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Mémoire (70500)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
Ndq86pfi-7nit tr	11.9700	RFQ	3291	INSignnis Technology Corporation	NDQ86P	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-ndq86pfi-7nittr			1 500	1 333 GHz	Volatil	8 Gbit	18 ns	Drachme	512m x 16	Coffre	15NS
S25FL256SAGMFIG00	4.0700	RFQ	6149	Cypress Semiconductor Corp	FL-S	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	S25FL256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme			2832-S25FL256SAGMFIG00			1	133 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o	-	Non Vérifié
Px977aa-c	17.5000	RFQ	9072	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-PX977AA-C	EAR99	8473.30.5100	1
SM662GEC-BEST	30,6000	RFQ	4386	Silicon Motion, Inc.	Ferri-EMMC®	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	100 lbga	SM662	Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC)	-	100-BGA (14x18)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1984-SM662GEC-BEST	3A991B1A	8542.32.0071	1		Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	EMMC	-
S29GL128S10TFIV10	-	RFQ	2887	Nexperia USA Inc.	-	En gros	Actif								-				2156-S29GL128S10TFIV10			1
S29GL128S13FAEV10	74.0600	RFQ	7878	Infineon Technologies	GL-S	Plateau	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	S29GL128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (13x11)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	2832-S29GL128S13FAEV10	3A991B1A	8542.32.0071	900		Non volatile	128mbitons	130 ns	Éclair	8m x 16	Parallèle	60ns
CAT28C256H1315	-	RFQ	8428	onsemi	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	CAT28C256	Eeprom	4,5 V ~ 5,5 V	28 TSOP	télécharger		2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	234		Non volatile	256kbit	150 ns	Eeprom	32k x 8	Parallèle	5 ms
IS61WV51216EDALL-20TLI	12.2476	RFQ	6509	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61WV51216	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	8mbitons	20 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	20ns
803656-081-C	55.0000	RFQ	4143	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-803656-081-C	EAR99	8473.30.5100	1
IS66WVO16M8DALL-200BI-TR	3.6017	RFQ	9281	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS66WVO16M8DALL-200BI-TR			2 500	200 MHz	Volatil	128mbitons	5 ns	Psram	16m x 8	Spi - e / s octal	35ns
CY7C0831AV-167AXC	195.0100	RFQ	399	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	120 LQFP	CY7C0831	Sram - double port, synchrone	3.135V ~ 3 465V	120-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	90	167 MHz	Volatil	2mbitons		Sram	128K x 18	Parallèle	-	Non Vérifié
Cy7c1041cv33-10bajxe	-	RFQ	1151	Infineon Technologies	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	CY7C1041	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	48-fbga (7x8,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
MT41J256M16HA-093G: E	-	RFQ	3506	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J256M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1 066 GHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
MT53B1024M32D4NQ-062 WT: C	-	RFQ	1349	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53B1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1,6 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MX29LV400BTI-70	1 0000	RFQ	2	Macronix	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface			Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	-				3277-MX29LV400BTI-70	EAR99	8542.32.0071	480		Non volatile	4mbbitons	70 ns	Éclair	512k x 8	Parallèle	70ns	Non Vérifié
MT41K2G4RKB-107 C: N	-	RFQ	9969	Micron Technology Inc.	Twindie ™	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K2G4	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		557-MT41K2G4RKB-107C: n	OBSOLÈTE		1440	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	2G x 4	Parallèle	15NS
BR93G46FVJ-3BGTE2	0,6500	RFQ	2	Semi-conducteur de Rohm	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand)	BR93G46	Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	8-TSSOP-BJ	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	2 500	3 MHz	Non volatile	1kbit		Eeprom	64 x 16	Microwire	5 ms
STK14CA8-NF25TR	-	RFQ	5961	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	STK14CA8	Nvsram (SRAM non volatile)	2,7 V ~ 3,6 V	32-SOIC	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 000		Non volatile	1mbit	25 ns	Nvsram	128k x 8	Parallèle	25ns
CY7C1460SV25-167BZXC	57.3500	RFQ	162	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1460	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-fbga (13x15)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté				1	167 MHz	Volatil	36mbitons	3,4 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-	Non Vérifié
CYDMX256A16-65BVXI	-	RFQ	4297	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100-VFBGA	Cydmx	Sram - double port, mobl	1,8 V ~ 3,3 V	100-VFBGA (6x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	429		Volatil	256kbit	65 ns	Sram	16k x 16	Parallèle	65ns
W25Q16FWSNSQ	-	RFQ	1699	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	W25Q16	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W25Q16FWSNSQ	OBSOLÈTE		1	104 MHz	Non volatile	16mbitons	6 ns	Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o, qpi	60 µs, 3ms
CAT93C86SE-26685T	-	RFQ	8457	Catalyst Semiconductor Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	CAT93C86	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.32.0051	1	3 MHz	Non volatile	16kbit	100 ns	Eeprom	1k x 16, 2k x 8	Microwire	-
AT27BV512-70TU	-	RFQ	6318	Technologie des micropuces	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	At27bv512	Eprom - OTP	2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V	28 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1B2	8542.32.0061	234		Non volatile	512kbit	70 ns	Eprom	64k x 8	Parallèle	-
MT53E1G32D2FW-046 IT: A	27.1500	RFQ	7860	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	-				557-MT53E1G32D2FW-046IT: A			1	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	18n
51-32598Z01-A	-	RFQ	1126	Infineon Technologies	-	Plateau	Abandonné à sic				51-32598				-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1
R1QDA3618CBG-20IB0	29.8800	RFQ	618	Renesas Electronics America Inc	*	En gros	Actif								télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1
IS43LD32128C-25BPI-TR	-	RFQ	1550	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43LD32128C-25BPI-TR	EAR99	8542.32.0036	1
IS22TF128G-JQLA1-T-T-TR	74.4800	RFQ	6033	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga		Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	100-LFBGA (14x18)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS22TF128G-JQLA1-TR			1 000	200 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	EMMC_5.1	-
W63ah2nbvade tr	4.1409	RFQ	3602	Electronique Winbond	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	178-VFBGA	W63AH2	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	178-VFBGA (11x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W63AH2NBVADETTR	EAR99	8542.32.0032	2 000	1 066 GHz	Volatil	1 gbit	5,5 ns	Drachme	32m x 32	HSUL_12	15NS
S25FL512SDSBHV210	10.3400	RFQ	7888	Cypress Semiconductor Corp	FL-S	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	S25FL512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-bga (8x6)	télécharger							1	80 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o	-	Non Vérifié

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Mémoire (70500)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²