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Geste de l'alimentation (PMIC) (1138)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Applications Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Caractéristique Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie COURANT - ApprovisionNation Tension - entrée Tension - entrée (max) Type de sortie Coefficient de température Ratio - Entrée: Sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) ECCN HTSUS Norme de package Fonction COURANT - Sortie / Canal Type de Référence Tension - alimentation (VCC / VDD) Interface Nombre de Trities Current - Quiescent (IQ) Courant - alimentation (max) Commutateur Interne (s) Topologie Protection contre les pannes Caratérales de contôle Tension - alimentation (max) Configuration de la sortie Courant - Sortie RDS SUR (TYP) Tension - Chargement Type de moteur - Stepper Type de moteur - AC, DC Résolution de pas Atténuation Tension - alimentation (min) Tension - Sortie Type de commutateur Courant - Sortie (Max) Tension - Sortie (min / fixe) Bruit - 0,1 Hz à 10Hz Bruit - 10 Hz à 10 kHz Tension - Sortie (max) Nombre de régulateurs Dépôt de tension (max) Psrr Caractéristique de protection
TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L018F (TE12L, F) 0,7200
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface À 243aa TA48L018 16V Fixé PW-MINI (SOT-89) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 000 800 µA 5 mA - Positif 150m 1,8 V - 1 0,5 V @ 100mA 72 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
TA58L05S,L2SUMIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, L2SUMIQ (M -
RFQ
 ECAD 5073 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58L05 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 50 mA - Positif 250mA 5V - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
TCR8BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM10A, L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 9139 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr8bm Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 4-XDFN Tcr8bm10 5,5 V Fixé 5-DFNB (1.2x1.2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 36 µA Limite Actulaire, acteur Positif 800mA 1v - 1 0,23 V @ 800mA 98 dB (1 kHz) AU-Dessus du Courant, sur la température, Sous emplacement de tension (UVLO)
TCR2EE185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE185, LM (CT 0,3500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ee Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SOT-553 TCR2EE185 5,5 V Fixé ESV télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 60 µA Acteur Positif 200m 1,85 V - 1 0,31 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TB67S508FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S508FTG, EL 3.1400
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 36-VFQFN TB67S508 DMOS 2V ~ 5,5 V 36-VQFN (5x5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur PWM Pré-conducteur - Demi-pont (2) 3A 10V ~ 35V Bipolaire DC Brossé 1, 1/2, 1/4
TA76431S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S, T6Wnlf (J -
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 ECAD 3584 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA76431 - Régile LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 - Positif - 2.495v 36V 1 - - -
TCR5AM06,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM06, LF 0.1344
RFQ
 ECAD 8644 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TCR5H Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 4-XDFN TCR5AM06 5,5 V Fixé 5-DFNB (1.2x1.2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 55 µA 68 µA Acteur Positif 500mA 0,6 V - 1 0,2 V @ 500mA 70 dB ~ 40 dB (1KHz ~ 10Hz) AU-Dessus du Courant, sur la température, Sous emplacement de tension (UVLO)
TA78L005AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, T6F (J -
RFQ
 ECAD 9170 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L005 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6 mA - Positif 150m 5V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 49 dB (120 Hz) -
TB6585AFTGC8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585AFTGC8, EL 1.9179
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 ECAD 7765 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 48-VFQFN TB6585 Bi-CMOS 4,5 V ~ 42V 48-QFN (7x7) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (3) 1.2A 4,5 V ~ 42V - DC Sans Pinceau (BLDC) -
TA76L431S(T6SOY,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S (T6SOY, AQ -
RFQ
 ECAD 2963 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète - -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA76L431 - - - - LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
KIA78L24BP Toshiba Semiconductor and Storage Kia78l24bp -
RFQ
 ECAD 4448 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Actif Kia78 - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1
TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF19, LM (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ef Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 TCR2EF19 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 60 µA Acteur Positif 200m 1,9 V - 1 0,31 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TBD62064APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG, HZ 1.4900
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Par le trou 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) - TBD62064 Inverseur Canal n 1: 1 16 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 25 Pas requis En Marche / Arête 4 - Côté Bas 430MOHM 50v (max) Mais Général 1.25a
TA48S033AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S033AF (T6L1, Q) -
RFQ
 ECAD 6410 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C Support de surface À 252-6, DPAK (5 leads + onglet) TA48S033 16V Fixé 5-HSIP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 1,7 mA 20 mA Acteur Positif 1A 3,3 V - 1 0,68 V @ 1A (TYP) 63 dB (120 Hz) Sur le Courant, sur la température
