 mA 6.5 Ma - Positif 150m 24V - 1 - 35 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
TB6642FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6642ftg, 8, El 2.3700
RFQ
 ECAD 2373 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 32-VFQFN TB6642 Bi-CMOS 10V ~ 45V 32-VQFN (5x5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle, PWM Demi-pont (2) 1.5a 10V ~ 45V - DC Brossé -
TCK303G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK303G, LF 1.3200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TCK30 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 9-ufbga, wlcsp Taux de Balayage Contrôlé, Drapeau d'ÉTAT TCK303 - Canal n 1: 1 9-WCSP (1,5x1,5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 Pas requis En Marche / Arête 1 Sur la température, aU-Dessus de la tension, Courant Inversé, Uvlo Côté Haut 73MOHM 2.3V ~ 28V Mais Général 3A
TA58L12S,ASHIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S, Ashiq (J -
RFQ
 ECAD 2048 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58L12 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1,2 mA 50 mA - Positif 250mA 12V - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

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    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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