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Geste de l'alimentation (PMIC) (1138)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Applications | Type de montage | Package / ÉTUI | Caractéristique | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Tension - entrée (max) | Type de sortie | Ratio - Entrée: Sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fonction | Tension - alimentation (VCC / VDD) | Interface | Nombre de Trities | Current - Quiescent (IQ) | Courant - alimentation (max) | Protection contre les pannes | Caratérales de contôle | Configuration de la sortie | Courant - Sortie | RDS SUR (TYP) | Tension - Chargement | Type de moteur - Stepper | Type de moteur - AC, DC | Résolution de pas | Type de commutateur | Courant - Sortie (Max) | Tension - Sortie (min / fixe) | Tension - Sortie (max) | Nombre de régulateurs | Dépôt de tension (max) | Psrr | Caractéristique de protection |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TB62261ftg, El | 1.1819 |  | 5801 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Appareil | Support de surface | Pad Exposé 48-WFQFN | TB62261 | MOSFET POWER | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-WQFN (7x7) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 1.4a | 10V ~ 38V | Bipolaire | DC Brossé | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||
 | TCK207G, LF | 0,5400 | | 68 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Décharge de Charge, Taux de Balayage Contrôlé | TCK207 | Sans inversion | Canal n | 1: 1 | 4-WCSP (0,90x0,90) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | Pas requis | En Marche / Arête | 1 | Courant Inversé | Côté Haut | 18.1MOHM | 0,75 V ~ 3,6 V | Mais Général | 2A | ||||||||||||||||||||
 | TB62215AFNG, C8, EL | 3.6500 | | 4786 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Mais Général | Support de surface | 48-TFSOP (0 240 ", 6,10 mm de grand) exposé pavé | TB62215 | MOSFET POWER | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-HTSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 3A | 10V ~ 38V | Bipolaire | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||
 | TAR5S40 (TE85L, F) | 0,4200 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | SC-74A, SOT-753 | TAR5S40 | 15V | Fixé | SMV | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | 850 µA | En Marche / Arête | Positif | 200m | 4V | - | 1 | 0,2 V @ 50mA | 70 dB (1 kHz) | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||
 | TBD62308AFAG, EL | 1.1900 | | 1058 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24-SOP (0,236 ", 6,00 mm de grand) | - | TBD62308 | Inverseur | Canal n | 1: 1 | 24 SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | 4,5 V ~ 5,5 V | En Marche / Arête | 4 | - | Côté Bas | 370mohm | 50v (max) | Mais Général | 1.5a | ||||||||||||||||||||
 | TCK108AF, LF | 0,4800 | | 85 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | SC-74A, SOT-753 | Décharge de Charge, Taux de Balayage Contrôlé | TCK108 | Inverseur | Canal p | 1: 1 | SMV | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | Pas requis | En Marche / Arête | 1 | - | Côté Haut | 63MOHM | 1,1 V ~ 5,5 V | Mais Général | 1A | ||||||||||||||||||||
 | TCR15AG30, LF | 0 2294 | | 8000 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr15ag | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Support de surface | 6-xfbga, wlcsp | TCR15AG30 | 6V | Fixé | 6-WCSP (1.2x0.80) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | 40 µA | Acteur | Positif | 1.5a | 3V | - | 1 | 0,648 V @ 1,5A | 95 dB ~ 60 dB (1 kHz) | Limite Actullelle, Arête Thermique, Uvlo | |||||||||||||||||||||
 | TAR5S33UTE85LF | 0,5000 | | 27 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 6 mm (5 leads), plomb plat | TAR5S33 | 15V | Fixé | UFV | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | 850 µA | Acteur | Positif | 200m | 3,3 V | - | 1 | 0,2 V @ 50mA | 70 dB (1 kHz) | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||
 | TB62208FG, 8, EL | - | | 7218 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Mais Général | Support de surface | 28 BSOP (0,346 ", 8,80 mm de grandeur) + 2 Tabs de Chaleur | TB62208 | DMOS | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-HSOP | télécharger | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 1.8a | 10V ~ 38V | Bipolaire | - | 1, 1/2 | |||||||||||||||||||||||
 | TA58L05S (Sumis, aq) | - | | 7219 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TA58L05 | 29v | Fixé | À 220nis | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 50 mA | - | Positif | 250mA | 5V | - | 1 | 0,4 V @ 200m | - | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||
 | TA78L007AP, F (J | - | | 6232 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | TA78L007 | 35V | Fixé | LSTM | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positif | 150m | 7v | - | 1 | 1,7 V @ 40mA (TYP) | 46 dB (120 Hz) | Sur le Courant | ||||||||||||||||||||||
 | TC78H653FTG, EL | 1.5600 | | 35 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 16-VFQFN | TC78H653 | DMOS | 1,8 V ~ 7V | 16-VQFN (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | - | Demi-pont (4) | 4A | 1,8 V ~ 7V | Bipolaire | DC Brossé | - | ||||||||||||||||||||||
| TA78DS05CP, 6KEHF (M | - | | 2213 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | TA78DS | 33v | Fixé | LSTM | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 1 mA | - | Positif | 30m | 5V | - | 1 | 0,3 V @ 10mA | - | Sur le Courant, sur la température, sur la tension, transitoire de tension | |||||||||||||||||||||
 | TBD62502AFWG, EL | 0,3966 | | 5474 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | - | TBD62502 | Inverseur | Canal n | 1: 1 | 16-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | Pas requis | En Marche / Arête | 7 | - | Côté Bas | - | 50v (max) | Mais Général | 300mA | ||||||||||||||||||||
