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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS46QR81024A-083TBLA2 | 21.5457 | ![]() | 5636 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46QR81024A-083TBLA2 | 136 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | MT29F4T08EMLCHD4-QA: C TR | 83.9100 | ![]() | 3216 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-QA: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
![]() | NDS73PBE-16ET | 3.6404 | ![]() | 4806 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | * | Plateau | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDS73PBE-16ET | 190 | |||||||||||||||||||
![]() | Mt29f2g08abagah4-it: g tr | 2.8500 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | 70p245l90bygi8 | - | ![]() | 3538 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100-TFBGA | 70p245l | Sram - double port, asynchrone | 1,7 V ~ 1,9 V | 100-Cabga (6x6) | télécharger | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0041 | 3 000 | Volatil | 64kbit | 90 ns | Sram | 4K x 16 | Parallèle | 90ns | |||||
CAT93C46RVI-GT3 | 0.1900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CAT93C46 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 000 | 4 MHz | Non volatile | 1kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Microwire | - | ||||||
![]() | 7025S55pfi8 | - | ![]() | 3365 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 7025S55 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatil | 128kbit | 55 ns | Sram | 8k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | M29w640fb70n6f tr | - | ![]() | 8475 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | At25320b-sshl-b | 0,5400 | ![]() | 192 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | AT25320 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | Non volatile | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | Pimenter | 5 ms | |||
![]() | M25pe40-vmw6tg tr | - | ![]() | 7387 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | M25PE40 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-So W | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | 75 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Pimenter | 15 ms, 3 ms | |||
M95080-DWDW4TP / K | 0,9400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 145 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | M95080 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 4 000 | 20 MHz | Non volatile | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | Pimenter | 4 ms | ||||
![]() | MTFC64GBCAQTC-AIT TR | 22.2750 | ![]() | 8836 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MTFC64GBCAQTC-AITTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
![]() | C-2400D4DR8N / 16G | 150 0000 | ![]() | 6628 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-C-2400D4DR8N / 16G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GT13TFNV23 | 16.8525 | ![]() | 7474 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Gl-t | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S29GL01 | Flash - ni | 1,65 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | 130 ns | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | 60ns | |||
![]() | MT53D512M32D2DS-046 AUT: D | 27.2200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | |||
![]() | MT62F1536M64D8CL-031 WT: B | 71.9300 | ![]() | 8894 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | - | 557-MT62F1536M64D8CL-031WT: B | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | GD25LB256FIRR | 2.4606 | ![]() | 7001 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25lb | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 16-SOP | télécharger | 1970-GD25LB256Firrtr | 1 000 | 166 MHz | Non volatile | 256mbitons | 6 ns | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 70 µs, 1,2 ms | |||||||
![]() | TMS55165-70ADgh | 4.6700 | ![]() | 240 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | Sm662gxe bfst | 87.1700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-EMMC® | Plateau | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 100 lbga | SM662 | Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC) | - | 100-BGA (14x18) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | 90y4551-c | 22.5000 | ![]() | 5416 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-90Y4551-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AS7C1024B-15JCN | 3.1724 | ![]() | 9879 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 32-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | AS7C1024 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 21 | Volatil | 1mbit | 15 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS46TR16256B-107MBLA1-T-T-TR | 8.0897 | ![]() | 1850 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16256B-107MBLA1-TR | 1 500 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | Gd5f1gm7uewigy | 2.0685 | ![]() | 9754 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd5f | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | télécharger | 1970-gd5f1gm7uewigy | 5 700 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | 7 ns | Éclair | 256m x 4 | Spi - quad e / o, dtr | 600 µs | |||||||
![]() | 70V06S12J | - | ![]() | 1341 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Acheter la Dernière | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-70V06S12J | 1 | Volatil | 128kbit | 12 ns | Sram | 16k x 8 | Parallèle | 12ns | ||||||||
![]() | EDF8132A3PB-GD-FD | - | ![]() | 9321 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | - | EDF8132 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-WFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 680 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | - | ||||
![]() | IS46TR16256BL-107MBLA2 | 10.3181 | ![]() | 6906 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16256 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16256BL-107MBLA2 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |
![]() | MT62F768M64D4EK-023 AIT: B | 43.5300 | ![]() | 3414 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | - | Support de surface | 441-TFBGA | MT62F768 | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-mt62f768m64d4ek-023ait: b | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | - | |||||||
![]() | IS46TR16128BL-125KBLA1-TR | - | ![]() | 4258 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16128 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | FCELS26361-F3392-L14-C | 73.5000 | ![]() | 7440 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-FCELS26361-F3392-L14-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | NM24C02ULEM8X | 0,3400 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NM24C02 | Eeprom | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 100 kHz | Non volatile | 2kbit | 3,5 µs | Eeprom | 128 x 16 | I²c | 15 ms |
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