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Mémoire (70500)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
MT47H64M8B6-25: D TR	-	RFQ	8921	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-fbga	MT47H64M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0024	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS26KL512S-DABLI00	-	RFQ	3738	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24-VBGA	IS26KL512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS26KL512S-DABLI00	3A991B1A	8542.32.0071	338	100 MHz	Non volatile	512mbitons	96 ns	Éclair	64m x 8	Parallèle	-
FM24C64LEN	0,6000	RFQ	7360	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	FM24C64	Eeprom	2,5 V ~ 5,5 V	8 plombs	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0051	1	100 kHz	Non volatile	64kbit	3,5 µs	Eeprom	8k x 8	I²c	6 ms
LE25S161MDTWG	-	RFQ	8518	onsemi	-	En gros	Obsolète								télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	488-LE25S161MDTWG	OBSOLÈTE		1
S25fl032p0xnfv010	-	RFQ	7266	Infineon Technologies	Plat	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UDFN	S25FL032	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-USON (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-S25fl032p0xnfv010	3A991B1A	8542.32.0071	490	104 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o	5 µs, 3ms
MT62F1G32D2DS-023 AAT ES: B	31.9350	RFQ	9571	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F1G32D2DS-023Aates: B			1	4.266 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	-
MT53E1G32D2FW-046 WT: A	22.0050	RFQ	9440	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	-				557-MT53E1G32D2FW-046WT: A			1	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	18n
Mtfc64gazaqhd-it tr	29.3250	RFQ	4075	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA	Mtfc64	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MTFC64GAZAQHD-ITTR			2 000	200 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	EMMC	-
EM6HB16EWKA-12IH	3.2261	RFQ	1	Etron Technology, Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-VFBGA	EM6HB16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	667 MHz	Volatil	512mbitons	20 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
Mt29f64g08ceccbh1-12itz: c tr	-	RFQ	1782	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
S27KS0642GABHA023	5.2500	RFQ	3234	Infineon Technologies	Hyperram ™ KS	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24-VBGA		Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 2V	24-fbga (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2	8542.32.0041	2 500	200 MHz	Volatil	64mbitons	35 ns	Psram	8m x 8	Hyperbus	35ns
Cy7c263-30wc	-	RFQ	8561	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)			CY7C263	Eprom - uv	4,5 V ~ 5,5 V		télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		EAR99	8542.32.0061	1		Non volatile	64kbit	30 ns	Eprom	8k x 8	Parallèle	-
FM27C010Q150	-	RFQ	6841	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Par le trou	Fenêtre 32-CDIP (0,685 ", 17,40 mm)	FM27C010	Eprom - uv	4,5 V ~ 5,5 V	32-CDIP	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0061	1		Non volatile	1mbit	150 ns	Eprom	128k x 8	Parallèle	-
AM27S29 / B2A	54.0800	RFQ	746	Micro-appareils avancé	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	20-CLCC	AM27S29	-	4,5 V ~ 5,5 V	20-CLCC	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A001A2C	8542.32.0071	1		Non volatile	4kbit	70 ns	Bal de Promo	512 x 8	Parallèle	-
A9810563-C	130 0000	RFQ	1689	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-A9810563-C	EAR99	8473.30.5100	1
CAT93C66xi	-	RFQ	2701	Catalyst Semiconductor Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	CAT93C66	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8542.32.0051	94	2 MHz	Non volatile	4kbit		Eeprom	512 x 8, 256 x 16	Microwire	-
MT29F128G08AMCABH2-10IT: A	-	RFQ	9330	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
IS61WV51216BLL-10TLI-TR	12.3000	RFQ	9043	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61WV51216	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	8mbitons	10 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	10ns
MB85RS256APNF-G-JNE1	-	RFQ	3703	Kaga Fei America, Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MB85RS256	Fram (Ferroelectric RAM)	3V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	500	25 MHz	Non volatile	256kbit		Fracture	32k x 8	Pimenter	-
AT25160B-CUL-T	-	RFQ	2654	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-VFBGA	AT25160	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8-VFBGA (1,5x2)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	5 000	20 MHz	Non volatile	16kbit		Eeprom	2k x 8	Pimenter	5 ms
IS42S86400D-7TLI	14.1882	RFQ	2540	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S86400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	64m x 8	Parallèle	-
CY7C1414BV18-200BZC	44.8600	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1414	Sram - Synchrone, Qdr II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (15x17)	-	Rohs non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	7	200 MHz	Volatil	36mbitons		Sram	1m x 36	Parallèle	-	Non Vérifié
CY7C1021CV33-8ZXC	-	RFQ	8803	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	Cy7c1021	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	675		Volatil	1mbit	8 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	8ns
STK11C68-5L45M	-	RFQ	5963	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	28 LCC	STK11C68	Nvsram (SRAM non volatile)	4,5 V ~ 5,5 V	28 LCC (13.97x8.89)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A001A2C	8542.32.0041	68		Non volatile	64kbit	45 ns	Nvsram	8k x 8	Parallèle	45ns
PC48F4400P0VB0EF	-	RFQ	7222	Alliance Memory, Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	PC48F4400	Flash - Ni (MLC)	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (10x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		2 000	52 MHz	Non volatile	512mbitons	110 ns	Éclair	32m x 16	CFI	-
S29GL256P10FFI012	6.6000	RFQ	2886	Cypress Semiconductor Corp	Gl-p	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	S29GL256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (13x11)	télécharger	Rohs3 conforme			2832-s29gl256p10ffi012-tr			49		Non volatile	256mbitons	100 ns	Éclair	32m x 8	Parallèle	100ns	Non Vérifié
S25FL132K0XMFI043	2.4400	RFQ	9622	Cypress Semiconductor Corp	FL1-K	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	S25FL132	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B1A	8542.32.0071	103	108 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o	3 ms
MT40A2G4Z11BWC1	9.0100	RFQ	5397	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT40A2G4Z11BWC1			1
Cy7c1049dv33-10vxi	13.3400	RFQ	20	Cypress Semiconductor Corp	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	CY7C1049	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	36-SOJ	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	38		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	10ns
Cy7c1021bv33l-10vxc	1.5400	RFQ	272	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	Cy7c1021	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	44-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	1		Volatil	1mbit	10 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	10ns

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Mémoire (70500)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²