TC78B002FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B002FTG, EL 0 5047
RFQ
 ECAD 7270 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Ventilateur de MOTEUR DE MOTEUR Support de surface Tampon Exposé 16-WFDFN TC78B002 DMOS 3,5 V ~ 16V 16-WQFN (3x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM Demi-pont (2) 1.5a 3,5 V ~ 16V - DC Sans Pinceau (BLDC) -
TA58L08S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S (FJTN, QM) -
RFQ
 ECAD 1610 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TA58L08 29v Fixé À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 50 mA - Positif 250mA 8v - 1 0,4 V @ 200m - Sur le Courant, sur la température
TB6614FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6614FNG, C, EL -
RFQ
 ECAD 4247 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) TB6614 MOSFET POWER 2,7 V ~ 5,5 V 16-SSOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (4) 1A 2,5 V ~ 13,5 V - DC Brossé -
TCR2EF45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45, LM (CT 0,3400
RFQ
 ECAD 795 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ef Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr2ef45 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 60 µA Acteur Positif 200m 4,5 V - 1 0,2 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TBD62304AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62304AFNG, EL 0,7648
RFQ
 ECAD 4305 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 16 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) - TBD62304 Inverseur Canal n 1: 1 16-SSOP télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 2 000 4,5 V ~ 5,5 V En Marche / Arête 7 - Côté Bas 1,5 ohm 50v (max) Mais Général 400mA
TB67S512FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S512FTAG, EL 2.7700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 36-WFQFN TB67S512 MOSFET POWER 2V ~ 5,5 V 36-WQFN (6x6) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM Pré-conducteur - Demi-pont (4) 2A 10V ~ 35V Bipolaire DC Brossé 1, 1/2, 1/4
TCR2EE50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50, LM (CT 0,0680
RFQ
 ECAD 3748 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ee Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SOT-553 TCR2EE50 5,5 V Fixé ESV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 4 000 60 µA Acteur Positif 200m 5V - 1 0,2 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TB62752AFUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62752AFUG, EL -
RFQ
 ECAD 4510 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Rétros Support de surface SOT-23-6 Régulateur DC DC TB62752 1,1 MHz SOT-23-6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 20 mA 1 Oui Step-up (boost) 5,5 V PWM 2,8 V -
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG, EL 2.8700
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 ECAD 3656 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Mais Général Support de surface Pad Exposé 36-WFQFN TB67S521 DMOS 2V ~ 5,5 V 36-WQFN (6x6) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.39.0001 4 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation PWM Demi-pont (2) 2.8a 10V ~ 34V Bipolaire DC Brossé 1, 1/2, 1/4
TA76431AS(T6SOY,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431as (T6SOY, AF -
RFQ
 ECAD 6330 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète - -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA76431 - - - - LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2LN28,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2ln28, lf 0,3500
RFQ
 ECAD 129 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ln Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 4-XFDFN Tcr2ln28 5,5 V Fixé 4-SDFN (0,8x0,8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 µA Acteur Positif 200m 2,8 V - 1 0,36 V @ 150mA - Sur le Courant
TCR3DF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF28, LM (CT 0,0927
RFQ
 ECAD 8485 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr3df Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr3df28 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 65 µA 78 µA Acteur Positif 300mA 2,8 V - 1 0,27 V @ 300mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température
TCR2EF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF10, LM (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr2ef Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface SC-74A, SOT-753 Tcr2ef10 5,5 V Fixé SMV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 3 000 60 µA Acteur Positif 200m 1v - 1 0,77 V @ 150mA 73 dB (1 kHz) Sur le Courant
TA78L012AP(6TOJ,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP (6toj, af -
RFQ
 ECAD 4697 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -30 ° C ~ 85 ° C Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long TA78L012 35V Fixé LSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positif 150m 12V - 1 1,7 V @ 40mA (TYP) 41 dB (120 Hz) Sur le Courant
TC78S122FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S122FTG, EL 1 5754
RFQ
 ECAD 6970 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Mais Général Support de surface Pad Exposé 48-VFQFN TC78S122 MOSFET POWER 4,5 V ~ 5,5 V 48-QFN (7x7) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.39.0001 2 000 Conducteur - Stage Entièment Integré, De Contrôle et Alimentation Parallèle Demi-pont (8) 2A 8V ~ 38V Bipolaire DC Brossé 1, 1/2, 1/4
TCR4DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG18, LF 0.1357
RFQ
 ECAD 3896 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Tcr4dg Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4-XFBGA, CSPBGA Tcr4dg18 5,5 V Fixé 4-WCSPE (0,65x0,65) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8542.39.0001 5 000 Acteur Positif 420mA 1,8 V - 1 0,473 V @ 420mA 70 dB (1 kHz) Sur le Courant, sur la température, circuit de la cour
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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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