 | TBD62183AFNG, EL | 1.2000 | | 8608 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 18 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | - | TBD62183 | Inverseur | Canal n | 1: 1 | 18 SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | 2,8 V ~ 25V | - | 8 | - | Côté Bas | - | 50v (max) | Mais Général | 50m | |||||||||||||||||||||
| TA58M06S, MTDQ (J | - | | 5672 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TA58M06 | 29v | Fixé | À 220nis | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 80 mA | - | Positif | 500mA | 6V | - | 1 | 0,65 V @ 500mA | - | Sur le Courant, sur la température, La Polarité Inverse | |||||||||||||||||||||
 | TCK1024G, LF | 0,5600 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 6-ufbga, wlcsp | Décharge de Charment | TCK1024 | Sans inversion | Canal p | 1: 1 | 6-WCSPE (0,80x1.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | - | En Marche / Arête | 1 | Courant Limitant (Fixe), sur la température, Courant Inversé | Côté Haut | 31MOHM | 1,4 V ~ 5,5 V | Mais Général | 1.54A | ||||||||||||||||||||
 | TA7291SG (O, J) | - | | 2539 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -30 ° C ~ 75 ° C (TA) | Mais Général | Par le trou | 9-sip | TA7291 | Bipolaire | 4,5 V ~ 20V | 9-sip | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (2) | 400mA | 0v ~ 20V | - | DC Brossé | - | ||||||||||||||||||||||
 | Tbd62003apg | 1.1500 | | 5287 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | - | TBD62003 | Inverseur | Canal n | 1: 1 | 16 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | TBD62003APG (Z, HZ) | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Pas requis | En Marche / Arête | 7 | - | Côté Bas | - | 50v (max) | Mais Général | 500mA | |||||||||||||||||||
 | TA4809BF (T6L1, NQ) | - | | 4546 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TA4809 | 16V | Fixé | PW-Mold | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | 1,7 mA | 20 mA | - | Positif | 1A | 9v | - | 1 | 0,69 V @ 1A (TYP) | 55 dB (120 Hz) | Sur le Courant, sur la température | ||||||||||||||||||||
| TB62262FTG, EL | 1.1819 | | 1525 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Appareil | Support de surface | Pad Exposé 48-WFQFN | TB62262 | MOSFET POWER | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-WQFN (7x7) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | PWM | Demi-pont (4) | 1.4a | 10V ~ 38V | Bipolaire | DC Brossé | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||
 | TB6560AFG, 8 | 3.8200 | | 5140 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 64-TQFP | TB6560 | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-HQFP (10x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 1.5a | 4,5 V ~ 34V | Bipolaire | - | ||||||||||||||||||||||||
| TBD62084AFNG, EL | 1 4000 | | 214 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 18 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | - | TBD62084 | Inverseur | Canal n | 1: 1 | 18 SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | Pas requis | En Marche / Arête | 8 | - | Côté Bas | - | 50v (max) | Mais Général | 500mA | ||||||||||||||||||||
 | TC78H610FNG, EL | 0,7509 | | 6522 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mais Général | Support de surface | 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TC78H610 | DMOS | 2,7 V ~ 5,5 V | 16-SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (2) | 800mA | 2,5 V ~ 15V | - | DC Brossé | - | ||||||||||||||||||||||
 | Tcr2dg12, lf | 0,5000 | | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2dg | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 4-ufbga, wlcsp | Tcr2dg12 | 5,5 V | Fixé | 4-WCSP (0,79x0,79) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | 70 µA | - | Positif | 200m | 1,2 V | - | 1 | 0,8 V @ 100mA | 85 dB ~ 50 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Courant Inrush, Sur le Courant, Arête Thermique | |||||||||||||||||||||
 | TB67S101ang | 4.5000 | | 1512 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Mais Général | Par le trou | 24-mères (0,300 ", 7,62 mm) | TB67S101 | MOSFET POWER | 4,75 V ~ 5,25 V | 24 sdip | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | TB67S101ang (O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Parallèle | Demi-pont (4) | 4A | 10V ~ 47V | Bipolaire | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||
 | Tcr2en30, lf | 0,0896 | | 9513 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr2en | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 4-XFDFN | Tcr2en30 | 5,5 V | Fixé | 4-SDFN (0,8x0,8) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 000 | 60 µA | Acteur | Positif | 200m | 3V | - | 1 | 0,18 V @ 150mA | 73 dB (1 kHz) | Sur le Courant | |||||||||||||||||||||
 | Tcr4dg33, lf | 0,5100 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Tcr4dg | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Tcr4dg33 | 5,5 V | Fixé | 4-WCSPE (0,65x0,65) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5 000 | Acteur | Positif | 420mA | 3,3 V | - | 1 | 0,263 V @ 420mA | 70 dB (1 kHz) | Sur le Courant, sur la température, circuit de la cour | ||||||||||||||||||||||
| TA58L05S, L2SUMIQ (M | - | | 5073 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TA58L05 | 29v | Fixé | À 220nis | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 50 mA | - | Positif | 250mA | 5V | - | 1 | 0,4 V @ 200m | - | Sur le Courant, sur la température | |||||||||||||||||||||
 | TB67S539SFTG, EL | 0,8343 | | 1329 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Mais Général | Support de surface | Pad Exposé 32-VFQFN | DMOS | 4,5 V ~ 33V | 32-VQFN (5x5) | télécharger | 4 000 | Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation | Logique | Demi-pont (4) | 1.8a | 4,5 V ~ 33V | Bipolaire | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 |
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