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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V30L25TF8 | - | ![]() | 7688 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 64 LQFP | 71v30 | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 64-TQFP (10x10) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 500 | Volatil | 8kbit | 25 ns | Sram | 1k x 8 | Parallèle | 25ns | ||||
W631gu6nb15i tr | 4.8100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-VFBGA | W631GU6 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V, 1 425V ~ 1 575 V | 96-VFBGA (7.5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 3 000 | 667 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | S34ML04G200TFI900 | 1.6700 | ![]() | 714 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-2 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S34ML04 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | 25ns | |||||||
![]() | N25Q128A13EW7DFE | - | ![]() | 1983 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||||
![]() | S29PL127J80BFI010 | 16.5339 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | PL-J | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 80-VFBGA | S29PL127 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 80-fbga (8x11) | télécharger | Rohs non conforme | Non applicable | Vendeur indéfini | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 16 | Non volatile | 128mbitons | 80 ns | Éclair | 8m x 16 | Parallèle | 80ns | Non Vérifié | |||
Cat24aa01wi-g | 0 1700 | ![]() | 6414 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Cat24AA01 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | Non volatile | 1kbit | 400 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | Cy7c1011cv33-10zxi | 4.3400 | ![]() | 7079 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Cy7c1011 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 32-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 2mbitons | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||
![]() | SST26VF040A-80E / MF | 1.5600 | ![]() | 588 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | SST26 SQI® | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Sst26vf040 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WDFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 150-sst26vf040a-80e / mf | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 80 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o | 1,5 ms | |||
![]() | Cy14b104l-ba25xc | 23.9500 | ![]() | 203 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | CY14B104 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-fbga (6x10) | - | Non applicable | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 13 | Non volatile | 4mbbitons | 25 ns | Nvsram | 512k x 8 | Parallèle | 25ns | Non Vérifié | |||||
![]() | MT53E512M32D2NP-046 WT: E TR | - | ![]() | 6816 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | |||||||
![]() | S99GL128S90TFI010 | 3.6700 | ![]() | 141 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2832-S99GL128S90TFI010 | EAR99 | 8542.39.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
IS61LV25616AL-10TLI | 4.7200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61LV25616 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 10ns | |||||
![]() | CY7C1312SV18-167BZC | 39.9400 | ![]() | 792 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1312 | Sram - Synchrone, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | - | Non applicable | 3A991B2A | 8 | 167 MHz | Volatil | 18mbitons | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | Non Vérifié | ||||||
![]() | Fm25v02-g | 4.5600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | F-RAM ™ | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FM25V02 | Fram (Ferroelectric RAM) | 2V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 2832-FM25V02-G | EAR99 | 8542.32.0071 | 110 | 40 MHz | Non volatile | 256kbit | Fracture | 32k x 8 | Pimenter | - | |||||
![]() | P770020CF5C000 | - | ![]() | 8985 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Acheter la Dernière | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Cy7c1512v18-167bzxi | 134.0500 | ![]() | 267 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1512 | Sram - Synchrone, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | Volatil | 72mbitons | Sram | 4m x 18 | Parallèle | - | Non Vérifié | |||||
![]() | Cy14b101k-sp25xc | - | ![]() | 4326 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-BSSOP (0,295 ", 7,50 mm de grand) | Cy14b101 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Non volatile | 1mbit | 25 ns | Nvsram | 128k x 8 | Parallèle | 25ns | ||||
![]() | S29PL032J70BFID20E | - | ![]() | 2595 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 338 | ||||||||||||||||||
![]() | Cy7c1021v33-15bai | 5.1400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Cy7c1021 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 48-fbga (7x7) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 1mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | MT29F16T08GSLCEG4-QB: C | 312.5850 | ![]() | 3687 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F16T08GSLCEG4-QB: C | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SST39VF800A-70-4I-B3KE | 1.9700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | SST39 MPF ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sst39vf800 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Sst39vf800a704ib3ke | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 512k x 16 | Parallèle | 20 µs | |||
![]() | BR24G08F-3GTE2 | 0 2400 | ![]() | 92 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | BR24G08 | Eeprom | 1,6 V ~ 5,5 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 400 kHz | Non volatile | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | NDS76PBA-16AT TR | 2.6055 | ![]() | 8897 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDS76PBA-16ATTR | 2 500 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1462KV25-250BZXC | - | ![]() | 5418 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1462 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2832-CY7C1462KV25-250BZXC | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatil | 36mbitons | 2,5 ns | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | CY62167ELL-45ZXIT | 14.4375 | ![]() | 1500 | 0,00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | CY62167 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 16mbitons | 45 ns | Sram | 2m x 8, 1m x 16 | Parallèle | 45ns | ||||
![]() | IS66WVQ8M4DALL-200BLI | 3.8900 | ![]() | 340 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS66WVQ8M4 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS66WVQ8M4DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | Volatil | 32mbitons | Psram | 8m x 4 | Spi - quad e / o | 45ns | |||
![]() | CY7C1371KVE33-100AXI | 28.9000 | ![]() | 57 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | CY7C1371 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20) | télécharger | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-CY7C1371KVE33-100AXI | 11 | 100 MHz | Volatil | 18mbitons | 8,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | Non Vérifié | ||||
![]() | M29W640GL70ZS6E | - | ![]() | 4792 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||||
![]() | 71V25761S166PFG | 7.5947 | ![]() | 7656 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 71V25761 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 3,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | |||
70V658S10BCG | 188.0754 | ![]() | 7358 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 256 LBGA | 70V658 | Sram - double port, asynchrone | 3,15 V ~ 3 45 V | 256-Cabga (17x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | Volatil | 2mbitons | 10 ns | Sram | 64k x 36 | Parallèle | 10ns |
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